何志勇
(貴州省地質礦產勘查開發局114地質大隊,貴州 遵義 563000)
傳統的大地電磁法(MT)和音頻大地電磁法(AMT)場源信號微弱、易受周邊環境影響,難以有效的對礦山資源進行勘查。可控源音頻大地電磁法(CSAMT)是一種通過測量卡尼亞電阻率和相位的電磁探測技術,具有探測深度大、抗干擾性強等優勢。本文以湖南省南岳傳奇小鎮礦山資源勘查為例,論述該方法在礦山地質勘查中的應用。
CSAMT法是一種通過使用人工控制場源以獲得更佳探測效果的電磁測深法。該方法通過改變發射源的發射頻率進行測深,通過測量相互正交的電場和磁場分量計算卡尼亞視電阻率。

CSAMT法所使用的人工場源分為磁性源和電性源。其中磁性源是在不接地回線或線框中,供以音頻(n×10-1~n×10-3Hz)電流,產生相應頻率的電磁場。電性源是在有限長(1km~3km)的接地導線中供以音頻電流,產生相應頻率的電磁場,通常稱為電偶極。電性源的收發距離可達十幾公里,探測深度大。
CSAMT法常采用電偶源,旁側觀測裝置。一般要求場源和測深點之間的距離要達到3~5倍的趨膚深度,(,其中δ為趨膚深度、ρ為探區內預期的平均電阻率,f為工作頻率)。在平行于場源中垂線兩邊張角各30°的扇形區域內逐點觀測電場分量EX和與之正交的水平磁場分HY振幅和相位,進而計算卡尼亞視電阻率和阻抗相位。
主要儀器為V8多功能電法工作站,采用裝置為TM標量測量模式。測量前依測線方向面共設2個發射電偶極子。其中A1B1(2—2線、4—4線)布設于測區東南面約13.5km范圍內。電偶極子方向與測線方向相同(44°);A2B2(6—6線用)布設于測區東北面約15.0km范圍內,電偶極子方向與測線方向相同(122°)。測量參數如下:收發距r=13.4、13.8、15.1km;發射偶極距A1B1=1240m、A2B2=1300m;接收偶極距MN=50m;測點距=25m;最低工作頻率1Hz;最高工作頻率9600Hz;發射電流為5A~16A。
采用CMT PRO數據預處理軟件讀入野外采集數據,生成視電阻率、阻抗相位。根據預處理數據得出背景模型斷面,選定適宜的反演擬合參數進行多次疊代,最終得出不同深度的擬電阻率斷面模型。
勘查區域地勢平緩,西北高、東南低,平均海拔為100m,崗丘間地段多因切割沖刷而形成小溪谷。衡山東南坡溪流發育良好,地表徑流穩定,多為丘陵地貌。
勘查區域附近出露礦層主要為第四系(Q)和衡山花崗巖體(νξγ52-a)。其中花崗巖體周邊出露有白堊系上統戴家坪組(K2d)、青白口系冷家溪組二段(Pt1n2)。通過分析周邊現有地層分布,推斷衡山花崗巖體侵入礦層為侏羅系至青白口系之間。
此次勘查區域處于北東向衡陽至株洲斷裂帶內。花崗巖體在形成及后期受構造過程中,礦層應力發生變化,產生斷層、節理裂隙等構造。結合區域調查資料和勘查結果,區域內外北西—南東走向發育有節理裂隙和斷層,東北側山麓等地段均見礦山斷層痕跡。

圖1 卡尼亞電阻率等值線斷面圖

圖2 一維反演擬電阻率斷面圖
根據電性特征及實測數據和反演結果,將反演擬電阻率斷面圖劃分為低阻區和高阻區。測量結果分析如下。
(1)卡尼亞電阻率。由圖1可知,測區三條測線均布設在花崗巖體上,未跨過電阻率存在明顯變化的高低阻地層,礦層及礦層電阻率穩定,電阻率在破碎花崗巖段有所降低。卡尼亞電阻率等值線斷面圖沿剖面方向變化較小。3條測線在進入近區(約128Hz)前均呈高、低相間條帶狀分布,無明顯分段特征。
(2)一維反演。由圖2可知,本測區北東向2—2線、4-4線于垂直方向上呈高—低—高三層電性層,南東向6—6線垂向上分層特征不明顯,由淺至深電阻率逐漸增加。三條測線沿剖面方向存在陡傾斜的脈狀低阻異常。
(3)二維反演。因近地表花崗巖體電阻率和實測卡尼亞電阻率較高,使得截止頻率為1Hz的二維反演結果影響了淺部電阻率變化。因此另選取了近區前截止頻率為256Hz的二維反演結果作為對比。256Hz的二維反演電阻率結果有所偏低,但淺部異常得到突出。垂向上,三條剖面在標高-400m~-800m范圍內均存在近水平層狀低阻異常;剖面方向上各脈狀低阻異常明顯。分析過程中以256Hz二維反演結果為準,對比一維反演結果、1Hz二維反演結果,綜合確定異常位置。
(1)節理裂隙發育方向。物探區內斷裂隙構造(衡陽—株洲大斷裂)走向沿南西—北東向發育。花崗巖質硬性脆,應力作用下節理裂隙發育存在與主構造走向方向相交的一組。物探依據3條測線脈狀低阻異常分布,推測出3條主要節理裂隙帶(J1、J2、J3),方向為北西—南東向,傾角較陡。其中4—4線41號點北約60m取水鉆孔(ZK1)驗證了J2節理裂隙帶。
(2)反演異常特征及推斷。含水節理裂隙帶和斷層破碎帶均反映為脈狀低阻異常。2—2線57號點、4—4線65號點的脈狀低阻異常較明顯。
(1)比對兩次反演結果可以推定:第一次觀測原始數據(卡尼亞電阻率)與本次相近,兩次觀測數據質量均可靠,在異常形態上存在一定差異。第一次反演結果與本次一維反演結果相類似(低阻異常的位置、形態大致相同)。
(2)推測地層結構為:上部花崗巖厚度在500m左右,下部標高-400m~-800m間低阻層為青白口系中某一電阻率較低變質巖,平均厚度為400m,其下仍為電阻率較高的青白口系變質巖。工作區內花崗巖在巖珠外圍呈巖脈侵入到青白口系變質巖中。
(3)本次物探顯示3條裂隙(J1、J2、J3)發育標高多在-400m以上;斷層(F1)規模相對最大、發育深度最深。推測可能穿過標高-400m~-800m間的低阻層,傾向北東,傾角約81°。