基于ARM和ADS1248高精度測(cè)溫裝置的設(shè)計(jì)

王金龍，王安敏，趙 經(jīng)，劉世超

(青島科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院機(jī)械電子工程實(shí)驗(yàn)室，山東 青島 266061)

基于ARM和ADS1248高精度測(cè)溫裝置的設(shè)計(jì)

王金龍，王安敏，趙 經(jīng)，劉世超

(青島科技大學(xué)機(jī)電學(xué)院機(jī)械電子工程實(shí)驗(yàn)室，山東 青島 266061)

為了實(shí)現(xiàn)醫(yī)療制冷柜在超低溫環(huán)境中對(duì)關(guān)鍵部位溫度參數(shù)的高精度采集，設(shè)計(jì)了一種多路高精度測(cè)溫裝置。裝置基于高精度測(cè)溫專用A/D芯片ADS1248設(shè)計(jì)，選取具有高效哈佛結(jié)構(gòu)的STM32系列單片機(jī)作為控制核心，以Pt100鉑電阻作為溫度傳感器，使用四線制測(cè)量方法，在外部參考電壓測(cè)量法中采用了一個(gè)高精度參考電阻，使Pt100的精確度得以提高。選用了24位的ADS1248集成芯片，包括PGA放大器、恒流源等，在滿足較高的分辨率同時(shí)簡(jiǎn)化了裝置，提高了效率。通過(guò)查表差值法和牛頓迭代法相結(jié)合的方法優(yōu)化了Pt100的非線性特性，提高了其精度，并將溫度參數(shù)存入Flash儲(chǔ)存器。測(cè)試結(jié)果表明，在30～300 ℃溫度范圍內(nèi)，本裝置精度達(dá)到±0.01 ℃，能夠滿足醫(yī)療器械在超低溫控制中的精度要求。

智能控制； 嵌入式系統(tǒng)； A/D轉(zhuǎn)換; 測(cè)溫裝置； 四線制測(cè)量； 鉑電阻

0 引言

隨著計(jì)算機(jī)與信息技術(shù)的深度融合，具有智能控制、高精度、高可靠性及較好實(shí)效性的溫度控制系統(tǒng)已被廣泛應(yīng)用到工業(yè)控制、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、軍事技術(shù)、航天和航空等各個(gè)領(lǐng)域，各個(gè)領(lǐng)域控制技術(shù)的進(jìn)步又促進(jìn)了嵌入式微控制技術(shù)的發(fā)展。同樣，溫度控制系統(tǒng)應(yīng)用在醫(yī)療器械等一些特殊領(lǐng)域時(shí)，對(duì)測(cè)溫控制提出了更高的精度要求。

以STM32系列單片機(jī)為控制核心，以PT100鉑電阻為溫度傳感器，并以ADS1248芯片為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)了一種新的高精度測(cè)溫裝置。該裝置具有精度高、穩(wěn)定性高、實(shí)際效果好、魯棒性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，在醫(yī)療領(lǐng)域，該測(cè)溫裝置能夠廣泛地應(yīng)用在人體器官或疫苗倉(cāng)儲(chǔ)運(yùn)輸及其監(jiān)控中。

1 總體方案設(shè)計(jì)及原理

1.1 系統(tǒng)總體設(shè)計(jì)

系統(tǒng)以STM32F103ZET6微處理器為核心，該測(cè)溫硬件部分包括STM32F103ZET6單片機(jī)、PT100鉑電阻溫度傳感器、恒流源電路、信號(hào)調(diào)理電路、ADS1248 A/D轉(zhuǎn)換模塊、Flash儲(chǔ)存器模塊。在測(cè)溫電路中，測(cè)溫傳感器是Pt100鉑電阻溫，它將外界的溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓模擬信號(hào)，經(jīng)過(guò)信號(hào)調(diào)理電路傳到ADS1248 A/D轉(zhuǎn)化芯片；將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，并送入STM32微控制器。STM32主控模塊讀取 ADS1248 輸出的數(shù)字溫度信號(hào)，對(duì)其進(jìn)行數(shù)據(jù)處理運(yùn)算，并將處理結(jié)果存入SD卡中；與此同時(shí)，把數(shù)據(jù)上傳到計(jì)算機(jī)機(jī)上，以實(shí)時(shí)監(jiān)控其結(jié)果。MCU通過(guò) I/O口模擬SPI 協(xié)議，實(shí)現(xiàn)與 ADS1248和Flash儲(chǔ)存器通信。

