硅粉粒度優化控制技術
——高品質硅粉優化生產技術的研究(1)

浙江省冶金研究院 ■ 常森

浙江省地質礦產研究所 國土資源部粘土礦物重點實驗室 ■ 余敏*

0 引言

硅作為一種半導體，銀光锃熠，十分美觀；在近代其成為競相研究的對象，效用深廣，筆者從事硅粉研究幾十年，仍興趣盎然。當今，有機硅、多晶硅、單晶硅、半導體器件都是科學、經濟、軍事和民生等重要領域不可缺少的基礎材料，比如芯片等，硅的合理利用已成為應對世界競爭、發展的重要手段。因此，我們有責任打好硅產品原料的堅實基礎，將硅粉制作好，拿出高品質的硅粉。

1 高品質硅粉生產的技術要求

硅粉達到高品質的要求，除了其自身的化學組成和組織結構外，制粉加工過程也會直接影響其形成。根據各方情況總結得出硅粉加工過程中的幾個重要因素，包括：粒度組成、反應活性，以及成品率、產能和能耗。

1)粒度組成。按照下游產品(如有機硅流化合成)工藝，其內容包括：粒度范圍的上下限及中徑(d50)。中徑區含量最佳為20%d50∶70%～80%；同時，中徑可按需調整(此為中徑集質特性，后文會進行解釋)。

2)反應活性。暫無公認標準，可按比較值選用。較為合理的參照是：比表面積大、顆粒粗但晶粒細。理性較強的是用X衍射儀和金相顯微法測定晶粒尺寸和球度。晶粒愈細，比表面積愈大，活性愈好[1]。而要做到粒度符合要求且晶粒細，并不容易。

其中，1)、2)兩項可以概括為8個字：粒度要乖、晶粒要細。“乖”就是“聽話”，可控易調。比原先生產的粒度要粗的要求又進了一步。

就硅粉生產而言，還得增加實際生產指標，否則無效益，這些條件就成了無效技術。因此，重要因素還有第3項。

3)成品率、產能和能耗。在滿足粒度粗細要求的條件下，成品率和產能要高，能耗要低。當前，多晶硅用粉成品率≥88%，力爭達90%；產能為2.8 t/h，力爭＞3 t/h(45 kW粉碎機)。有機硅用粉成品率＞99.8%，產能為5 t/h(45 kW粉碎機)，能耗為9 kW/t。

綜上所述，要想硅粉達到高品質，生產中必須優化控制硅粉粒度，達到粒度組成、反應活性和成品率、產能、能耗都處于先進水平，質效均佳，缺一不可。要達到的具體目標已落實在數據上，奮斗目標明確，就看技術是否能達到？是否有勁力將問號拉直成嘆號。

要采用何種技術才能完美解決這一問題？如何操作才能有效達標？這是為光伏業、能源、環保、現代化作貢獻的好機會。

為達此目的，對撞沖旋粉碎技術可顯示其優異的性能，充分展示了硅粉粒度優化控制的技術原理，靈活而有效的措施和技巧。下文將對此進行詳細闡述。

2 粒度優化控制的技術原理

要達到優勢水平，應本著“結構決定性能、性能體現結構”的原則，從硅的結構入手，闡述硅對抗外力的性能和天然碎裂制粉特性，并依此配置相應的外加工工藝，以獲得良好的效果，可以較理想地達到粒度控制的目的；還可以按需、靈活地實施優化調控，滿足下游產品工藝要求并達到制粉效益。這正是優化的題旨。

2.1 硅的組織結構

任何物料均有自身特有的組織結構，詳細分析可獲得“三觀”結構——宏觀、細觀、微觀。下文對硅的“三觀”進行分析。

2.1.1 宏觀結構

圖1為冶煉鑄造硅錠粗破后的硅塊照片。其整體外觀長期保持銀灰色锃亮的美態，顯示金剛石般的結構，具有高耐磨、難粉碎的特性，柔和與硬脆并存，給人一種較難對付的“剛柔并濟”的構架。

