韓布興
(中國科學院化學研究所,北京100190)
耐高溫赤鐵礦(α-Fe2O3)型氧化鐵納米管陣列的可控制備
韓布興
(中國科學院化學研究所,北京100190)

赤鐵礦(α-Fe2O3)型氧化鐵具有獨特的光學、電學、和電磁學性質,在化學傳感器、鋰離子電池、超級電容、雷達吸波和光解水制氫等領域有著廣泛的應用潛力1,2。納米形貌調控和高溫煅燒(high-temperature calcination,HTC)是進一步提升α-Fe2O3性能的兩種重要途徑。納米形貌調控可有效增加α-Fe2O3的比表面積,而HTC則可大大提高α-Fe2O3結晶性,進而提升其電荷傳輸能力和吸光系數3,4。例如,當α-Fe2O3被用作光解水陽極時,750°C以上的高溫煅燒常被認為是一個提高其結晶性、修復表面缺陷、提升材料與基底界面接觸的必要條件。
然而在高溫下(≥750°C),由于材料本身的團聚長大4,α-Fe2O3納米結構的形貌難以維持。對具有納米管陣列形貌的α-Fe2O3,HTC會使其管壁坍塌并聚團,繼而失去納米管結構帶來的優勢。因此,對以α-Fe2O3為核心材料的各個研究領域,如何制備能夠承受高溫煅燒(≥750°C)的α-Fe2O3納米管,一直是一個有待解決的難題。
最近,天津大學化工學院鞏金龍教授課題組以水熱合成的FeOOH納米棒陣列為基底和模板,利用原子層沉積(ALD)在其表面均勻包覆一層超薄的無定形ZrO2薄膜,繼而在800°C高溫下誘發FeOOH向ZrO2外殼的擴散,以類Kirkendall效應5的機制首次制備出可耐受800°C高溫煅燒的高結晶度α-Fe2O3納米管陣列。相關工作近期發表在Angewandte Chemie International Edition雜志上6。他們通過研究發現,外層ZrO2薄膜的厚度對α-Fe2O3中能否形成空腔結構起著至關重要的作用。當ZrO2膜厚過薄時(<2 nm),α-Fe2O3納米棒內只能形成不連續的孔洞而無法形成完整的納米管空腔;而當ZrO2過厚時(>4 nm),形成的α-Fe2O3納米管管壁則會破裂;只有當ZrO2膜厚在2.4 nm時,才能形成完美的納米管結構。因此,在對膜厚要求如此嚴苛和精細的情況下,ALD薄膜厚度均一可控的特性發揮了無可替代的關鍵作用。此外,鞏教授團隊對煅燒溫度和時間也進行了深入探討,發現在800°C下煅燒10 min是納米棒向納米管轉化的最佳條件。
他們隨后將此α-Fe2O3納米管在FTO導電玻璃上形成的陣列結構作為光陽極用于光解水制氫。在AM 1.5G模擬太陽光下,無表面助催化劑時的水氧化光電流可以達到1.5 mA·cm?2(1.23 V(vs RHE)),是同電壓下Fe2O3納米棒活性的2.3倍。負載Co-Pi助催化劑后,此納米管電流可以進一步提升至1.87 mA·cm?2,起始電勢降低至0.65 V(vs RHE),且在5 h內無失活跡象。該工作首次發現了高溫下FeOOH向ZrO2擴散的現象,并巧妙地利用這個機制激活外部ZrO2層的誘導作用,成功制備出能夠承受高溫煅燒的高結晶度α-Fe2O3納米管。這一研究成果另辟蹊徑,不僅突破了α-Fe2O3納米管結構由于溫度耐受性帶來的結晶度限制,同時也為其他先進材料與器件的納米構筑提供了新的思路。
(1)Chen,J.;Xu,L.;Li,W.;Gou,X.Adv.Mater.2005,17,582. doi:10.1002/adma.200401101
(2)Zhang,P.;Wang,T.;Chang,X.;Zhang,L.;Gong,J.Angew. Chem.Int.Ed.2016,55,5851.doi:10.1002/anie.201600918
(3)Karthick Kannan,P.;Saraswathi,R.J.Mater.Chem.A 2014,2, 394.doi:10.1039/C3TA13553E
(4)Sivula,K.;Zboril,R.;Le Formal,F.;Robert,R.;Weidenkaff,A.; Tucek,J.;Frydrych,J.;Gr?tzel,M.J.Am.Chem.Soc.2010,132, 7436.doi:10.1021/ja101564f
(5)Jin Fan,H.;Knez,M.;Scholz,R.;Nielsch,K.;Pippel,E.;Hesse, D.;Zacharias,M.;Gosele,U.Nat.Mater.2006,5,627. doi:10.1038/nmat1673
(6)Li,C.;Li,A.;Luo,Z.;Zhang,J.;Chang,X.;Huang,Z.;Wang,T.; Gong,J.Angew.Chem.Int.Ed.2017,doi:10.1002/ anie.201611330
Controllable Fabrication of High-Temperature Resistant α-Fe2O3Nanotube Arrays
HAN Bu-Xing
(Institute of Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,P.R.China)
10.3866/PKU.WHXB201703231