阮建新,肖培磊
(中國電子科技集團公司第五十八研究所,江蘇無錫 214072)
在模擬電路中,能夠提供穩定的電壓或者電流的基準是必不可缺的;基準的精度、溫漂、電源抑制比等指標直接影響了整個電路的特性[1]。本文首先闡述了常規的帶隙基準結構,在此結構的基礎上提出了一種新型的無運算放大器的基準結構。相比于常規結構,該電路結構簡單,有較低的溫度系數和較高的電源抑制比特性。
由于三極管的基級和集電極的電壓Vbe是一個負溫度系數的參數,兩個電流濃度不同的三極管的Vbe相減可以得到一個熱電勢VT,VT是一個正溫度系數的參數,因此將Vbe和VT兩個參數按照一定的比例相加,就可以得出一個和溫度無關的電壓VREF。具體推導公式[2]如下:

將式(1)的兩邊分別求導,可得:

從以上等式可以得出基準電壓公式如下:

圖1是常規的帶隙基準結構[1],M 1、M 2、M 3組成電流鏡,Q1和Q2是發射級面積成比例的三極管,運放用來嵌位A、B兩點電壓,在R1上產生PTAT電流,鏡像給R2,然后產生基準電壓VREF。
圖2是常規無運放的帶隙基準結構[2],M 1、M 2、M 3、M 4、M 5組成電流鏡,Q1和Q2是發射級面積成比例的三極管,電流鏡用來嵌位A、B兩點電壓,在R1上產生PTAT電流,鏡像給R2,然后產生基準電壓VREF。
圖1中,由于運放存在失調電壓,會影響基準的精度、電源抑制比等特性,雖然可以通過對運放進行重新設計得到較好的性能,但這會增加設計難度以及引入新的噪聲和功耗;……