第三代半導體器件制備及評價技術取得突破

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，具備高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。

“十二五”期間，863計劃重點支持了“第三代半導體器件制備及評價技術”項目。近日，科技部高新司在北京組織召開項目驗收會。項目重點圍繞第三代半導體技術中的關鍵材料、關鍵器件以及關鍵工藝進行研究，開發出基于新型基板的第三代半導體器件封裝技術，滿足對應高性能封裝和低成本消費級封裝的需求，研制出高帶寬GaN發光器件及基于發光器件的可見光通信技術，并實現智能家居演示系統的試制;開展第三代半導體封裝和系統可靠性研究，形成相關標準或技術規范;制備出高性能SiC基GaN器件。通過項目的實施，我國在第三代半導體關鍵的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領域取得突破，自主發展出相關材料與器件的關鍵技術，有助于支撐我國在節能減排、現代信息工程、現代國防建設上的重大需求。

“十三五”期間，為進一步推動我國材料領域科技創新和產業化發展，科技部制定了《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》，將“戰略先進電子材料”列為發展重點之一，以第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點，推動跨界技術整合，搶占先進電子材料技術的制高點。

（來源：http：//www.most.gov.cn/kjbgz/201808/t20180831_141506.htm）