2020年河北省高考理綜（化學(xué)）試卷考生答題情況分析

>>>蓋立春

1.第26 題

以黏土釩礦制備NH4VO3的工藝流程為背景，給出黏土釩礦的主要成分和相關(guān)信息，主要考查關(guān)鍵科學(xué)信息的提取利用、化學(xué)方程式和離子方程式的書寫、氧化還原反應(yīng)物和生成物的判斷以及化學(xué)反應(yīng)速率和化學(xué)平衡的影響因素等知識點。主要特點是需要理解題干給出的工藝流程圖，對考生的邏輯推理能力和文字表達(dá)能力有較高要求。此題滿分14 分，平均分是7.12，分?jǐn)?shù)分布如表1 所示：

表1 第26 題分?jǐn)?shù)分布表

第26 題共包括6 道小題。

第1 小題要求回答“酸浸氧化”釩礦粉需要加熱的原因，正確答案是“加快酸浸和氧化反應(yīng)速率（促進(jìn)氧化完全）”。此題難度不大，考生既可以從化學(xué)反應(yīng)速率的角度回答，也可以從化學(xué)平衡的角度回答。絕大部分考生都能答對。

第2 小題共兩空。第一空問“酸浸氧化”過程中，VO+和VO2+被氧化成VO2+，同時還有什么離子被氧化，答案是Fe2+，因為題目沒有明確要求寫化學(xué)式或名稱，因此答成“二價鐵離子”也給分。典型錯誤主要有“Mn2+”“Fe3+”等。第二空要求寫出VO+轉(zhuǎn)化為VO2+反應(yīng)的離子方程式，答案是“VO++MnO2+2H+=VO2++Mn2++H2O”。離子方程式要求書寫正確規(guī)范、化學(xué)計量比為最簡整數(shù)比。題目明確要求書寫離子方程式，因此，考生如果寫成化學(xué)方程式、離子方程式但不配平或者不是最簡整數(shù)比，均不得分。典型錯誤主要有“VO++MnO2=VO2++Mn2+”“2VO++2O2=2VO2+”“VO++2H+=VO3++H2”等。

第3小題共包括兩空。第一空給出“中和沉淀”中，釩水解并沉淀為V2O5·xH2O，問隨濾液②可除去的金屬離子是什么（K+、Mg2+、Na+三種離子已經(jīng)給出），答案是“Mn2+”。因為題目沒有明確要求，考生如果回答成“錳離子”“二價錳離子”等合理形式，也可得分。典型錯誤主要有“Fe3+”“Al3+”“Fe2+”等。第二空問可部分除去的金屬離子，答案是Al3+和Fe3+。因為題目沒有明確要求，考生如果回答成“三價鋁離子和三價鐵離子”“鋁離子和鐵離子”等合理形式，也可得分。典型錯誤主要有“V O+”“Fe3+”“Al3+”只寫一個，“SiO2”等。

第4 小題給出“沉淀轉(zhuǎn)溶”中，V2O5·xH2O 轉(zhuǎn)化為釩酸鹽溶解，濾渣③的主要成分是什么，答案是“Fe(OH)3”。如果答成“氫氧化鐵”也可得分。典型錯誤有“Na2SiO3”“Mn（OH）“2”A（lOH）3”“Fe(OH)2”等。

第5 小題給出“調(diào)pH”中有沉淀生成，要求寫出生成沉淀反應(yīng)的化學(xué)方程式，答案是“NaAl(OH)4+HCl=Al(OH)3↓+NaCl+H2O”如果寫成“NaAlO2+HCl+H2O=Al(OH)3↓+NaCl”也可得分。典型錯誤主要有“NaAlO2+HCl= NaCl+Al(OH)3↓”“NaOH+HCl=NaCl +H2O“”HAlO2+H2O=Al(OH)3↓”。

