我國第三代半導體材料制造設備取得新突破

【本刊訊】863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題近日通過了技術驗收。通常，國際上把碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯。

在國家863計劃的支持下，由新疆天科合達藍光半導體有限公司牽頭，中科院物理研究所、半導體研究所、浙江大學等單位共同參與的研發團隊成功研制了滿足高壓SiC電力電子器件制造所需的4-6英寸SiC單晶生長爐關鍵裝備，形成了我國具有自主知識產權的4～6英寸SiC單晶生長爐關鍵裝備體系。

滿足高壓電力電子器件制造所需的4～6英寸通用型SiC單晶生長爐及其配套生長工藝的成功研發，有效促進了碳化硅襯底、外延、器件等制造技術的進步，提高了國內碳化硅產業鏈的整體設計能力和制造水平，對推動第三代半導體材料、器件產業發展，降低產業鏈成本，提升我國寬禁帶半導體產業的核心國際競爭力具有重要的現實意義。