原子級精度的全碳電子器件面世

當前，基于硅基半導體的微納電子技術正在逼近其物理尺寸極限，碳基器件被認為是最有希望替代現有硅基技術器件的未來信息器件。如何制備具有原子級精度的全碳電子器件，是碳基芯片領域發展的瓶頸。近日，廈門大學洪文晶教授、謝素原教授與英國蘭卡斯特大學柯林·蘭伯特院士團隊合作，在國際上首次制備了以單個富勒烯分子為核心單元、石墨烯為電極的全碳電子器件。這對于全碳電子學的發展具有重要意義，其制備的全碳電子器件，有望發展成為下一代碳基芯片技術的核心材料與器件。