第6 小題要求回答“沉釩”中析出NH4VO3晶體時，需要加入過量NH4Cl的原因，答案是“利用同離子效應(yīng)促進(jìn)NH4VO3盡可能完全析出”。如果答出“同離子效應(yīng)”“增加NH4+濃度”“增加反應(yīng)物濃度”“平衡移動”“促進(jìn)沉淀析出”等表述，意思正確，語言合理，也可得分。典型錯誤主要有“NH4+水解”“調(diào)節(jié)pH”“NH4VO3易水解”等。

2. 第27 題

以在實驗室中驗證不同化合價鐵的氧化還原能力的實驗為背景，考查了溶液的配置、鹽橋電解質(zhì)的選擇、鹽橋中陰陽離子的遷移方向、根據(jù)原電池原理的有關(guān)計算、電極反應(yīng)式的書寫、氧化性和還原性的判斷、以及Fe3+的檢驗等知識點。此題滿分15 分，平均分8.68。分?jǐn)?shù)分布如表2 所示：

表2 第27 題分?jǐn)?shù)分布表

第27 題共包括6 道小題。

第1 小題要求從給出的5 種儀器中選擇由FeSO4·7H2O 固體配制0.10mol·L-1FeSO4溶液所需要的儀器名稱，答案是“燒杯、量筒、托盤天平”。此題難度不大，絕大部分考生都能答對。典型錯誤主要是回答不全，只寫出1種或2 種。

第2 小題要求回答鹽橋中應(yīng)該選擇哪種物質(zhì)做電解質(zhì)，正確答案是“KCl”。此題具有一定難度，很多考生寫成了KNO3，可能是沒有注意到VO3-在酸性環(huán)境下可以和電解質(zhì)溶液中的還原性物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。還有一種情況是沒有考慮陰陽離子的電子遷移率應(yīng)盡可能接近，而錯寫成“LiHCO3”或“K2SO4”等。

第3 小題要求寫出鹽橋中的陽離子進(jìn)入哪個電極溶液中，正確答案是“石墨電極”。此題難度不大，典型錯誤主要有“鐵電極”“負(fù)極”等。

第4 小題要求寫出石墨電極溶液中Fe2+的濃度，答案是“0.09mol/L”。典型錯誤主要有“0.02mol/L”“0.27mol/L”“0.07mol/L”等。

第5 小題包括4 空。第一空要求寫出石墨電極的電極反應(yīng)式，答案是“Fe3++e-=Fe2+”，典型錯誤主要有“Fe-2e-= Fe2+”“Fe3++3e-=Fe”“Fe2++2e-=Fe”。第二空要求寫出鐵電極的電極反應(yīng)式，答案是“Fe-2e-=Fe2+”。典型錯誤主要有“Fe3++ e-=Fe2+”“2Fe3++ Fe=3Fe2+”“Fe2++2e-=Fe”等。第三空和第四空答案分別為“Fe3+”和“Fe”考生丟分情況較少。

第6 小題要求寫出檢驗活化反應(yīng)完成的方法，答案是“取少量溶液，滴入KSCN、NaSCN、NH4SCN 等可溶性的硫氰化物溶液，不出現(xiàn)血紅色”“加入苯酚，不出現(xiàn)紫色”“加入亞鐵氰化鉀（或K4[Fe(CN)6]或黃血鹽），不出現(xiàn)藍(lán)色沉淀”均可得分。此題難度不大，絕大部分考生都能答對。

3. 第28 題

以工業(yè)接觸法制硫酸的關(guān)鍵工序為背景，主要考查蓋斯定律的應(yīng)用、化學(xué)平衡和化學(xué)反應(yīng)速率的影響因素、化學(xué)平衡常數(shù)的計算等知識點。此題滿分14 分，平均分5.04，分?jǐn)?shù)分布如表3 所示：

表3 第28 題分?jǐn)?shù)分布

第28 題共包括4 道小題。

第1 小題要求寫出V2O5(s)與SO2(g)反應(yīng)生成VOSO4(s)和V2O4(s)的熱化學(xué)方程式，答案是“2V2O5(s)+2SO2(g)=2VOSO4(s)+V2O4(s)，△H=-351kJ/mol-1”若寫成其他合理形式也可得分。分子式錯誤、物質(zhì)狀態(tài)錯誤或物質(zhì)狀態(tài)未標(biāo)、未配平、熱效應(yīng)數(shù)值未寫或?qū)戝e均不給分。