圖1 硅錠塊(鑄態硅塊)

2.1.2 細觀結構

根據分形理論和實際觀察，硅的細觀結構是晶體型——“晶粒+晶界”，其鑄錠碎塊分形結構的低倍金相顯微圖如圖2所示。圖2a為鑄錠外層，柱狀晶＜ φ 1×4 mm；圖2b為鑄錠內層，等軸晶直徑0.08～0.40 mm。柱狀晶與等軸晶的掃描電鏡照片分別呈條狀和塊狀，晶粒之間明確分界(晶界)，各呈相似外形的分形結構，晶界可視為網絡，符合分形理論的要求。

圖2 硅錠晶態(SEM)

2.1.3 微觀結構

仔細觀察高倍金相顯微圖能見到硅的微觀結構。鑄態硅經加工成碎粒，顯示硅粒由許多晶粒組成，其晶體結構如圖3所示。晶體結構特征：晶粒顏色不同，晶粒內裂紋兩邊顏色相同；裂紋寬度最寬達15 μm，最窄的為3 μm。

圖3 沖旋硅粉的金相顯微×150

仔細觀察圖3所示的金相顯微圖，可找出較典型、顯示明確的晶粒結構。可以看出晶粒和晶界，硅顆粒含多顆晶粒，各自顯示不同的顏色，分別由晶界包裹；而晶粒擁有許多鑲嵌塊，以亞晶界間隔。

對晶體進一步分解，如圖4所示，其組成順序(從外向里)為：硅顆粒→晶界→晶粒→亞晶體→鑲嵌塊(亞晶)→晶胞。

鑲嵌塊由晶胞組合而成，晶胞呈晶格，而晶格又有許多形式。硅的微觀結構的最小單元就是晶格。硅的晶格具有兩重型，基本的是金剛石型，如圖5所示；同時，其空間任一硅原子周圍都對稱且等距分布著另外4個硅原子，又構成面心立方晶格，晶格常數為5.43?。硅晶界處含雜質，其形貌如圖6所示。

圖4 晶體結構示意圖

圖5 金剛石晶格

圖6 硅晶界處雜質形貌圖

2.2 硅的制粉(粉碎)性能

從硅制粉來看，力學性能的權重最大。從結構因素分析，影響較大的有：

1)金剛石和面心立方晶格。使硅像金剛石般堅硬，又似石墨和鑄鋼般耐磨，表現為硬、脆、滑和爆。

2)晶體抗擊外力的性能。其從強到弱抗擊外力的順序為：抗壓、抗彎、抗拉、抗剪，屬于一般脆性材料性能。不過，抗剪只有抗壓的1/10。

3)晶體加工硬化性能明顯。試樣測試和粉碎加工都顯示出硅隨著外力加載(如荷載增大或荷載速率增大)而迅速硬化的特性。

4)典型的晶體分形碎裂性。硅晶體結構呈分形狀。受外力作用，其力能輸入分形網絡，沿著晶體中的缺陷，薄弱網絡環節撐裂結構，達到粉碎的目的。如圖3所示的晶界和亞晶界裂紋、裂縫等。

憑借硅的結構和性能，合理地采取相應的加工技術措施，滿足硅粉高品質的要求，擬定技術思路為：以解決粒度組成為根本，并使成品率和產量達先進水平及較高的反應活性和較低能耗。而粒度組成則是“顆粒要乖，晶粒要細”，保證其他指標均居領先地位。

3 “粒質要乖，晶粒要細”成形機理

控制粒度首先要掌握硅的粉碎性能和選用相應的加工手段。性能取決于結構，加工手段體現為粉碎機具和粉碎參數配置。遵循硅的結構實施有效加工，如拍擊、劈擊和棒擊等沖擊粉碎方式，以實現高品質硅粉成形機理。下文對此過程進行分項敘述。