系統(tǒng)設(shè)計(jì)原理框圖如圖1所示。

圖1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)原理框圖

1.2 鉑電阻測(cè)溫原理

鉑電阻溫度傳感器的原理是金屬鉑(Pt)的溫度變化對(duì)應(yīng)特定電阻值。根據(jù)這一物理特性所制成的鉑電阻溫度傳感器，只需測(cè)定其電阻值就可以計(jì)算出其所測(cè)對(duì)象的溫度。鉑電阻的阻值與溫度值之間呈非線性關(guān)系。鉑電阻Pt100測(cè)量溫度范圍最低可達(dá)-200 ℃，最高可達(dá)850 ℃，常用鉑電阻溫度傳感器在0 ℃時(shí)的對(duì)應(yīng)電阻值為100 Ω，它的電阻值隨著溫度的增長(zhǎng)而均勻增長(zhǎng)，電阻的變化率為0.385 1 Ω/℃。鉑電阻溫度傳感器以其精度高、穩(wěn)定性好、高效可靠、響應(yīng)迅速等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于工業(yè)測(cè)溫系統(tǒng)以及各種標(biāo)準(zhǔn)溫度計(jì)的計(jì)量和校準(zhǔn)。按照IEC 751國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)在常用的Pt100是以溫度系數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一設(shè)計(jì)的鉑電阻[1]。 根據(jù)鉑電阻溫度特性，當(dāng)鉑電阻溫度傳感器工作在-200～0 ℃時(shí)，有：

Rt=R0[1+At+Bt2+C(t-100)t3]

(1)

當(dāng)鉑電阻溫度傳感器工作在 0～850 ℃時(shí),C=0，有：

Rt=R0(1+At+Bt2)

(2)

式中：Rt為Pt 100在t℃時(shí)的阻值；R0為其在0 ℃時(shí)的阻值；A、B、C為常系數(shù)。當(dāng)TCR=0.003 851時(shí)，系數(shù)值A(chǔ)=3.908 3×10-3、B=-5.775×10-7、C=-4.183×10-12。

1.3 Pt100四線制測(cè)阻值原理

一般而言，傳統(tǒng)的方法采用Pt100(二線制方法或是三線制方法)測(cè)試溫度時(shí)，忽略了導(dǎo)線上的等效電阻勢(shì)，導(dǎo)線上等效的電阻將產(chǎn)生一定的干擾影響。當(dāng)被測(cè)試電阻值極其微小時(shí)，在測(cè)溫系統(tǒng)產(chǎn)生的誤差是顯而易見(jiàn)的。

精密控制不允許存在較大的誤差。本設(shè)計(jì)采用四線制測(cè)電阻的方法，能夠完全消除導(dǎo)線電阻引起的誤差。測(cè)試電路原理圖如圖2所示。

圖2 測(cè)試電路原理圖

當(dāng)裝置采用四線制方法測(cè)量電阻時(shí)，在導(dǎo)線1和導(dǎo)線4的A點(diǎn)、B點(diǎn)提供恒定電流，則A、B兩端產(chǎn)生的壓降一定包括了導(dǎo)線1和導(dǎo)線2上的等效電阻壓降。此時(shí)，不測(cè)量導(dǎo)線1和導(dǎo)線4的A、B兩端壓降，而是測(cè)量導(dǎo)線2和導(dǎo)線3的m、n兩端壓降。只要數(shù)字電壓表輸入較高的阻抗，電流幾乎不流過(guò)電壓表。四線制測(cè)溫方法[2]消除了導(dǎo)線2和導(dǎo)線3上等效電阻的壓降，從而精確測(cè)出恒流源經(jīng)過(guò)Pt100時(shí)產(chǎn)生的真實(shí)壓降，并計(jì)算得出電阻值Rt。

