基于RF SOI CMOS工藝高線性低功耗LNA設計

何 全，陳忠學，2，章國豪

（1．廣東工業大學 廣東 廣州 510006；2．廣州鈞衡微電子科技有限公司 廣東 廣州 510006）

基于RF SOI CMOS工藝高線性低功耗LNA設計

何 全1，陳忠學1，2，章國豪1

（1．廣東工業大學 廣東 廣州 510006；2．廣州鈞衡微電子科技有限公司 廣東 廣州 510006）

基于IBM公司的0．18 μm RF SOI CMOS工藝，設計了一款應用于S波段的高線性低功耗低噪聲放大器。在傳統共源共柵拓撲結構的基礎上，本文提出使用有源偏置電路、級間匹配網絡和并聯反饋結構，使設計的放大器具有噪聲低、線性度高和功耗小等特點。仿真結果表明，該放大器在2．3～2．7 GHz頻段，電源電壓為 1．8 V，功耗為 9．8 mW 的條件下，噪聲系數小于 0．8 dB，增益大于 14 dB，輸入回波損耗和輸出回波損耗均大于10 dB，隔離度大于27 dB，輸入三階交調截取點大于15 dBm，滿足無線基礎架構接收器對低噪聲放大器的所有性能要求。

SOI；低噪聲放大器；高線性；低功耗；S波段

近年來，隨著手持智能終端的不斷普及和各種移動應用的蓬勃發展，移動數據流量呈現爆炸式增長，數據傳輸率也不斷提升。為了應對巨大的移動數據業務和高速率數據傳輸率的要求，目前應用于無線通信的頻譜資源已經進入到S波段（2～4 GHz），如無線局域網 （WLAN） 和移動通信（LTE，WCDMA，TD-SCDMA）等[1]。

為了支持各種無線通信標準和眾多移動應用，這就不可避免地給手持智能終端提出更加嚴格的要求，特別是射頻前端組件。低噪聲放大器（LNA）是射頻前端無線基礎架構接收器的一個關鍵模塊[2]，它的性能直接影響并決定著接收器的靈敏度和動態范圍，必須滿足低噪聲、高線性度和無條件穩定等關鍵要求[3-4]?！?br>