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涂層制備方法對(duì)鋯合金表面SiC涂層的影響

2018-06-27 10:16:04王坤
山東工業(yè)技術(shù) 2018年11期

摘 要:本文分別利用熱絲化學(xué)氣相沉積和射頻磁控濺射在鋯合金基體上制備了SiC涂層,利用金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡研究了不同制備方法對(duì)基體微觀組織和涂層表面形貌的影響;利用多功能材料表面性能測(cè)試儀、定氫儀對(duì)涂層結(jié)合強(qiáng)度和基體氫含量進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:與鋯合金原樣相比,熱絲法制備涂層后,基體晶粒尺寸明顯增大,最大達(dá)到50μm左右,同時(shí)氫含量有較大的增加;射頻磁控濺射法制備涂層后基體微觀組織及氫含量沒(méi)有發(fā)生明顯變化;熱絲法制備的涂層呈顆粒堆積形貌,表面較粗糙,射頻磁控濺射法制備的涂層表面總體較光滑,涂層的結(jié)合性能較優(yōu);本研究旨在為鋯合金表面涂層制備方法的選擇提供一定的指導(dǎo)。

關(guān)鍵詞:熱絲化學(xué)氣相沉積;射頻磁控濺射;SiC涂層

DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2018.11.044

碳化硅因其高溫強(qiáng)度大、硬度高、耐磨損性好、抗熱沖擊性好、熱導(dǎo)率大、以及抗氧化性強(qiáng)和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良性能,被廣泛應(yīng)用于航天、化工、電子等領(lǐng)域,在高溫結(jié)構(gòu)部件和新型電子元器件等方面有巨大的發(fā)展?jié)摿Γ送庥捎诰哂休^小的中子吸收截面,低的固有活性和衰變熱,使其適用于核反應(yīng)堆領(lǐng)域[1-2]。隨著核反應(yīng)堆向高燃耗、高安全性、經(jīng)濟(jì)性方向發(fā)展,對(duì)現(xiàn)有鋯合金性能提出了更高的要求,特別是對(duì)鋯合金耐水側(cè)腐蝕性能提出了更高的要求,因此通過(guò)恰當(dāng)?shù)耐繉又苽浼夹g(shù)在現(xiàn)有鋯合金表面制備SiC保護(hù)層具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

目前,制備SiC薄膜的方法主要分為兩大類:物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積。化學(xué)氣相沉積主要有普通化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、熱絲化學(xué)氣相沉積等;物理氣相沉積主要包括濺射法、離子注入法、分子束外延等[3]。本文利用熱絲化學(xué)氣相沉積及射頻磁控濺射方法在鋯合金基體上制備了碳化硅涂層,研究了這兩種涂層制備方法對(duì)鋯合金基體微觀組織及氫含量、涂層表面形貌和結(jié)合強(qiáng)度的影響。

1 實(shí)驗(yàn)

1.1 試樣制備

Zr-4合金試樣尺寸20mm×20mm×1.5mm;試樣預(yù)處理工序:(1) 400#~1200#水磨砂紙機(jī)械打磨;(2)氧化鋁拋光液機(jī)械拋光; (3)丙酮超聲清洗10min去除油污;(4)無(wú)水乙醇超聲清洗5min。

分別利用熱絲化學(xué)氣相沉積和射頻磁控濺射在Zr-4基體上制備SiC涂層,并對(duì)制備好的涂層試樣進(jìn)行微觀組織、基體氫含量、表面形貌及結(jié)合力分析。

1.2 性能表征

利用金相顯微鏡對(duì)涂層試樣的微觀組織進(jìn)行觀察,采用定氫儀測(cè)定基體的氫含量,利用場(chǎng)發(fā)射S4800掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)涂層表面形貌進(jìn)行分析,利用MFT-4000型多功能材料表面性能測(cè)試儀對(duì)涂層結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行定性分析。

2 結(jié)果與討論

2.1 基體微觀組織的影響

由圖1(a)可知鋯合金基材熱處理工藝為再結(jié)晶退火,晶粒為等軸晶粒,細(xì)小均勻,圖1(b)可知熱絲法制備涂層對(duì)基體微觀組織影響較大,基體晶粒尺寸發(fā)生明顯長(zhǎng)大現(xiàn)象,且晶粒大小不一,最大晶粒尺寸達(dá)到50μm左右,這是由于熱絲法制備涂層時(shí)基體溫升較高,導(dǎo)致基體晶粒明顯長(zhǎng)大,晶粒粗大將直接影響鋯合金性能;圖1(c)可知磁控濺射制備涂層試樣的微觀組織幾乎沒(méi)有發(fā)生變化,這是由于磁控濺射方法制備涂層時(shí)基體溫升較小,因此對(duì)鋯合金基體影響較小。

2.2 基體氫含量變化

鋯合金在反應(yīng)堆運(yùn)轉(zhuǎn)的復(fù)雜環(huán)境下,會(huì)不可避免地吸收氫,當(dāng)吸收的氫超過(guò)其固溶度時(shí),就會(huì)在鋯合金材料內(nèi)部產(chǎn)生片狀或針狀的脆性氫化物,氫化物的析出破壞了α-Zr晶粒的完整性,產(chǎn)生微裂紋或者體積增大導(dǎo)致材料的韌性和強(qiáng)度下降,從而使材料變脆。鋯合金包殼的運(yùn)行溫度低于150℃時(shí),基體中沉淀析出的氫化物呈脆性。因此鋯合金的吸氫與氫脆是威脅燃料元件安全的一個(gè)隱患[4]。因此在制備涂層過(guò)程中應(yīng)盡量減少鋯合金基體的吸氫。

