這里是我和氮化鎵成長的沃土

○文 徐科

2006年8月，我第一次來到蘇州工業園區的獨墅湖畔，這里正在籌建中國科學院蘇州納米所。幾天后我聯系上了畢業后一直在蘇州工作的大學同學，告訴他我來蘇州了，在獨墅湖這邊。

他很驚訝：“你在那里干什么啊，那邊都是水稻田。”我們那個時候臨時在獨墅湖圖書館辦公，然后搬到了仁愛路上的南京大學蘇州研究院，并有了臨時實驗室。

來蘇州工業園區不到兩周，我就感覺到了這里的不一樣，從園區領導到一線人員，大家做事風風火火、爭分奪秒，充滿了激情。那個時候籌建中的蘇州納米所也提出了“一邊建設、一邊科研”，園區更鼓勵研究所能夠將科研人員成果盡快產業化。

我從1995年讀博士的時候就開始從事氮化鎵半導體材料的研究，氮化鎵的化學符號是GaN，一般大家讀為“干”。 到蘇州的時候我從事這個領域的已經研究20年了，受到園區氛圍的影響，所以下決心要好好干一番，瞄準產業界的難題“氮化鎵單晶襯底”開始出發，創辦了蘇州納維科技有限公司。

今天來看，第三代半導體已經被認為是支撐未來智能時代發展的基礎材料，是我們目前提出的物聯網、5G通信甚至到萬物互聯全面發展所必須的半導體材料，以GaN為代表的第三代半導體材料在照明、顯示、通信、電力等產業領域的創新發展有著舉足輕重的戰略地位。

過去的10年是氮化鎵發展最快的10年，也是氮化鎵半導體技術在蘇州園區生根發芽的10年，很多同事和朋友都說我趕上了個好時候。確實如此，從我們創辦蘇州納維科技有限公司向氮化鎵單晶材料發起沖鋒的時候，蘇州工業園區出臺了“科技創新創業領軍人才”項目，我有幸成為第一批科技領軍人才，獲得了項目啟動資金和園區風險投資基金的支持，隨后又獲得蘇州市的首屆姑蘇人才項目支持。

回頭看一下我來蘇州的12年，正是園區產業轉型升級的12年，正是堅定推進科技領軍人才政策的12年，歷盡艱難終于打造出獨具特色的納米技術產業和生物醫藥產業，近年來又在向人工智能等領域延伸發展。盡管這些科技領軍企業的產值還不高，但是在眾多的細分領域已經出現了隱形冠軍，技術和產品具備了國際競爭力，逐步涌現出獨角獸企業，一片高科技產業的森林已經郁郁蔥蔥了。

我們2007年從生產設備的自主研發開始，解決了氮化鎵單晶材料生長的系列難題，研發成功了2英寸氮化鎵單晶材料并推向了市場。近兩年蘇州納維分別研發出4英寸和6英寸GaN單晶襯底，從材料質量和晶圓尺寸上全面走到國際前列。

蘇州納維是目前國際上僅有的三家能夠批量生產2英寸氮化鎵單晶材料并擁有4—6英寸生長技術的公司，而且是國際上唯一一家提供2英寸以上半絕緣氮化鎵單晶襯底的公司，得到了國內外產業界和學術界的矚目。

千里之行始于足下，蘇州納維厚積薄發，正在為下一個10年打造千億量級的產業群而揚帆奮進。