高速ADC中具有失調對消的采樣保持電路設計

劉勇聰，王建業，連 振

（空軍工程大學防空反導學院，西安 710051）

0 引言

超寬帶雷達和通信系統的迅速發展對模數轉換器（ADC）采樣速率的要求越來越高。而采樣保持電路（THC）可大幅度提高ADC的動態性能，在設計超高速ADC時，THC是必不可少的部分，其直接決定ADC的采樣速率、帶寬、線性度等性能。隨著采樣速率的增加，ADC內部的失調，尤其是比較器失調越發明顯，嚴重影響ADC整體性能，因此，消除ADC高速采樣時的失調量十分必要。在已有的失調消除技術中，文獻［1-2］介紹了電阻平均失調對消技術，文獻［3］采用電容平均消除失調技術，而文獻［4］則運用綜合電阻、電容平均技術來消除失調，文獻［5］采用數字修調技術消除失調量。本文從THC和比較器結構出發，通過采樣電容存儲失調量，來抵消比較器失調電壓，實現失調對消。相比于已有的失調對消技術，其在電路復雜度上具有明顯優勢，減小了物理實現的難度。并且在綜合性能上，也優于其他失調對消技術。

1 傳統高速ADC中的THC

傳統 THC 有閉環［6］和開環結構［7］，由于閉環結構的反饋電路將限制ADC的采樣速度，高速ADC中的THC一般使用如圖1所示的開環結構：

由S采樣開關，CH保持電容，輸入緩沖A1與輸出緩沖A2共同構成THC。由采樣保持電路陣列組成的預放大電路作為鎖存比較器的前端，可改善ADC對輸入信號的敏感度，減少比較時間，提高速度。傳統Flash ADC前端結構如圖2所示：

傳統ADC結構中，無論是采用電阻，電容平均技術消除失調，還是采用數字修調技術，都需要加入復雜的額外電路，物理實現起來較為困難，功耗也會隨之增加。而本文設計的消除失調的THC在幾乎不增加電路復雜度的前提下，實現了失調對消，并且加入的開關電容電路也幾乎不增加功耗。

2 具有失調對消的THC

2.1 失調對消原理

在設計傳統THC時，需要考慮線性度。而具有失調對消的THC在實現高速采樣和保持的同時，由于采用全差分結構，本身就具有高線性度。其基本結構如圖3所示：

不同于傳統的THC，具有失調對消的THC的保持電容和采樣開關的位置改變，兩級預放大器不僅可提高比較器鎖存速度，而且可通過時鐘控制采樣開關 S1、S2，實現電路工作相位 φ1，φ2的交替變換從而消除電路的失調量。相位φ1時，對輸入信號與失調分量進行采樣放大，而在相位φ2時，只對失調分量進行反向采樣放大，一個時鐘周期中，相位φ1和φ2的輸出累加便可消去電路的失調分量，實現失調對消。

2.2 失調對消過程

通過電路工作相位交替變換，實現電路失調對消的具體過程如下：

電路工作在相位φ1時，開關S1閉合，S2斷開，THC等效電路如圖4所示。THC前級對輸入信號進行采樣放大，后級對失調信號Vioff進行采樣放大，輸入信號Vin存儲在電容CA1和CA2中，失調信號Vioff存儲在電容CB1和CB2中。在相位φ1時，輸出Vout為：

當開關S1斷開，S2閉合，電路工作在相位φ2時，此時THC等效電路如下頁圖5所示。

由于輸入端被短接，此時無信號分量，只對失調分量Vioff進行采樣，由于Vcm被短接，所采樣的失調量Vioff被反向放大，后級對φ1時的采樣信號Vin和失調分量Vioff進行同相傳輸，而對失調分量Vioff進行反向采樣。相位φ2時，輸出Vout等效為：

當相位φ1，φ2交替變換時，對信號Vin和失調分量Vioff都可進行放大，而在相位φ2時，只對失調分量Vioff進行采樣，由于輸入端和Vcm被短接，失調分量被反向放大，結合式（1）和式（2）可知，累加之后的Vout變成了：

由式（3）可知，失調量理論上可被完全消除。

3 失調對消THC的電路實現方法

前級雙差分輸入放大器的電路組成如圖6所示：

其中，交叉耦合MOS電容的引入可以對消密勒電容，減小輸入阻抗。開關S1，S2可通過時鐘控制，從而實現相位φ1，φ2的交替變換。

后級差分輸入放大器組成如圖7所示：

其中，S2的加入可以減少S1閉合時，耦合到輸出端的電荷。為提高電路工作速度，開關S1選擇共源共柵開關電路［8］，開關S2的與之對應相位相反。電路實現如圖8所示。

通過改變MOS管M1的柵壓Vg來控制開關S1。通過引入Cascode結構，可提高M1導通時的電流，加快了后級采樣電容的充電速度。同時，對時鐘信號電壓擺幅的要求也降低了。

4 仿真結果分析

采用UMC 0.18um CMOS工藝，對應用失調對消THC的Flash ADC進行輸入為500 mVp-p，頻率為200 MHz～1 000 MHz的信號在2 GHz時鐘頻率進行仿真。由于Flash ADC一個時鐘周期可以完成一次采樣，所以該ADC采樣速率為2 GS/s。圖9表示不同頻率輸入信號下無雜散動態范圍（SFDR），信號-噪聲和失真比（SINAD）的仿真結果。

仿真結果表明，在2 GS/s的采樣速率下，所得出的SFDR基本穩定在45.0 dB以上，而SINAD在輸入為700 MHz頻率出現最低值，也能達到33.1 dB。

圖10表示有效位數（ENOB）在不同輸入頻率下的仿真結果。

可以看出，不同輸入頻率下的ENOB基本穩定在5.4 bits左右。

通過以上仿真結果可以看出，Flash ADC的動態性能隨輸入信號的變化而基本保持穩定，由此可知失調分量Voff得到了有效的抑制。

為驗證具有失調對消THC對Flash ADC動態性能的提升，選取800 MHz輸入信號時仿真結果與傳統Flash ADC進行對比，仿真結果如表1所示：

表1 與傳統THC仿真結果比較

相比較于傳統ADC，應用失調對消THC的Flash ADC的SFDR，SINAD分別提高了 8.26 dB，3.14 dB，ENOB也提高了0.52 bits。證實了具有失調對消THC對高速ADC動態性能的提高。

與已有的失調對消技術進行比較，THC結構對消的方法也具有一定的優勢。其仿真動態性能參數如表2所示：

表2 與不同失調對消技術仿真結果比較

5 結論

本文介紹了一種具有失調對消的THC結構，該THC不僅可提高ADC的動態性能，而且在實現和功耗上更具有優勢。隨著ADC采樣速率不斷地提高，具有失調對消的THC對進一步提高ADC的采樣速率、動態性能有著非常重要的意義。對于失調失配較為嚴重的多通道ADC，具有失調對消的THC也具有一定的參考意義。

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