第2 小題第一空要求判斷5.0MPa、550℃時α的數(shù)值，答案是“0.975”如果寫成“97.5%”或“97.5/100”也可得分。第二空要求寫出判斷依據(jù)，答案是“該反應(yīng)氣體分子數(shù)減少，增大壓強，α 提高。5.0MPa>2.5MPa=p2，所以p1=5.0Mpa”。其他合理敘述，如寫成“該反應(yīng)氣體分子數(shù)減少，增大壓強，α 提高，p1>p2”“增大壓強，平衡正向移動，α提高，p1>p2”“該反應(yīng)氣體分子數(shù)減少，減小壓強，α 降低，p1>p2”“減小壓強，平衡逆向移動，α 減小，p1>p2”的均可給分。第三空要求答影響α 的因素，答案是“溫度、壓強和反應(yīng)物的起始濃度（組成）”，若把壓強寫成總壓，起始濃度寫為濃度、物料比、投料比、物料組成等均可得分。

第3小題包括2空。第一空要求寫出SO3的壓強，答案是若寫成其他合理形式，無論是否化簡，也可以得分。第二空要求寫出平衡常數(shù)Kp的表達(dá)式，要求用分壓表示， 答案是若寫成其他合理形式，無論是否化簡，也可以得分。這兩空計算較為復(fù)雜，很多考生都不答。

第4 小題要求回答“t ＜tm時，v 逐漸提高；t ＞tm后，v 逐漸下降”的原因，答案是“升高溫度，k 增大使ν 逐漸提高，但α 降低使ν 逐漸下降。t＜tm時，k 增大對ν 的提高大于α 引起的降低；t>tm后，k 增大對ν 的提高小于α 引起的降低”。用其他合理語言敘述說明，如“t＜tm時，k 增大對ν 的提高大于α 引起的降低；t>tm后，k 增大對ν 的提高小于α 引起的降低”均可給分。此題難度較大，典型錯誤：一是考生考慮問題不全面，僅僅答出t＜tm時或t＞tm后的一種情況；二是沒有回答出要點，例如有些考生寫成t>tm后，催化劑活性降低，因此v 下降；t＜tm時，升高溫度，速率上升；t>tm后，升高溫度，副反應(yīng)速率升高等。

4. 第35 題

第35 題為結(jié)構(gòu)題。以鋰離子電池及鈷酸鋰、磷酸鐵鋰等正極材料研究從而獲得2019年諾貝爾化學(xué)獎為背景，主要考查鐵離子的結(jié)構(gòu)、同周期和同主族元素電離能的大小比較、磷酸根離子的空間構(gòu)型、磷酸鐵鋰晶胞結(jié)構(gòu)以及鋰離子電池的充放電機(jī)理等知識點。該題總分15 分，平均分9.28 分。分?jǐn)?shù)分布如表4 所示：

表4 第35 題分?jǐn)?shù)分布

第35 題共包括4 道小題。

第1 小題要求回答基態(tài)Fe2+與Fe3+離子中未成對電子的電子數(shù)之比，答案是“4:5”。如果寫成“4:5”“4/5”“0.8”等合理形式也給分。此題比較簡單，絕大部分考生都能答對。典型錯誤主要是寫成“2:3”“5:4”“6:5”“3:2”或者“2:1”。