2 硬件電路設(shè)計(jì)

2.1 MCU測(cè)溫電路設(shè)計(jì)

主控芯片采用意法半導(dǎo)體公司的32位超低功耗STM32F103ZET6處理器，STM32系列使用了ARM先進(jìn)架構(gòu)的Corter-M3內(nèi)核，采用哈佛(Harvard)體系結(jié)構(gòu)[3]。哈佛結(jié)構(gòu)是一種將程序指令存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)分開(kāi)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，是一種并行體系結(jié)構(gòu)。程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器相互獨(dú)立，每個(gè)存儲(chǔ)器獨(dú)立編址、獨(dú)立訪問(wèn)。與2個(gè)存儲(chǔ)器相對(duì)應(yīng)的是系統(tǒng)中的4套總線，提高了數(shù)據(jù)的執(zhí)行速度。

STM32F103系列芯片集成度高，內(nèi)核工作頻率最高為72 MHz，可以進(jìn)行單周期乘法和硬件除法，有144個(gè)引腳、 64 KB靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、512 KB FLASH、2個(gè)基本定時(shí)器、4個(gè)通道定時(shí)器、2個(gè)高級(jí)定時(shí)器、3個(gè)SPI、2個(gè)I2C、5個(gè)串口、1個(gè)CAN、3個(gè)12位DAC、1個(gè)SDIO接口、1個(gè)FSMC接口以及112個(gè)通用I/O口以及其他豐富的外設(shè)資源[4]。ADS1248將Pt100溫度傳感器溫度電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，STM32主控器通過(guò)SPI串行外設(shè)接口與ADS1248連接并對(duì)收到數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算處理。Pt100溫度傳感器接線端子Pt1.1、Pt1.2、Pt1.3通過(guò)外部參考電阻分別接到ADS1248的5號(hào)管腳、12號(hào)管腳、11號(hào)管腳，Pt1.4接到ADS1248的20號(hào)管腳。

2.2 A/D轉(zhuǎn)換器ADS1248

TI的ADS1248是一款高度集成的24位精密數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片，提供了完整的前端解決電路設(shè)計(jì)，集成了低噪聲可編程增益放大器(programmable gain amplifier，PGA)，具有精密Delta-Sigma ADC振蕩器輸入切換器的單周期數(shù)字濾波器(輸入多路復(fù)用器)，提供2個(gè)恒流電源[5]。ADS1248的可編程增益放大器可以將微弱的模擬信號(hào)放大128倍，數(shù)字過(guò)濾器可以對(duì)干擾信號(hào)進(jìn)行過(guò)濾，提高了其測(cè)量的精確度，因此廣泛應(yīng)用于熱電偶、RTD等傳感器。

醫(yī)療冷凍柜要求溫度傳感器的溫度范圍為-150～+60 ℃，Pt100的溫度與電阻值表對(duì)應(yīng)的阻值范圍為39.72 ～123.24 Ω。外部參考電壓為：

(3)

(4)

因此，Pt100選擇恒流源的大小為1 mA，即參考電阻值為820 Ω。溫度值為50 ℃,對(duì)應(yīng)阻值為123.24 Ω時(shí)，Pt100的分壓值達(dá)到最大，為：

Uin max=123.24 Ω×1 mA=123.24 mV

(5)

2.3 恒流源驅(qū)動(dòng)電路

該系統(tǒng)將四線制測(cè)溫方法應(yīng)用在恒流源驅(qū)動(dòng)鉑電阻溫度傳感器上，ADS1248的2個(gè)恒流源可以外接在Pt100的2根線上，用于驅(qū)動(dòng)鉑電阻溫度傳感器，所選參考電壓為Rrel兩端的電壓。在ADS1248的外部器件中，Rrel選用的是高精度、低溫漂的精密電阻，參考?jí)旱妮斎牍苣_位REFP0和REFN0，參考電壓值為：

