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低漏電流低壓電極箔制造技術的研究

2020-04-02 09:58:32王建中
科學技術創新 2020年4期

劉 慧 王建中

(1、南通海一電子有限公司,江蘇 南通226361 2、南通海星電子股份有限公司,江蘇 南通226361)

低壓電解電容器用鋁電極箔,在經過含有鹽酸、硫酸、硝酸和磷酸等混合的水溶液中,進行化學或電化學腐蝕后,箔面附著大量氯離子,硫酸根離子等雜質離子,后續則采用一定的清洗溶液去除附著的雜質離子,雜質離子的去除程度直接影響了電極箔漏電流的高低。電容器在工作中,電容器產生的熱量分為兩個部分:一是電容器漏電流所造成的發熱,二是電容器損耗角在紋波電壓作用下產生的熱量。

在一般正常情況下,由漏電流引起的發熱量較小。電容器在高紋波下工作,由于陽極箔的介質極化滯后導致能量傳遞損失而在介質中產生熱量,長時間高溫的作用使氧化膜介質惡化,導致漏電流增大,漏電流的增大加速介質絕緣性能破壞,如此惡性循環使氣體大量產生,最后造成電容器鼓氣直至短路失效。因此為適應高端客戶需求,必須大幅減少電極箔雜質離子含量,降低漏電流,從而提升電容器使用壽命。

1 實驗

采用純度99.99 %、擁有高立方織構的97μm 厚度國產軟態鋁光箔作為原料,將高純鋁箔浸入0.2 mol/L的氫氧化鈉溶液浸泡2 分鐘,接著采用15wt%鹽酸與0.5wt%磷酸的混合溶液,在溫度為50℃、電流密度為0.25A/cm2的交流電條件下,通過55 秒電解反應產生海綿狀的初始蝕孔;然后,在5 個蝕刻槽中進行多次擴孔腐蝕,電解溶液采用10wt%鹽酸,1wt%硫酸,0.5wt%磷酸混合制成,平均電流密度0.12A/cm2,每級加電80 秒。在完成加電腐蝕構成后,腐蝕箔通過含有微泡沫發生裝置的4wt%~12wt%乙醇酸和0.8wt%~1.6wt%甲酸的混合溶液清洗槽,在50℃下浸泡3 分鐘,接著在20℃純水中浸泡處理,浸泡時間10 分鐘;在清洗工序后將電極箔表面洗凈,取100cm2電極箔,用0.05mol/L氫氧化鈉溶解,運用離子色譜法,測量氯離子和硫酸根離子含量。將另一部分浸泡完成后的鋁箔置于烘箱,在450℃下進行熱處理,處理時間1 分鐘,最后在85℃,含6.0wt%己二酸銨的水溶液中施加20V 的電壓進行化成處理,測試靜電容量。

2 結果與分析

2.1 氣泡流速對雜質離子去除量的影響。在鋁箔腐蝕過程完成后,箔面帶有大量的雜質離子,包括Cl-、SO42-、PO43-等,傳統的清洗模式,由于槽液循環的缺陷,槽內清洗液流速慢,有效清洗成分更新速度慢,無法達到雜質離子大量去除的目的。能加快槽液流動速率,保證槽內清洗液成分及溫度均勻。通過采用微泡沫發生裝置,其中進口設定在清洗槽上端,出口設定在下端,兩個出口分別正對箔面兩側,產生的微泡沫自下而上運動。微泡沫的產生促進了箔面與清洗液的反應,使雜質離子快速脫離鋁箔表面,極大優化了鋁箔表面狀態,利于后道熱處理工序氧化皮膜的生成,提升電極箔容量。對于不同氣泡流速下,電極箔雜質離子含量進行對比分析,如表1 所示:

