曹艷芬,宋慶軍,閆 凱
淺析電鍍金剛石線在切割硅材料中的應用
曹艷芬,宋慶軍,閆 凱
(濟寧半導體及顯示產品質量監督檢驗中心,山東濟寧 272000)
電鍍金剛石線在硅材料切割中應用廣泛,但國內技術工藝尚不成熟。文章就電鍍金剛石線鋸的工藝技術、結構,切割后硅片的處理等方面進行了綜述,分析了國內電鍍金剛石線鋸切割的應用現狀和發展前景。
電鍍金剛石線;切割;硅材料;應用現狀
硅材料是目前最主要的光伏材料,具有熔點高、硬度大、有脆性、化學性質相對穩定的特點。目前可做太陽能電池材料的硅材料包括單晶硅、多晶硅、非晶硅。然而單晶硅、多晶硅材料都屬于硬脆材料,加工難度大,材料成本高,加工表面質量要求高。硅材料的應用需經歷截斷、開方、切片等多種切割加工工序,加之隨著科學技術的不斷發展,硅片制造技術向直徑越來越大、厚度越來越小、需求量越來越大的方向發展,因此完善硅材料的切割技術就顯得尤為重要。
行業內對硬脆性材料的切割主要有以下要求 :高效率、低成本、窄切縫(材料利用率高)、損傷小、對環境污染小[1]。而目前電鍍金剛石切割線廣泛應用于硅材料切割中。避免切割過程中材料的損傷、提高材料的成品率是切割硅材料等硬脆材料的難點。本文主要綜述通過改變電鍍金剛石切割線的制備工藝、結構等方式克服切割的難點,分析了電鍍金剛石切割線在硅材料切割中的應用現狀,并對金剛石切割硅材料的前景進行分析。
2.1 電鍍金剛石切割線
電鍍金剛石切割線就是以金屬為結合劑,通過金屬的電沉積作用把金剛石磨料固結在芯線基體上而制成的一種線性切割工具,也是目前硅材料切割中主要使用的一種切割工具。硅片切割技術經歷了最初的外圓片切割到內圓片切割,再到技術較為成熟的游離磨料砂漿線鋸切割和固結磨料線鋸切割[2]。固結磨料線鋸切割就是將固體磨料固結在母線上,其磨料主要包括金剛石磨料和樹脂。而電鍍金剛石切割線是金剛石切割線固結磨料的一種形式。相對于樹脂結合劑切割,電鍍金剛石切割具有耐熱性強,基體對金剛石顆粒的把持力大的特點,廣泛應用于硅晶體材料、寶石等貴重硬脆材料的加工中。但電鍍金剛石切割線使用壽命較短,因此,制造出更加持久、耐用、性能優異的金剛石切割線是當前研究的一個重要方向。
2.2 電鍍金剛石切割線的主要指標參數
電鍍金剛石切割線的主要指標參數包括:線徑大小、均勻性,磨料的形狀規格,鍍層對磨料的把持力、鍍層與基體的結合力等參數。這些參數直接影響金剛石切割線的性能。眾所周知,在一定程度上,金剛線的線徑越小,對切割材料的損傷越小,但同時會犧牲其機械強度,降低切割效率。2015年,國內金剛石線線鋸直徑的技術水平在0.1mm,而日本市場上已經出現了0.09mm、0.08mm的線鋸。目前,國內市場上0.08mm線徑的線鋸大都是依賴國外進口母線進行再加工。因此,為控制好金剛石線鋸的性能,研究者們在各個領域針對各種指標參數,做了諸多的研究。
2.3 電鍍金剛石切割線在切割硅材料中的研究
2.3.1 電鍍金剛石切割線的研究
高玉飛[3]研究了電鍍金剛石鋸絲的磨損形式,提出磨粒脫落為主要的磨損形式并通過提高磨粒的把持力而防止磨粒脫落,進而提高鋸絲的壽命。另外還探討了鋸絲切入方向與被鋸切晶體面的關系,提出鋸切單晶硅材料(100)等各晶面時,首選鋸絲切入方向。通過研究往復式電鍍金剛石線鋸加工單晶硅材料的鋸絲速度、工件進給速度、切削液和總厚度偏差等對表面形貌、表面粗糙度、翹曲度等的影響,提出了鋸絲磨損的形態和機理。李志強[4]等研究了鋸絲運動速度、工件進給力、鋸切力對單晶硅的工件質量影響,發現鋸絲運動速度增加,鋸切力減小,工件進給力增大,鋸切力增加。吳平[2]還研究了電鍍液配方、電流密度、鍍液p H值、試劑等對鍍層硬度、柔韌性、結合力和內應力的影響,并且試驗得出了最佳電鍍參數。
