長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出128層QLC閃存 單顆容量達(dá)1.33Tb

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。另外，此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512 GB TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

據(jù)介紹，QLC是繼TLC后3D NAND新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點(diǎn)，適合于讀取密集型應(yīng)用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過(guò)3665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC芯片相當(dāng)于提供3665億個(gè)房間，每個(gè)房間住4“人”，共可容納約14660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

閃存和SSD領(lǐng)域市場(chǎng)研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為，QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。 “隨著主流消費(fèi)類SSD容量達(dá)到并超過(guò)512 GB，QLC SSD未來(lái)市場(chǎng)增量將非常可觀。”Gregory同時(shí)表示，與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢(shì)。在企業(yè)級(jí)領(lǐng)域， QLC SSD將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更低的讀延遲，使其更適用于AI計(jì)算、機(jī)器學(xué)習(xí)、實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。在消費(fèi)類領(lǐng)域，QLC將率先在大容量U盤、閃存卡和SSD中普及。