4～6 GHz吸收式微波收發開關的設計

劉繼勇，朱滿意

（西安工業大學 電子信息工程學院，陜西 西安710032）

4～6 GHz吸收式微波收發開關的設計

劉繼勇，朱滿意

（西安工業大學 電子信息工程學院，陜西 西安710032）

微波開關是電子對抗等系統中的關鍵部分，開關性能的優劣直接影響系統的正常工作，針對減小噪聲對電子系統的干擾和提高開關的可靠性、穩定性的目的。通過對PIN二極管在微波射頻電路中的原理進行簡單的介紹，并結合ADS仿真軟件對PIN管開關電路進行設計、仿真和參數優化，設計出一種工作頻帶在4~6 GHz，插入損耗最小為0.392 dB，最大為0.403 dB，隔離度最小為75.468 dB，最大為86.928 dB及電壓駐波比最大為1.362的吸收式微波收發開關。

PIN二級管；插入損耗；隔離度；吸收式

微波開關是微波控制電路的重要組成部分之一，它在雷達、微波通信、微波測量以及電子對抗系統中有著廣泛的應用[1-2]。過去出現的微波開關都是反射式類型，雖然反射式開關在導通狀態下駐波比較好，但在截止狀態下駐波很差，信號在開關處易發生全反射，會對電路造成損害。而吸收式開關則采用負載吸收PIN二極管反射信號，當端口處于導通狀態時，微波信號無反射傳輸到負載，當開關處于截止狀態下，信號無反射被負載吸收，從而可以改善各個端口的駐波比，因此吸收式開關在很多系統和電路中得到廣泛的應用[3]。

1 原理分析

1.1 PIN

PIN二極管是微波半導體器件，PIN管有三層結構，其結構不同于普通的二極管，不同的是在重摻雜的P區和N區之間是本征硅層即I層，而且厚度較大，達十幾到幾十微米，這就是PIN二極管最顯著的結構特點[4]，它可以用很小的直流功率信號去控制高功率微波信號，如圖1所示。

圖1 PIN二極管

1.2 正向偏置下的PIN二極管等效模型

PIN二極管處于正向偏置時，P、N區的大量載流子向I區注入，I層結電阻由兆級降到1 Ω以下。穩態時RI=W2/2μaτIO，硅的空穴的遷移率為0.048 m2/ V.s，電子遷移率0.135 m2/V.s，雙極遷移率μa=0.070 8 m2/V.s。設PIN二極管的I層寬度W=150 μm，載流子壽命τ=2 μs，偏置電流為100 mA，則RI=0.635 6 Ω。正偏情況下除了RS和RI的串聯外，還存在寄生的電容電感[5]，PIN二極管正向等效模型如圖2所示。

圖2 PIN二極管正向偏置等效模型

Cj和Cp大小為皮法級，在射頻下其容抗可以達到100 Ω以上，封裝電感LS是在射頻下，感抗一般小于1 Ω，RS為PIN管正向偏置下等效電阻大約為2.5 Ω，LS封裝電感大約為0.04 nH。為了能很好的分析開關特性，把模型簡化，如圖3所示。

圖3 PIN二極管正向偏置簡化模型

1.3 反向偏置下的PIN二極管模型

當PIN管反偏時，擊穿電壓大于反偏電壓，此時PIN管分為耗盡區和非耗盡區。耗盡區可以用Rj和Cj并聯形式來表示。Rj為耗盡區電阻，值一般在Ω數量級，Cj為PIN的結電容，值在pF數量級。非耗盡區可以用Ri和電容Ci并聯表示，其中Ri的阻值在1 000 Ω以上，Ci的數量級為pF，如圖4所示。

圖4 PIN二極管反向偏置等效簡化模型

從簡化模型可以分析，Ri＞＞Xi，Rj＞＞Xj，Xi=1/ωCi，Xj=1/ωCj，Rj和Cj的并聯電阻可以等效為X2j/Rj-jXj，Ri和Ci的并聯可以等效為X2i/Ri-jXi，可以看出，模型a可以轉化為模型b，這時Ri=X2j/Rj+X2i/Ri，Cj為Ci與Cj的串聯，最后模型等效為模型c。反向偏置時，反向電阻Rr=RS+X2i/Ri，Cj大約為0.05 pF，等效為反向電阻與結電容的串聯。