表1 不同氣泡流速下電極箔雜質含量對

從表1 數據可以看出,隨著微氣泡流速的提升,電極箔雜質離子去除程度越來越高,當流速為1.4cm/s 時,電極箔雜質離子含量最低,且繼續提升微氣泡流速,電極箔雜質離子含量達到穩定狀態不再下降,同時當氣泡流速達到1.7cm/s 及以上時,槽液循環激烈,導致箔面出現晃動現象,易引起折皺、波浪邊等外觀不良。

2.2 有機混酸濃度對雜質離子含量及容量的影響。采用50℃不同濃度的乙醇酸和甲酸混合溶液,微氣泡流速設定為1.4cm/s,對經過多級電解腐蝕后的電極箔進行3 分鐘浸泡清洗,在清洗工序后將箔表面洗凈,取100cm2電極箔,用0.05mol/L氫氧化鈉溶解,運用離子色譜法,測量氯離子和硫酸根離子含量,具體數值對比如圖1所示。如圖1 所示,隨著乙醇酸和甲酸濃度的增加,雜質離子去除程度越來越高,同時甲酸濃度增加對雜質離子去除效果的影響要高于乙醇酸。當乙醇酸濃度為10wt%,甲酸濃度為1.4wt%或1.6wt%時,電極箔雜質離子去除程度最高,殘留量僅為2ppm。為進一步觀測不同混酸濃度下,電極箔容量的變化,將試驗樣片在85℃,含6.0wt%己二酸銨的水溶液中施加20V的電壓進行化成處理,測試靜電容量。測試結果顯示,容量起主要影響因素的為乙醇酸濃度,且隨著乙醇酸濃度的升高,電極箔容量降低。綜合考慮雜質離子去除程度及對電極箔容量的影響,當乙醇酸濃度為10wt%,甲酸濃度為1.4wt%時,電極箔雜質離子去除程度最高,殘留量僅為2ppm,同時,在該混酸濃度下,電極箔容量處于較高水平,達到80.4μf/cm2,對應該條件下,低壓電極箔21Vf 產品漏電流性能測試結果為15μA/cm2,對比常規條件下降幅度達60%以上,有效支撐電容器產品壽命延長,例行試驗壽命時間超過8000h。將乙醇酸濃度為10wt%,甲酸濃度為1.4wt%與乙醇酸濃度為12wt%,甲酸濃度為1.0wt%條件下電極箔進行掃描電鏡對比分析,如圖2 所示。如圖2所示,當乙醇酸濃度提升至12wt%時,可以發現右圖出現較多并孔,判斷為高濃度的乙醇酸導致在化學清洗過程中蝕孔間腐蝕加劇,導致大量細小蝕孔并孔塌陷,從而引起電極箔靜電容量的下降。

3 結論

3.1 隨著微氣泡流速的提升,電極箔雜質離子去除程度越來越高,當流速為1.4cm/s 時,電極箔雜質離子含量最低,且繼續提升微氣泡流速,電極箔雜質離子含量達到穩定狀態不再下降;

圖1 不同混酸濃度下雜質離子含量變化

圖2 不同混酸濃度下蝕孔結構變化

3.2 隨著乙醇酸和甲酸濃度的增加,雜質離子去除程度越來越高,當乙醇酸濃度為10wt%,甲酸濃度為1.4wt%或1.6wt%時,電極箔雜質離子去除程度最高,殘留量僅為2ppm;同時,該條件下,電極箔容量達80.4?f/cm2,處于較高水平。

研究表明,電極箔在化學清洗過程中,采用采用微泡沫發生裝置,且微氣泡最佳流速為1.4cm/s;同時,有機混酸濃度最佳配比為,乙醇酸濃度10wt%,甲酸濃度1.4wt%,電極箔雜質離子去除程度最高,殘留量僅為2ppm,同時,在該混酸濃度下,電極箔容量處于較高水平,達到80.4μf/cm2。對應該條件下,低壓電極箔21Vf 產品漏電流性能測試結果為15μA/cm2,對比常規條件下降幅度達60%以上,有效支撐電容器產品壽命延長,例行試驗壽命時間超過8000h。

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