研究者們還通過改變金剛石線的結構形式來克服傳統線鋸壽命短、切割效率低的問題。F.Sehmid[5]等人研究了一種成形鋸絲,制造出了淚滴型線鋸,試驗表明該線鋸具有較高的穩定性,提高了材料的利用率。石川憲一[6]將線徑0.1mm的兩根鋼琴線絞合后,通過二次電鍍將直徑為30~40μm的金剛石顆粒電鍍在其表面,做成截面是傳統鋸絲截面50%,扭曲強度可達3倍于、切割效率2倍于傳統線鋸的絞合金剛石線鋸,如圖1所示。

圖1 絞合金剛石線鋸Fig.1 Twisted diamond wire saw
河北工程大學李海強[7]制作了三絲絞合電鍍金剛石線鋸。研究表明,在切割多晶硅硅錠時,三絲線鋸較國產傳統的單絲線鋸的鋸切表面質量好,切割能力強。但在較高的進給速度下,三絲線鋸的磨損嚴重(如圖2所示)。

圖2 三絲絞合金剛石線鋸Fig.2 Three wire twisted diamond wire saw
將固結金剛石鋸絲接成環,通過導輪實現循環切割,稱為環形固結金剛石線鋸加工技術。環形鋸絲的整個長度都參加切割,鋸絲使用率高,鋸切過程中無慣性力。山東大學孟劍鋒[8]設計制造了環形電鍍金剛石線鋸,研究了鋸絲速度、進給力、材料性質對材料的去除率、鋸切力、加工表面粗糙度、加工表面損失層及鋸絲磨損的影響。研究得出環形電鍍金剛石線鋸的加工表面質量好于往復式線鋸;恒進給壓力下,鋸絲速度提高,切向鋸切力減小,粗糙度值降低,單晶硅線鋸加工損傷層厚度減小,但變化均較小,還在進行正交試驗下找出最佳工藝參數的研究。
目前,國內硅材料切割使用的電鍍金剛石線鋸多是復合電鍍鎳-金剛石的方法、采用瓦特型鍍液制造的,是線徑為0.08mm、金剛石顆粒大小為3~5μm的、密度每平方毫米內約8個金剛石顆粒的線鋸。
2.3.2 切割后硅片的研究
對于切割后硅片的研究主要通過掃描電子顯微鏡進行微觀形貌觀察,看切片切面是否平整即表面的粗糙度及有無嚴重的崩碎現象。但經進一步的研究表明,金剛石切割線切割后的硅片上存在難以去除的切割紋(如圖3所示),一定程度上使硅片表面的反射率高,不能達到太陽能電池生產的標準。

圖3 金剛石切割線切割后的切割紋Fig.3 Cutting surface after diamond wire cutting
南昌大學孟虹辰[10]研究了金剛石線鋸切割多晶硅片沿切割紋方向和垂直切割紋方向的力學性能,發現經化學腐蝕拋光處理后的切割顯著提高了硅片的臨界應變,特別是富硝酸體系溶液制絨、提高過程溫度、退火處理均能提高多晶硅片的臨界應變,改善其抗斷裂性能。南昌大學李妙[9]采用多種制絨方法處理金剛石線鋸切割多晶硅片的表面形貌,以期提高金剛石切割硅片的反射率。研究表明氣相蝕刻方法可以完全消除硅片表面的切割紋,制絨后所得絨面具有很好的減反射效果,反射率最低可達12%。南昌大學劉小梅[11]研究了酸體系制絨、堿體系制絨和氣體刻蝕法制絨等,得出采用基于加熱蒸發的酸混合溶液體系的氣相刻蝕可以去除切割紋,降低光反射率的結論。
由此可見對硅片進行化學腐蝕拋光處理、蝕刻制絨、退火處理均可以有效改善晶體硅材料表面的裂紋影響,從而改善硅片的抗斷裂性能。
電鍍金剛石線鋸由于其制造成本低、線鋸直徑小等特點,現已廣泛應用于硅材料的切割加工。
我國對金剛石切割線的需求量大,研究尚處于發展階段,還需要針對下述領域進一步展開研究,找準突破:
(1)對金剛石線鋸使用前后鍍層的內部結構變化進行分析研究,找準線鋸失效的主要原因,進一步反推對鍍層工藝研究的把控。
(2)對切割前后的硅材料結構進行細致分析,找出表面損傷機制,進一步把握金剛石線鋸的研究方向。
(3)設計高性能電鍍金剛石線鋸與制備技術,特別是制備工藝流程的設計,攻關克難,找出技術突破口,做出高效精密的國產線鋸。