2 吸收式開關的設計

串聯結構和并聯結構是PIN二極管最基本的電路結構[6-7]。下面是PIN開關在串聯、并聯以及串并聯型時的插入損耗、隔離度估計公式

串聯情況下：

并聯情況下：

串并聯情況下：

式中，f為信號頻率，單位為Hz。 從公式可以知道，當PIN管在處于正向偏置時，串聯結構的插入損耗主要由正向電阻RS影響，起導通作用[8-9]。當PIN管處于反向偏置時，其隔離度主要受結電容Cj決定，在高頻情況下，產生的阻抗很高，起著截止的作用。雖然串聯結構電路工作頻帶很寬，但是插入損耗較大。并聯結構開關卻相反，其插入損耗主要取決于PIN管的反向結電容Cj，起導通作用。隔離度主要取決于PIN管的正向電阻RS，起截止作用。為了達到低損耗和高隔離度，應選擇較低的正向電阻和結電容的PIN管，但是并聯型工作頻帶范圍較小。無論是全并聯結構還是全串聯結構在寬頻帶內，對于單刀多擲開關，這種單一結構受到PIN管參數和數量限制，都無法同時達到低損耗和高隔離。

串并聯型開關同時考慮了PIN管的正向電阻和反偏結電容[10-13]，而且其結構可以在很高的頻帶內工作，而且有較好的散熱特性，可以選擇這種結構來設計開關。在等效電路當中，Ls為寄生電感，一般情況下在0.2～1 nH，偏置電路中的電容為0.5 pF，電感約為1 nH。吸收式開關電路原理圖，如圖5所示。

圖5 收發吸收式開關原理圖

端口1的作用相當于公共端，它可以控制信號，把微波信號輸入到支路實現開關的切換，在收發開關公共端存在串聯PIN管結電容帶來的電路失配。為了消除影響，在公共端設計為感性，用來補償PIN管的容性[14]。在公共端后可以采用多管級聯的方式來提高隔離度和更寬的帶寬。為了防止開關在隔離狀態時，信號發生反射對電路造成損害，在級聯PIN管后加入一個吸收區，當開關關斷時，信號會被吸收區中的負載吸收，保證端口具有較好的電壓駐波比。在端口1為了得到較好的匹配，用Smith圓圖來匹配網絡，在復數負載上電容和電感串聯，電容大約為19.79 pF，電感為17.037 nH。單刀雙擲吸收式開關有傳輸狀態和隔離狀態兩種工作狀態，對于這兩種工作狀態都具有良好的駐波特性[15]。ADS2011.10版本進行仿真，圖6和圖7分別是仿真電路圖及結果。

圖6 ADS仿真電路圖

圖7 ADS仿真結果

從仿真結果可以看出端口1與端口2之間的插入損耗最小為0.392 dB，最大為0.403 dB。端口1和端口3以及端口2與端口3之間的隔離度較為接近，其值在4 GHz時為大約為76.032 dB，在6 GHz時為76.032 dB。雖然在4~6 GHz帶寬之間插入損耗都小于0.5 dB，但是隔離度不是太理想，可以看出在8 GHz時曲線有下滑，其隔離度增大。為了改善在4~ 6 GHz之間的隔離度，需要對個別電容參數進行調整，把C8和C9參數從0.5 pF調整為1 pF，其他保持不變。再次進行仿真，圖8為參數調整后的仿真結果。

圖8 參數調整后ADS串并聯結構仿真結果

經過測試，在4~6 GHz頻帶內，開狀態時的插入損耗幾乎沒有變化，電壓駐波比≦1.31，而在關狀態時隔離度整體有所提高，最大隔離度為86.928 dB，電壓駐波比≦1.37。

3 結 論

這種高隔離吸收式收發開關的設計，電路結構簡單，容易實現，適合批量生產，仿真實驗表明，在4~6 GHz頻率范圍內，插入損耗小于0.5 dB，隔離度大于75 dB，導通狀態時的電壓駐波比小于1.31 dB，截止狀態的電壓駐波比小于1.37 dB，達到設計要求。在系統允許的差損范圍內，可以在電路中級聯多個PIN管來提高開關的隔離度，該方法也可以應用于移相器和衰減器等的設計。

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The design of 4～6 GHz absorption microwave transceiver switch

LIU Ji-yong，ZHU Man-yi
（School of Electronic and Information Engineering，Xi’an Technological University，Xi’an 710032，China）

Microwave switch is a key part in electronic countermeasures system.In order to reduce the noise interference to the electronic system and improve the reliability and stability of the switch，so the fit and unfit quality of switch performance directly affect the normal work of the system.Based on the simple introduction of theories of PIN diode in the microwave radio frequency circuit，with the ADS simulation software of PIN tube switching circuit design，simulation and parameter optimization，to design an absorption of microwave transceiver switch which has the characteristics that the work frequency band is from 4 and 6 GHz，the insertion loss is from 0.392 dB to 0.403 dB，the isolation degree is from 75.468 dB to 86.928 dB and the maximum of the voltage standing wave ratio is 1.362.

PIN diode；insertion loss；isolation degree；absorption

TN111

：A

：1674－6236（2017）01-0086-04

2016-01-12稿件編號：201601080

劉繼勇（1956—），男，陜西禮泉人，碩士，高級工程師。研究方向：射頻與微波電路。