3.1 拍擊粉碎

圖7a為拍擊粉碎，以放大的硅碎塊模擬其受外力加拍擊力作用的情況。力沿著硅碎塊內薄弱環節，即硅晶體分形網絡中的雜質、缺陷、晶界、亞晶界等，引發裂紋、裂縫、碎裂，歷經萌生、擴張、延伸、閉合、分叉和貫通6段，使硅塊終成粉體。圖7b是現場拍擊試驗，使用拍刀錘碎的硅裂狀態。圖7a中顯示的裂紋、裂縫等較多，碎粉較多；而圖7b試驗表征出細碎粒較多，粗粒少。

圖7 料塊拍擊粉碎形象

圖8 為硅塊拍擊粉碎的物理模型和狀態及確立的緣由，陳述了硅拍裂粉碎過程的力學模型。

1)拍擊使硅料體內引發應力-應變，由小增大，直至脆裂，如圖8a中曲線F所示。限于測試能力，暫用推演方法。探索形成圖8b的根據是通常脆性物料的抗壓測試應力-應變曲線，和筆者的硅抗壓測試應力-應變曲線相似。它的特點為：彈性變形區很小，塑性變形極小(以臨界點表示)和碎裂有峰值，整個過程中硬化程度較大。硅正是如此來表現其脆性。

2)拍擊輸入多路力能流，在硅料內激發應力、應變，其變動曲線F如圖8a所示。圖中顯示的應力應度：從拍擊接觸點進入的小力逐步增大，呈現出曲線F，使硅歷經裂縫等6個階段，沿著薄弱的網絡前行，直至通過中心，最后碎裂。當多路力能流同時作用時，硅料將沿著作用方向產生裂紋網，將硅料割裂成細粒；應力較大、傳輸迅速，而應變卻慢；應力過后，硅硬化減退，強度下降，而粉碎吸入能量尚在，硅隨后碎裂，仍會爆裂成為細粉。該項成形的根據，來自巖石、混凝土等脆性材料的性能研究，如巴西圓盤劈裂測試抗拉強度技術[3-6]，在劈裂試驗機上，利用夾具上不同的劈裂頭，如弧形、角形等壓在盤形試樣圓周對稱點上，經動載沖壓，使試樣碎裂，獲得測試數值。由于劈裂頭同試件接觸區結構、性能迥異，碎裂發展狀態和形貌、應力-應變關系等都明顯不同。其中，弧形劈裂頭引發試樣應力從接觸點向中心增大，在中心處爆裂。細看可發現，試樣中心處碎裂最多，迎住對側碎裂。而角形劈裂頭卻有所不同，是接觸點處先開裂，碎裂成幾大塊“大塊料”，裂峰直逼中心，同另一向裂縫相會，全體尖劈碎裂。此情況同筆者現場拍碎、棒碎和劈碎結果極度相似，如圖7、圖9所示。拍碎時硅塊下部先碎裂，烈度也大；劈碎時是硅塊上部先裂，碎度比拍碎小；而棒碎居中。不同之處在于劈裂測試時是試樣中心和邊緣對比，現場試驗則是上、下部對比。這是因為前者用夾頭，兩端受力；而后者只是一端受擊，但作用還是一樣的。

進一步審視生產設備上的實際情況。拍刀打細粉，劈刀打粗粉。靜壓測試也是從試樣中心先開劈。緣于上述實況，可以繪出圖8b拍擊粉碎過程中硅粉應力-應變曲線，從受擊到碎裂是由中心碎裂至全粒爆碎。如此作用的不是一路打擊，而是拍打接解點多，屬于多路作用。拍擊粉碎結果如圖8a所示，裂紋網絡密集，互相影響，碎裂成細粉。（待續）

圖8 脆性物料(工業硅)拍擊粉碎過程示意圖(仿抗壓測試)