綜上所述,國內的金剛石線鋸產品盡管存在把持力低、壽命短的缺點,但通過對磨損形式的機理分析、對生產工藝參數的研究分析、對硅片材料的處理,可以在一定程度上改善電鍍金剛石線鋸在硅材料中的應用,但與國際上的技術差距還很大。我國對金剛石線鋸的研究較晚,我們要認清形勢、找準差距、厚積薄發,相信金剛石線鋸技術的發展追趕上日本等技術發達國家指日可待。
[1] 高偉,劉鎮昌,Philip Bex,等.超硬磨料在硬脆材料切割中的應用[J].金剛石與磨料磨具工程,2001(3):26-29.
[2] 吳平.電鍍金剛石切割線鍍層性能及其切割能力的研究[D].青島科技大學,2013.
[3] 高玉飛.電鍍金剛石線鋸切割單晶硅技術及機理研究[D].山東大學,2009.
[4] 李志強,張棟,曹曉彥,等.電鍍金剛石線鋸切割單晶硅的試驗研究[J].內江科技,2013,34(5):49-49.
[5] F.Schmid,M.B.Smith,C.P.Khattak.Kerf Reduction Using Shaped Wire[C].Conference Record of the IEEE photovoltaic Specialists Conference,1993:205-208.
[6] 石川憲一.金剛石電沉積絞合線鋸的開發[J].超硬材料工程, 2004,16(2):34-38.
[7] 李海強.三絲絞合電鍍金剛石線鋸切割晶體硅的性能研究[D].河北工程大學,2014.
[8] 孟劍峰.環形電鍍金剛石線鋸加工技術及加工質量研究[D].山東大學,2006.
[9] 李妙.金剛石線鋸切割多晶硅片表面特性與制絨方法研究[D].南昌大學,2014.
[10] 孟虹辰.金剛石線鋸切割多晶硅片力學性能及其改善[D].南昌大學,2014.
[11] 劉小梅.金剛石線鋸切割多晶硅片的表面性質與刻蝕制絨方法研究[D].南昌大學,2014.
Brief Analysis of the Application of Electroplated Diamond Wine in Silicon Material Cutting
CAO Yan-fen,SONG Qing-jun,YAN Kai
(Jining Quality Supervision and Inspection Center of Semiconductor and Display Products,Jining,Shandong 272000,China)
Electroplated diamond wire is widely used in silicon material cutting,but the technology is not mature yet in china.The technology and structure of electroplated diamond wire and the wafer processing after cutting and some other aspects have been reviewed.Meanwhile,the application status and development prospect of the electroplated diamond wire in China has been analyzed.
electroplated diamond wire;cutting;silicon material;application status
TQ164
A
1673-1433(2017)04-0048-03
2017-06-12
曹艷芬(1982-),女,工程師,碩士研究生,從事半導體及顯示產品的檢測、研究工作。
曹艷芬,宋慶軍,閆凱.淺析電鍍金剛石線在切割硅材料中的應用[J].超硬材料工程,2017,29(4):48-50.