國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制,在365nm光源波長下,單次曝光最高線寬分辨力達22nm;結合雙重曝光技術后,未來還可用于制造10nm級別的芯片。該項目在原理上突破了分辨力衍射極限,建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線,繞過了國外相關知識產權壁壘,具有完全自主知識產權,為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義芯片等變革性領域的跨越式發展提供了制造工具。
(圖片來源:新華網)
軍民兩用技術與產品2018年23期
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