我國半導體SiC單晶體材料和設備生產實現新突破

2018年6月5日，中國電科二所為我國半導體SiC單晶體材料和設備生產實現新突破，這兩項“批量生產”技術水平都達到了國際先進水平。2018年年初，該所突破了SiC單晶的低應力控制技術、本征深能級點缺陷控制技術等系列關鍵技術，在國內率先實現了4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料的工程化和6英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底的研發，經驗證與美國Cree襯底水平相當，一舉突破國外對我國高純半絕緣碳化硅晶體生長技術的長期封鎖。當時，中國電科二所已自制SiC單晶生長爐100臺;計劃全年生產4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底4000～5000片，已與客戶簽訂4000片供貨合同。