彭練矛：國產(chǎn)碳芯片發(fā)展領(lǐng)軍人

彭練矛，男，1962年9月生，湖南平江人，1982年畢業(yè)于北京大學(xué)無線電電子學(xué)系，1988年在美國獲物理學(xué)博士學(xué)位。北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。2019年11月，當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。

彭練矛的主要研究領(lǐng)域?yàn)殡娮语@微學(xué)和碳基電子學(xué)。在電子顯微學(xué)領(lǐng)域，發(fā)展了可以精確處理一般材料體系反射和透射電子衍射、彈性和非彈性電子散射的理論框架;建立了確定材料結(jié)構(gòu)所需的重要參數(shù)庫。在碳基電子學(xué)領(lǐng)域，發(fā)展形成了整套碳基CMOS集成電路無摻雜制備新技術(shù)。采用不同功函數(shù)的金屬作為電極，實(shí)現(xiàn)了碳管理想的歐姆接觸，解決了制備性能超越硅基晶體管的碳管CMOS晶體管這一世界難題;利用釔可與碳納米結(jié)構(gòu)形成完美浸潤，獲得了高質(zhì)量的超薄氧化釔柵介質(zhì)層。在此基礎(chǔ)上，首次制備出性能接近理論極限、柵長僅5納米的碳管晶體管，綜合性能超過硅基器件十余倍。

相關(guān)研究分別獲得2010年度和2016年度國家自然科學(xué)獎二等獎，2017年獲全國創(chuàng)新爭先獎，2018年獲何梁何利基金獎。