新型磁存儲器件有望解決AI“內存瓶頸”

美國和意大利研究人員發表研究報告稱，他們開發出一種基于反鐵磁材料的新型磁存儲器件，其體積很小，耗能也非常低，很可能有助于解決目前人工智能（AI）發展所遭遇的“內存瓶頸”問題。

在新研究中，研究團隊使用了柱狀反鐵磁材料，這是以前科學家從未探索過的幾何形狀。研究表明，生長在重金屬層上的、直徑低至800納米的反鐵磁鉑錳（PtMn）柱，通過極低電流后可以在不同的磁態之間可逆地轉換。通過改變寫入電流的振幅，即可實現多級存儲特性。

研究人員指出，基于反鐵磁鉑錳柱制成的存儲器件體積僅為現有的基于反鐵磁材料存儲設備的1/10，而更重要的是，新型器件的制造方法與現有的半導體制造規范兼容，這意味著存儲設備制造商可以輕松采用新技術，而無需購買新設備。

研究人員指出，新型磁存儲器件很小，耗能很低，有望使反鐵磁存儲器走向實際應用，并幫助解決AI的“內存瓶頸”問題。目前，他們正努力尋求進一步縮小設備尺寸，改善數據寫入耗能的方法，以盡快將新技術投入實際應用。