鄭金武
科學導報訊 12月6日,記者從中國科學院電工研究所獲悉,該所研究員、中國科學院院士王秋良團隊采用自主研發的高溫內插磁體技術,研制出了中心磁場高達32.35特斯拉(T)的全超導磁體。該磁體打破了2017年12月由美國國家強磁場實驗室創造的32.0T超導磁體的世界紀錄,標志著我國高場內插磁體技術已經達到世界領先水平。
科學導報2019年75期
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