第2 小題包括兩空。第一空要求寫出第一電離能I1(Li)>I1(Na) 的原因，答案是“Na 與Li 同族，Na 的電子層數(shù)多，原子半徑大，易失去電子”。其他合理表述如“Na 的電子層數(shù)多”或“Na 的原子半徑大”也給分。第二空要求寫出I1(Be)>I1(B)>I1(Li) 的原因，答案是“Li、Be、B 同周期，核電荷數(shù)依次增加。Be為1s22s2全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，第一電離能最大。與Li 相比，B 核電荷數(shù)大，原子半徑小，較難失去電子，第一電離能較大。”其他合理表述如“Be 為全滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)”“B 比Li 的核電荷數(shù)（質(zhì)子數(shù)或原子序數(shù)）大”或“B 比Li 的原子半徑小”的也給分。典型錯誤：一是沒有說明核電荷數(shù)大小，也沒有從原子半徑進(jìn)行解釋；二是沒有交代為何I1(Be)最大；三是沒有答到點子上，例如有的考生寫成“Li、Na 最外層均為1個電子，所以I1(Li)>I1(Na)”。

第3 小題共3 空。第一空要求回答磷酸根離子的空間構(gòu)型，答案是“正四面體”，寫成“四面體”的也給分。典型錯誤主要有“平面三角形”“三角錐形”。第二空要求寫出磷酸根離子中P 的價層電子對數(shù)，答案是4，如果寫成“四”的也給分；典型錯誤主要有“1、5、6、8”；第三空要求寫出P 的雜化軌道類型，答案是sp3，此空答案唯一。此題要求“sp3”中的字母小寫、數(shù)字“3”為上角標(biāo)格式，書寫不規(guī)范的不得分。典型錯誤主要有“sp2”。

第4 小題包括3 空。第一空要求寫出每個晶胞中含有LiFePO4的單元數(shù)，答案是“4”，答案唯一。典型錯誤主要有“2、1、6”。第二空要求回答x 的數(shù)值，答案是寫成“3/16”等合理形式的也給分。第三空要求回答n(Fe2+):n(Fe3+) 的比值， 答案 是“13∶3”寫 成“13/3”或等合理形式的也給分。此題難度較大，相當(dāng)一部分考生沒有回答。

5. 第36 題

第36 題是有機(jī)題，背景信息是“有機(jī)超強堿的合成路線”，要求回答相關(guān)問題。該題滿分15 分，平均分7.8。分?jǐn)?shù)分布如表5 所示：

表5 第36 題分?jǐn)?shù)分布

36 題共包括6 道小題。

第1 小題要求回答A 的化學(xué)名稱，答案是“三氯乙烯”，如果寫成“三氯代乙烯”或“1,1,2-三氯乙烯”的也給分，但寫“化學(xué)式”或“結(jié)構(gòu)簡式”的不得分，文字寫錯的不得分。此小題比較簡單，絕大部分考生都能答對。

第2 小題要求寫出由B 生成C 的化學(xué)方程式，答案是

反應(yīng)物和產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)簡式或結(jié)構(gòu)式必須正確，書寫規(guī)范，方程式配平，否則不得分；結(jié)構(gòu)簡式寫成“分子式”的不得分。也可寫成下列方程式：

典型錯誤：一是丟掉HCl 或KCl 等小分子；二是結(jié)構(gòu)式或結(jié)構(gòu)簡式錯誤。

第3 小題要求回答C 中所含官能團(tuán)的名稱，答案是“碳碳雙鍵、氯原子”。此題難度不大，典型錯誤是部分考生僅回答一種，少寫氯原子的較多。

第4 小題要求回答由C 生成D 的反應(yīng)類型，答案是“取代反應(yīng)”，答成“取代”的也給分。典型錯誤：部分考生寫成“加成反應(yīng)”的較多。

第5 小題要求寫出D 的結(jié)構(gòu)簡式，答案是典型錯誤是結(jié)構(gòu)式或結(jié)構(gòu)簡式書寫錯誤，丟雙鍵的較多。

第6 小題要求寫出E 的六元環(huán)芳香同分異構(gòu)體中，能與金屬鈉反應(yīng)，且核磁共振氫譜有四組峰，峰面積之比為6 ∶2 ∶2 ∶1 的有幾種，答案是6 種。此題答案唯一，典型錯誤主要有“3、4、5、8、9、11、16”。第二空要求寫出芳香環(huán)上為二取代的結(jié)構(gòu)簡式，答案是

典型錯誤是結(jié)構(gòu)式或結(jié)構(gòu)簡式書寫錯誤。