Urel=2×IDAC×Rrel

2.4 儲(chǔ)存電路

Flash儲(chǔ)存器選用SAMSUNG公司的NAND型 K9WBG08U1M芯片，其芯片架構(gòu)為4 GB×8,儲(chǔ)存容量為32 Gb,工作電壓為2.7～3.6 V，傳輸速率為25 ns，具有儲(chǔ)存量密度高、功耗小、掉電數(shù)據(jù)不丟失、可靠性高等特點(diǎn)。SD卡與STM32的通信有2種模式，即SD模式和SPI 模式，可根據(jù)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)速度的要求，設(shè)定不同工作模式[6-7]。該溫度傳感器采集數(shù)據(jù)的工作量并不大，因此，將SD卡置于SPI模式下，并且采用I/O 口模擬 SPI 協(xié)議來(lái)實(shí)現(xiàn)。SD卡電路如圖3所示。

圖3 SD卡電路圖

3 系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)

3.1 高精度測(cè)溫優(yōu)化

為了提高Pt100測(cè)試溫度的精確度，在軟件方面，采取查表差值法和牛頓迭代法相結(jié)合的方案，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行高精度測(cè)溫優(yōu)化[8]。先用查表插值法求出初值tn，再用牛頓迭代法計(jì)算出精確值tn+1。

①利用查表插值法計(jì)算出近似溫度值。

使用京賽億凌科技有限公司的鉑電阻溫度傳感器，在-200～+300 ℃的范圍內(nèi)，以1 ℃為間隔進(jìn)行分段，可分得501個(gè)小區(qū)間，記為501個(gè)小段。在每個(gè)區(qū)域段內(nèi)進(jìn)行線性化處理，采用最小二乘擬合確定每段區(qū)域的直線方程，每個(gè)段點(diǎn)的阻值組成一個(gè)表格。

根據(jù)溫度電阻分度表，將表格儲(chǔ)存在STM32控制芯片的ROM，從而建立了溫度值T[i]和電阻值R[i]的對(duì)應(yīng)關(guān)系。插值示意圖如圖4所示。

圖4 插值示意圖

溫度初值Tn的計(jì)算公式為：

(6)

②利用牛頓迭代法計(jì)算出優(yōu)化溫度值。

鉑電阻工作溫度在-200～0 ℃時(shí)，Pt100 傳感器阻值與溫度的關(guān)系如式(1)所示。式(1)是關(guān)于溫度的四次方程直接公式(卡爾達(dá)諾公式)，而且求解非常復(fù)雜，有效值需要開(kāi)立方運(yùn)算，計(jì)算量非常大。

當(dāng)工作溫度在 0～850 ℃時(shí)，Pt100 傳感器電阻值與溫度的關(guān)系如式(2)所示，進(jìn)而求出如式(7)所示的關(guān)系式。

(7)

式中：A=3.908 3×10-3；B=-5.775×10-7；C=-4.183×10-12；Rt為測(cè)得的實(shí)際電阻值；R0為初始電阻值。

在步驟①中，利用查表插值法計(jì)算出近似溫度，由圖4可以看出橫坐標(biāo)電阻值和縱坐標(biāo)溫度關(guān)系呈現(xiàn)出一條直線，即絕對(duì)的線性關(guān)系。但從式(1)為四次方多項(xiàng)式、式(2)為二次方多項(xiàng)式可以看出，鉑電阻的阻值與實(shí)際溫度的關(guān)系不是絕對(duì)的線性關(guān)系。假如利用式(7)開(kāi)平方運(yùn)算計(jì)算實(shí)際溫度，計(jì)算復(fù)雜且效率低，需要計(jì)算定點(diǎn)數(shù)開(kāi)平方運(yùn)算或是開(kāi)立方運(yùn)算。牛頓迭代法可以解決這些復(fù)雜運(yùn)算[9]，常見(jiàn)的有簡(jiǎn)化牛頓迭代法、牛頓迭代下山法、Nowton-like法、弦位法等[10]。首先利用查表插值法計(jì)算出近似溫度值，然后代入相應(yīng)的牛頓迭代公式，反復(fù)校正這個(gè)相似值以滿足迭代精度，即可以得出優(yōu)化溫度值。