經(jīng)測(cè)試氫含量由大到小依次為:熱絲涂層試樣(0.019%)、Zr-4原樣(0.0016%)、磁控濺射涂層試樣(0.0048%)。磁控濺射試樣氫含量較Zr-4基體還要少,這是由于磁控濺射法制備涂層時(shí)是在真空狀態(tài)下利用離子源轟擊靶材濺射出的離子沉積在基體表面制備涂層的,不會(huì)提供吸氫的環(huán)境,因此在制備過(guò)程中幾乎不會(huì)發(fā)生吸氫現(xiàn)象,而又由于試樣總的質(zhì)量增加,因此表現(xiàn)為氫含量小于Zr-4基體;熱絲法制備涂層時(shí)是利用先驅(qū)體三氯甲基硅烷CH3SiCl3(MTS)為原料, Ar為稀釋氣體,H2為載氣,通過(guò)CH3SiCl3(g)SiC(s) +3HCl(g)制備碳化硅涂層,由于氫氣為鋯合金提供了吸氫環(huán)境,且熱絲法制備涂層時(shí)溫升較高,最終導(dǎo)致涂層后試樣中的氫含量較鋯合金基體有較大的增加,氫含量的增加將對(duì)鋯合金基體產(chǎn)生不利影響。

2.3 涂層表面形貌分析

由圖2(a)和圖2(b)涂層表面掃描電子顯微鏡圖片可知,熱絲化學(xué)氣相沉積法制備的SiC涂層為顆粒堆積形貌,表面較粗糙;射頻磁控濺射沉積法制備的涂層總體較光滑平整,表面局部可觀察到殘留磨痕,沉積顆粒尺寸較熱絲化學(xué)氣相沉積法制備的涂層顆粒小;這是由于熱絲化學(xué)氣相沉積法制備涂層時(shí)基體溫升較高,使得沉積粒子具有更大的能量運(yùn)動(dòng)聚集,最終呈現(xiàn)較大的沉積顆粒形貌。

2.4 涂層結(jié)合力分析

劃痕法是表征膜基結(jié)合力最廣泛、也是研究最多的一種方法[5],本文利用劃痕法對(duì)涂層試樣進(jìn)行結(jié)合強(qiáng)度的測(cè)試,由涂層試樣劃痕聲發(fā)射譜可知,熱絲化學(xué)氣相沉積法制備涂層的結(jié)合力約為12.5N,射頻磁控濺射法制備涂層的結(jié)合力約為18.9N,由此可知射頻磁控濺射法制備的SiC涂層的結(jié)合強(qiáng)度更優(yōu)。

3 結(jié)論

(1)熱絲化學(xué)氣相沉積制備SiC涂層后,鋯合金基體晶粒尺寸明顯長(zhǎng)大,最大達(dá)到50μm左右,同時(shí)伴有氫含量的增加;射頻磁控濺射制備SiC涂層后,基體晶粒尺寸基本不變,不會(huì)發(fā)生額外的吸氫現(xiàn)象。

(2)熱絲化學(xué)氣相沉積制備的SiC涂層表面為堆積顆粒形貌,表面較粗糙;磁控濺射法制備的SiC涂層表面局部有沉積顆粒堆積而成的凸起物,整體較光滑;結(jié)合強(qiáng)度測(cè)試表明:射頻磁控濺射法制備涂層時(shí)可以獲得更優(yōu)的結(jié)合強(qiáng)度。

(3)本實(shí)驗(yàn)中兩種SiC涂層制備方法相比,射頻磁控濺射法由于制備涂層過(guò)程中不會(huì)引起鋯合金基體微觀組織及氫含量的變化且可以獲得較優(yōu)的結(jié)合強(qiáng)度,同時(shí)又具有設(shè)備簡(jiǎn)單、沉積速度快、易于操作等優(yōu)點(diǎn),因此更適合用于鋯合金表面SiC涂層的制備。

參考文獻(xiàn):

[1]王守國(guó),張巖.SiC材料及器件的應(yīng)用發(fā)展前景[J].自然雜志,2011,33(01):42-45.

[2]劉榮正,劉馬林,邵友林等.碳化硅材料在核燃料元件中的應(yīng)用[J].材料導(dǎo)報(bào)A,2015,29(01):1-5.

[3]劉桂玲,黃政仁,劉學(xué)建等.碳化硅表面改性和光學(xué)鏡面加工的研究現(xiàn)狀[J].無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào),2007,22(05):769-774.

[4]史麗聲.鋯及鋯合金的吸氫[J].中國(guó)核科學(xué)技術(shù)研究進(jìn)展報(bào)告(第二卷),2011.

[5]瞿全炎,邱萬(wàn)奇,曾德長(zhǎng),劉正義.劃痕法綜合評(píng)定膜基結(jié)合力[J].真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào),2009,29(02):184-187.

作者簡(jiǎn)介:王坤(1989-),男,河南商丘人,碩士,助理實(shí)驗(yàn)師,主要從事表面處理研究。

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