戴瀾 閆強強



摘 要:基于中芯國際SMIC0.18 μm標準CMOS 1P6M工藝,在Cadence EDA平臺下設計完成了一款12位、采樣率500 MHz的電流舵DAC。電路主體結構采用5+3+4的分段方式,其中模擬部分采用3.3 V電源供電,數字部分采用1.8 V供電,滿量程電流20 mA,單端負載為25 Ω,在時鐘信號500 MHz、輸入信號1.586 914 MHz的條件下,測得SFDR為91 dB,電路的INL為±0.25 LSB、DNL為±0.15 LSB,整體功耗為75.6 mW。
關鍵詞:電流舵DAC;帶隙基準;電流源;SFDR
0? ? 引言
數模轉換器,簡稱DAC,顧名思義,它是一種將數字信號轉換為模擬信號的芯片,承擔著數字域與模擬域橋梁的作用,其重要性不言而喻。近幾年,隨著5G通信的興起、4k超清視屏、超高速實時監控、高速雷達,物聯網等領域快速發展,對數模轉換器的要求越來越高,集中體現在兩個方面:一是高速,二是高精度。例如,在5G基站的建設之中,就需要高速高精度的DAC負責將基帶數字信號轉化為模擬信號,接著由載波信號調制成高頻信號,最后由功率放大器發射出去。在基站的設計中,DAC的性能至關重要,正是有了高速、高精度、寬范圍的DAC,才能形成各種復雜的波形。
在眾多DAC類型中,電流舵DAC有著與生俱來的高速高精度特點,正是在這種應用背景與需求下,設計一款優秀的電流舵DAC就顯得很有必要。
1? ? 電流舵DAC的整體架構
本文設計的12 bit/500 MHz電流舵DAC的整體架構如圖1所示,主體采用了5+3+4的分段結構,即高5位和中間3位采用溫度計編碼,低4位采用二進制編碼,滿量程輸出電流為20 mA,單端負載為25 Ω,單端輸出擺幅為0.5 V,差分輸出擺幅為1 V,主要電路模塊有帶隙基準、V-I轉換電路、電流源陣列、輸入寄存器、二進制碼轉溫度計碼電路、鎖存低交叉點開關電流源驅動電路等。
圖1的工作過程如下:時鐘CLK頻率為500 MHz,輸入的12位數字碼先經過輸入寄存器同步,同步后的12位數字信號被分成3路作相應處理,高5位和中間3位二進制信號經過譯碼電路被譯成31路和7路溫度計碼信號,低4位二進制信號經過buffer延時即可,處理后的42路信號經過低交叉點開關電流源驅動電路后轉換為84路開關驅動信號,最后去控制相應權重差分開關的開通與關斷,于是,不同權重的電流源將根據輸入數字碼的不同,流過相應的權重差分開關,最后流經負載產生電壓輸出。
2? ? 關鍵電路設計與仿真
2.1? ? 帶隙基準的設計與仿真
帶隙基準是電流舵DAC中的關鍵電路,本文設計的基準電路及仿真結果如圖2、圖3所示。從圖中可以看出,溫度從-40 ℃增加到125 ℃時,帶隙電壓變化約為2 mV,由此可以計算出基準電壓的溫度系數為10.4×10-6。
2.2? ? 電流源陣列偏置電路的設計
圖4是電流源陣列的偏置電路,R0、R1為外接精密電阻,M3、M5構成低壓共源共柵電流源,共柵管M3的偏置由M2、M4組成的電流源提供,通過調節R0、R1的大小,可以將VCS和VCAS偏置在合適的電壓。圖4所設計的偏置電路具有高輸出阻抗、高電源抑制比、寬擺幅的特點。
2.3? ? 單位開關電流源的設計
開關電流源陣列是電流舵DAC中最重要的電路,本文設計的單位開關電流源電路如圖5所示。設計單位開關電流源主要考慮失配和有限的輸出阻抗。式(1)和(2)反映了單位電流源失配的相對方差與電流源面積的關系[1]。
σ2
=2
2=Aβ2+
(1)
≤? ? ? (2)
式中,Aβ、A是與工藝有關的常數;C與芯片的良率有關[2],通常選取C=2.8。
低頻下,電流舵DAC的INL對單位電流源的輸出阻抗有如下要求[3]:
INL=? ? ? ? ? ? ?(3)
式中,Iunit、Runit為單位電流源的電流和輸出阻抗;RL為負載;N為單位電流源的個數。
高頻下,電流舵DAC的SFDR與單位電流源的輸出阻抗有如下關系[3]:
SFDR=40lg Rratio-12(N-2)? ? ? ? ?(4)
式中,Rratio=Runit/RL;N為分辨率。
本設計中,選取電流源的過驅動電壓為500 mV,通常要求INL<0.5 LSB,SFDR>70 dB,結合式(1)~(4),可以確定圖5中各MOS管的尺寸。圖6為單位開關電流源的輸出阻抗仿真,可以看出,低頻下輸出阻抗約為13.5 GΩ,高頻下輸出阻抗下降到了1.49 MΩ。
2.4? ? 帶鎖存功能的開關電流源驅動電路設計
為了防止圖5中的M3和M4同時關斷[4],本文設計了一種帶鎖存功能的低交叉點開關驅動電路,如圖7所示,通過調整傳輸門TG1和反相器INV1的PMOS管和NMOS管的尺寸,就可以調整信號對反相器INV2和INV3柵極的充放電時間,從而達到降低信號交叉點位置的效果。
3? ? 仿真結果
本設計基于SMIC0.18 μm標準CMOS 1P6M工藝實現,電路整體版圖如圖8所示,輸入全碼斜波信號,輸出對應每一個輸入采樣4 096個點,利用MATLAB仿真電流舵DAC的靜態性能,得到圖9、圖10所示結果,從圖中可以看出,INL在±0.25 LSB內,DNL在±0.15 LSB內。在時鐘信號500 MHz、輸入信號1.586 914 MHz的條件下,對輸出信號采樣4 096個點作頻譜分析,得到圖11所示結果,從圖中可以看出SFDR為91 dB。表1是本設計的整體仿真結果,可以看出本設計在靜態性能和動態性能方面都達到了預期的結果。
4? ? 結語
電流舵DAC廣泛應用在各種電子設備及高速接口電路中,本文基于SMIC0.18 μm標準CMOS 1P6M工藝設計實現了一款12 bit/500 MHz的電流舵DAC,通過仿真發現,INL在±0.25 LSB內,DNL在±0.15 LSB內,在采樣率500 MHz、輸入信號1.586 914 MHz的條件下,SFDR達到了91 dB,功耗為75.6 mW,電路整體性能良好。
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收稿日期:2020-04-01
作者簡介:戴瀾(1975—),男,湖南邵陽人,博士,教授,研究方向:大規模集成電路設計。
閆強強(1992—),男,甘肅天水人,在讀碩士,研究方向:大規模集成電路設計。