美國和奧地利科學家在最新一期《科學》雜志刊文稱,他們在量子臨界材料內觀察到數十億個流動電子之間的量子糾纏。
據物理學家組織網16 日報道,在最新研究中,科學家們檢查了由鐿、銠、硅組成的材料YbRh2Si2 在接近并越過兩個量子相臨界點時的電磁行為,發現了該金屬內數十億個流動電子間的量子糾纏。研究合作者、萊斯大學的斯其苗說,這是糾纏導致量子臨界性迄今最有力的直接證據。
斯其苗還說:“在量子臨界點,傳統觀點認為,只有自旋部分才是臨界點。但如果電荷部分和自旋部分發生量子糾纏,那么電荷部分也變得至關重要。在最新研究中,我們在磁量子臨界點探測到電荷部分,發現了導致量子臨界性的量子糾纏非常直接的新證據。”
斯其苗是萊斯大學量子材料中心主任,他指出,量子糾纏是存儲和處理量子信息的基礎。同時,科學家認為,量子臨界性可以導致高溫超導性。因此,最新研究可為量子信息和高溫超導技術提供平臺,促進這兩大技術的發展,為計算、通信等領域的新技術打開大門。