當(dāng)工作溫度在-200～0 ℃時(shí)，利用牛頓迭代下山法求解其優(yōu)化值。

定義函數(shù)1:

f(t)=Rt-R0[1+At+Bt2+C(t-100)t3]

(8)

對(duì)函數(shù)1求導(dǎo)：

f′(t)=-AR0-2BR0t+300R0t2-4CR0t3

(9)

(10)

式中：λk為下山因子，一般取值范圍為0 ≤λk≤1。通過(guò)試選的方法來(lái)確定λk，一般λk可試選為1、0.5、0.25、0.125或0.062 5。公式經(jīng)過(guò)反復(fù)迭代，使f′(t*)≠0,即t*是單根的情況，f″(t)存在并連續(xù)，從而有界。只要t足夠靠近t*，|f(t)|就足夠靠近0。選取適當(dāng)?shù)南律揭蜃樱淠康氖鞘箌f(Xk+1)|<|f(Xk)|成立。這種通過(guò)非線性方法轉(zhuǎn)換成線性方法求解未知數(shù)的方法稱為牛頓迭代下山法。

當(dāng)工作溫度在 0～850 ℃時(shí)，利用一般牛頓迭代法求解。

定義函數(shù)2：

f(t)=Rt-R0(1+At+Bt2)

(11)

設(shè)tn是f(t)=0 精確解附近的一個(gè)猜測(cè)解，把f(t)在tn處作一階泰勒展開(kāi)，即：

f(t)≈f(tn)+f′(tn)(t-tn)

(12)

得到如下近似方程：

f(tn)+f′(tn)(t-tn)=0

(13)

設(shè)f′(tn)≠0，則式(6)解為：

(14)

取t′作為原方程新的近似解tn+1，則：

(15)

式(12)又被稱為一般牛頓迭代公式。

3.2 主程序流程

STM32系列單片使用C語(yǔ)言編寫(xiě)程序，它的IAR 調(diào)試特性很好，具有良好的智能化控制特性，在完成系統(tǒng)初始化之后馬上進(jìn)入低功耗模式。初始化主要有：設(shè)定處理器硬件頻率為72 MHz，系統(tǒng)時(shí)鐘頻率為72 MHz，AHB總線頻率為 72 MHz，APB1、APB2總線頻率為 72 MHz；GPIO 端口初始化配置，設(shè)置 STM32 與主控板通信的 SPI1接口和與 ADS1248 通信的 SPI2 接口為普通 I/O 模式；DAM初始化，即對(duì)系統(tǒng)中斷、看門(mén)狗、SPI 接口等進(jìn)行初始化。這里的低功耗模式選擇待機(jī)模式：電壓調(diào)節(jié)器關(guān)閉，整個(gè)1.8 V區(qū)域斷電；CM3處理器停止運(yùn)行，CM3的內(nèi)部外設(shè)停止運(yùn)行；STM32的PLL、HSE、HSI被關(guān)斷；SRAM和寄存器內(nèi)的內(nèi)容丟失；備份寄存器的內(nèi)容保存。單片機(jī)用定時(shí)器中斷來(lái)啟動(dòng)CPU。先對(duì)MCU、單元接口、線路等進(jìn)行電路連接檢測(cè)，如果檢查不正常，在上位機(jī)上顯示故障報(bào)警信息；如果檢查正常，直接進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換。然后進(jìn)入 ADC中斷，在中斷中利用查表插值法求得初值，進(jìn)而用牛頓的迭代法優(yōu)化溫度精確度。至此，一次采集完成，在上位機(jī)上顯示溫度，并將溫度數(shù)據(jù)儲(chǔ)存入SD卡以便于以后檢查。 主程序流程如圖5所示。

