廖燕玲,李 夢,鐘志賢
(桂林理工大學機械與控制工程學院,廣西 桂林541004)
氮化硅作為一種性能優異的陶瓷材料,具有密度低,硬度高,耐磨損,導熱能力強等優異的物理性能以及抗氧化性,抗腐蝕性(尤其是除了HF外的無機酸)的高化學穩定性能等,因此在機械、電子等眾多領域占據了重要的地位。
目前關于氮化硅的研究已取得了豐碩的成果,文懷興等人[1]研究了氮化硅陶瓷軸承潤滑技術,張傳偉[2]研究了以球磨法在氮化硅表面制備MOS2模,處理氮化硅陶瓷表面還有離子注入法[2]、熱噴涂法[3]、激光刻蝕技術[4]、溶膠-凝膠技術[5]等。徐彬[6]構建了β-Si3N4表面模型并對表面能進行計算,潘洪哲[7]采用超軟贗勢的方法分析了β-Si3N4的電子結構和光學性能,孫美[8]在不同壓力下比較了氮化硅多個結構的性能。
本文采用Materials Studio軟件中基于DTF的CASTEP模塊對β-Si3N4進行建模和結構優化,采用模守恒平面波贗勢方法對β-Si3N4模型的力學性質、動力學性質、熱力學性質進行了計算和分析。
β-Si3N4屬于空間群 C6h,原胞(Si6N8)包含了 2個Si3N4分子,堆垛次序可以表示為ABAB…。本文應用Materials Studio8.0軟件中的CASTEP模塊對β-Si3N4進行建模和優化,優化內容包括晶格參數和原子坐標。優化前的晶胞參數為a=b=7.637A?,c=2.922 A?,α = β =90°,γ =120°,采用模守恒贗勢方法,在倒易K空間中,平面波截斷能通過收斂性測試可定為500eV,交換—關聯能采用的是局部密度近似修正(GGA-PBE),通過測試可設定 K點網格:4×4×12.采用BFGS算法對β-Si3N4晶體進行結構優化,原子價電子中參與計算的為N 2S22P3、Si 3S23P2.
優化后的晶胞參數為 a=b=7.705627A?,c=2.943081A?,α = β=90°,γ =120°.圖 1 為優化前后模型對比,Si-N鍵長發生變化,鍵角不變,結構優化后原子的坐標位置有所調整,優化過程按照最低能量方向進行,使得氮化硅結構更加穩定合理。

圖1 β-Si3N4的結構模型
本文主要基于密度泛函理論的CASTEP模塊進行建模計算,分析了β-Si3N4的力學性質、動力學性質、熱力學性質。
關于六方晶系,獨立的彈性常數有5個,判斷晶體的力學穩定性,根據Born-Huang標準要求:

計算可得β-Si3N4的彈性常數為C11=370.031 GPa,C33=496.176 GPa,C44=97.130 GPa,C12=142.266 GPa,C13=81.183 GPa. 通過計算可知,β-Si3N4滿足Born-Huang標準,可證明其穩定性。
表1為Voigt、Reuss以及Hill方法求得的體積模量和剪切模量的值,Pugh的經驗判斷表示,剪切模量與體積模量的比值(G/B>0.57)可預測材料性質為脆性,反之則為延性,β-Si3N4的G/B=0.58,為脆性材料。表2為楊氏模量和泊松比在各個方向上的值,表明了材料對單軸張量的抵抗變形能力,表中Ex=Ey,這是由于對稱性的存在導致的,Ez比Ex的值約大160 GPa,這表明β-Si3N4在Z軸方向的抵抗彈性形變能力比在X軸更強。

表1 體積模量B(G Pa)和剪切模量G(G Pa)的值

表2 楊氏模量(G Pa)和泊松比在各方向的值
圖2為β-Si3N4的聲子譜,譜線分為0-20.8THz和24.5-34.5THz兩部分。β-Si3N44的原胞有14個原子,理論上聲子譜線一共有42個聲子支,由3條聲學支和39條光學支組成,聲學支包括1條縱聲學支LA和2條橫聲學支TA組成。在24.5~34.5 THz范圍聲子譜線交疊現象較為明顯,該范圍的原子相似振動狀態較為嚴重,它們之間可能存在相互作用。聲子譜中存在禁帶,說明β-Si3N4的振動模不連續,此處對應的振動頻率并不在晶體中發生。聲子譜中無虛頻,滿足動力學穩定性。

圖2 β-Si3N4的聲子譜
圖3 的聲子態密度(Full)中的間斷與聲子譜中的帶隙寬度相對應。聲子態密度圖中存在尖峰,尖峰越明顯,對應聲子譜中的譜線越平緩,頻率在25 THz處,晶體的晶格波振動最強烈。“Si”和“N”曲線為隨機選取的單個原子的聲子分態密度圖。在0~16 THz區域Si和N原子態密度對總態密度貢獻相似,16~20.8 THz區域Si原子的態密度貢獻較多,24.5~34.5 THz區域N原子的態密度的貢獻較多。

圖3 β-Si3N4的聲子態密度圖
圖4 中曲線①的縱坐標為溫度與熵(S)的乘積,熵是體系中分子運動無序性量度。該曲線中溫度與熵的乘積隨著溫度的增加而單調遞增,斜率逐漸增大,曲線越來越陡。這是因為溫度增加影響到晶體內原子的運動,溫度上升越快,原子運動速率越大,原子運動劇烈。
曲線②的縱坐標為焓(H),焓是表征物質的系統能量的重要度量。

當溫度上升時,粒子動能增加,體系中的內能U增加,分子熱運動加劇,系統熱膨脹現象明顯,此時PV值也在增大,因此曲線②的焓與溫度的關系曲線呈現上升趨勢。
曲線③的縱坐標為自由能(F),自由能可以表述為熱力學中體系內能中外做功的有用能量。

當溫度升高時,內能升高,熵也增加,熵與溫度的乘積遠遠大于內能的值,溫度越高,其差距越大,自由能的值越低,且恒不大于0.
曲線④表現了熱容量與溫度之間的關系,熱容量隨著溫度增加而遞增,曲線的斜率由大變小,漸漸呈現飽和趨勢,最終趨近于常數。溫度較低時,固體的熱容量是由晶格熱振動和電子熱運動共同作用,熱容量增長較快,溫度較高時,熱容量主要是由晶格熱振動決定,熱容為=42 K,K是常數。

圖4 溫度影響曲線圖
本文主要選取了β-Si3N4作為研究對象,采用Materials Studio軟件中的CASTEP模塊來進行建模。計算得到了5個獨立的彈性常數,根據Born-Huang標準,證明了β-Si3N4滿足力學穩定性,并且計算了彈性模量,判斷β-Si3N4為脆性材料以及在各個方向上的抵抗彈性形變能力;計算得到了聲子譜和聲子態密度,通過聲子譜中不存在虛頻判斷其滿足動力學穩定性,分析了單個原子的聲子態密度對總態密度的貢獻;計算得到了熵、焓、自由能以及熱容量,分析β-Si3N4的熱力學性質。