圖5 主程序流程圖

4 測(cè)溫效果分析

在完成硬件和軟件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，把溫度傳感器部分放進(jìn)高精度的密閉試驗(yàn)槽中，在30～300 ℃的范圍內(nèi)，制定了10個(gè)參考點(diǎn)，設(shè)定試驗(yàn)槽溫度每隔 30 ℃變化。當(dāng)試驗(yàn)槽的溫度穩(wěn)定在一定的有效區(qū)間時(shí)，進(jìn)行溫度測(cè)試試驗(yàn)，起始值為30 ℃。當(dāng)試驗(yàn)箱的電阻值改變時(shí)，箱內(nèi)的標(biāo)稱溫度也發(fā)生了改變。鉑電阻測(cè)溫結(jié)果及誤差如表1所示。

表1中的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)表明，所設(shè)計(jì)的Pt100溫度傳感器系統(tǒng)具有良好的穩(wěn)定性和魯棒性。該裝置的測(cè)量精度能夠達(dá)到±0.01 ℃，可實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)溫，同時(shí)也證明了查表差值和牛頓迭代相結(jié)合的有效性。這表明該測(cè)溫裝置適用于測(cè)溫精度要求較高的工作環(huán)境。

表1 鉑電阻測(cè)溫結(jié)果及誤差

5 結(jié)束語(yǔ)

該高精度測(cè)溫裝置是一種基于ADS1248的高精度Pt100測(cè)溫系統(tǒng)，并且采用四線制測(cè)溫方法。理論分析和實(shí)際測(cè)溫試驗(yàn)結(jié)果表明：選用的STM32系列單片機(jī)電路簡(jiǎn)單可靠，并且可將測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)儲(chǔ)存在Flash儲(chǔ)存器。在算法方面，采取查表差值法和牛頓迭代法相結(jié)合的方案對(duì)數(shù)據(jù)優(yōu)化精確度。該裝置不僅廣泛適用于超低溫制冷柜溫測(cè)、溫控制，而且可應(yīng)用于在惡劣環(huán)境中的石油井下高精度測(cè)溫以及導(dǎo)彈或飛行器在工作過(guò)程中的關(guān)鍵部件溫度測(cè)試。該高精度溫度測(cè)量系統(tǒng)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)和航空航天領(lǐng)域有更廣闊的應(yīng)用前景。

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Design of the High Precision Temperature Measuring Device Based on ARM and ADS1248

WANG Jinlong,WANG Anmin,ZHAO Jing,LIU Shichao

(Mechanical and Electronic Engineering Laboratory of Mechanical and Electrical Engineering College,Qingdao University of Science & Technology，Qingdao 266061，China)

In order to realize the high precision collection of the temperature parameters of the critical parts in the medical refrigeration cabinet under ultra-low temperature environment,a multi-channel high-precision temperature measuring device is designed.The device is designed based on high precision dedicated temperature measurement A/D chip ADS1248;the STM32 series MCU with high efficiency Harvard structure is selected as the control core;the Pt100 platinum resistance is used as the temperature sensor;the four-wire method is used for temperature measurement.In the measurement method of external reference voltage,a high precision reference resistor is used,so that the accuracy of Pt100 can be improved.The 24-bit ADS1248 integrated chip is selected,which includes PGA amplifier,constant current source,etc.,thus the higher resolution is met,while the device is simplified,and the efficiency is enhanced.The nonlinearity of Pt100 is optimized by the combined method of table look up method for difference,and Newton iteration method.Its accuracy is improved.The temperature parameters are stored in Flash memory.Test results show that in the temperature range of 30～300 ℃,the accuracy of the device is up to±0.01 ℃,and it can meet the accuracy requirement of medical facility under ultra-low temperature environment.

Intelligent control; Embedded system; A/D conversion; Temperature measuring device; Four-wire measurement; Platinum resistance

王金龍(1988—)，男，在讀碩士研究生，主要從事機(jī)電系統(tǒng)計(jì)算機(jī)控制、機(jī)電一體化方向的研究。 E-mail:978601153@qq.com。 王安敏(通信作者)，男，博士，教授，主要從事機(jī)電一體化、機(jī)電系統(tǒng)計(jì)算機(jī)控制及計(jì)算機(jī)輔肋測(cè)試技術(shù)(CAT)的研究。 E-mail: 1049775677@qq.com。

TH811；TP212

A

10.16086/j.cnki.issn1000-0380.201708017

修改稿收到日期:2017-03-16