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閉環(huán)霍爾電壓傳感器增益溫漂補償技術(shù)

2021-05-08 05:59:00王慶歡鄭良廣鄭華雄任浩
傳感器世界 2021年3期

王慶歡 鄭良廣 鄭華雄 任浩

寧波中車時代傳感技術(shù)有限公司,浙江寧波 315021

0 引言

電力監(jiān)控系統(tǒng)是軌道交通、工業(yè)控制和新能源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)智能化的重要一環(huán)。電力監(jiān)控系統(tǒng)檢測和測量的主要電量參數(shù)是電壓和電流。電壓檢測方法分為非隔離檢測和隔離檢測,其中,隔離檢測法主要包括閉環(huán)霍爾電壓傳感器、光耦隔離電壓傳感器、磁通門電壓傳感器、無源電壓傳感器和數(shù)字隔離電壓傳感器等。

閉環(huán)霍爾電壓傳感器作為傳統(tǒng)的磁隔離式電壓傳感器,在測量精度和隔離電壓方面一直表現(xiàn)不錯,基本誤差小于0.7%,線性度小于0.1%,但在2 kV 以上電壓測量領(lǐng)域,隨著線圈匝數(shù)不斷增加,線圈繞制的成本增加、產(chǎn)品體積增加、動態(tài)特性變差、原邊功耗增加、增益溫漂變大等問題逐漸凸顯出來。

本文通過設(shè)計一種溫漂補償電路,實現(xiàn)對閉環(huán)霍爾電壓傳感器的增益溫漂補償。

1 閉環(huán)霍爾電壓傳感器簡介

閉環(huán)霍爾電壓傳感器是基于霍爾效應(yīng)的傳感器。

霍爾效應(yīng)是存在于導(dǎo)電材料中的電流和磁場相互作用下產(chǎn)生電動勢的效應(yīng)[1-3]。如圖1 所示,在半導(dǎo)體材料的兩端通一定的電流Ic,在薄片的垂直方向施加磁感應(yīng)強度為B的磁場,則在垂直電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電勢差為VH的霍爾電壓,霍爾電壓VH與霍爾電流Ic及磁感應(yīng)強度B的乘積成正比,即:

式中,K=RH/d,K稱為靈敏度,RH稱為霍爾系數(shù),由半導(dǎo)體材料的性質(zhì)決定,d為半導(dǎo)體材料的厚度。

閉環(huán)霍爾電壓傳感器工作原理如圖2 所示,為了提高精度和抗外界磁場干擾能力,一般會采用鐵芯聚磁,鐵芯形狀一般為圓形或方形,鐵芯需要開氣隙,霍爾元件處于氣隙中并垂直于磁路方向。通過原邊電阻Rp將被測電壓Vp轉(zhuǎn)化為被測電流Ip,被測電流Ip流過原邊線圈在鐵芯中產(chǎn)生的磁場使霍爾元件產(chǎn)生霍爾輸出電壓VH,經(jīng)過放大電路放大后,驅(qū)動次邊線圈(運放驅(qū)動能力有限,一般需要使用功率管增加驅(qū)動能力),產(chǎn)生輸出電流Is,輸出電流Is流過次邊線圈在鐵芯中產(chǎn)生的磁場抵消被測電流Ip產(chǎn)生的磁場,使鐵芯處于零磁通狀態(tài)[4-6],原邊線圈和次邊線圈均繞制在鐵芯上。因此,輸出電流Is與被測電壓Vp成正比,即:

其中,Np——原邊線圈匝數(shù);

Ns——次邊線圈匝數(shù)。

2 增益溫漂問題

實際工程應(yīng)用中,閉環(huán)霍爾電壓傳感器的原邊線圈并不是理想線圈,其阻值為RL,同時在原邊線圈兩端并聯(lián)有保護(hù)電阻R2。

原邊等效電路如圖3 所示,被測電流Ip分為I2和IL兩部分,而IL為流過原邊線圈的電流。根據(jù)歐姆定律計算出:

閉環(huán)霍爾電壓傳感器的原邊線圈通常使用的是銅質(zhì)漆包線,溫度系數(shù)約為0.39%/℃,而閉環(huán)霍爾電壓傳感器的工作范圍一般為-40 ~+85 ℃,因此,線圈阻值RL在全溫度范圍內(nèi)漂移量可達(dá)48.75%,根據(jù)公式(3),線圈阻值RL的漂移導(dǎo)致閉環(huán)霍爾電壓傳感器增益的漂移。

以常見的2,000 V 閉環(huán)霍爾電壓傳感器為例,Vp=2,000 V,Np/Ns=20,000:2,000,R2=220 k,Isn=50 mA。

常溫(+25 ℃)時,原邊線圈阻值RL=8 kΩ,Is=50 mA,根據(jù)公式(3)、(4)計算,IL0=5 mA,R1=378 kΩ。

當(dāng)溫度為-40 ℃時,RL=8 kΩ×(1+0.39%)-40-25=6.21 kΩ,R1=378 kΩ,R2=220 kΩ,代入公式(3)可得,IL=5.065 mA,增益溫漂為G=(IL-IL0)/IL0×100%=1.3%。

當(dāng)溫度為+85 ℃時,RL=8 kΩ×(1+0.39%)85-25=10.1 kΩ,R1=378 kΩ,R2=220 kΩ,代入式(3)可得,IL=4.934 mA,增益溫漂為G=(IL-IL0)/IL0×100% =-1.3%。

利用仿真工具對全溫度范圍內(nèi)RL阻值變化及線圈電流IL變化進(jìn)行計算,分別如圖4、圖5 所示。

綜上, 上述2,000 V 閉環(huán)霍爾電壓傳感器在-40 ~+85 ℃溫度范圍內(nèi)的增益溫漂為±1.3%。

3 增益溫漂補償電路

由于RL的溫度系數(shù)為正,需選用負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻進(jìn)行補償,而熱敏電阻溫度系數(shù)一般為指數(shù)級,很難與RL的溫度系數(shù)匹配。為了實現(xiàn)溫度系數(shù)的匹配,本文采用普通金屬膜電阻與熱敏電阻并聯(lián)的形式,增益溫漂補償電路如圖6 所示。為了擴展溫度范圍,采用兩個補償單元相串聯(lián)。補償單元1 由普通電阻Rs1 與熱敏電阻Rn1 并聯(lián)而成;補償單元2 由普通電阻Rs2 與熱敏電阻Rn2 并聯(lián)而成,Rn1 阻值較小,Rn2 阻值較大,在高溫時,Rn1 阻值幾乎為0,主要由補償單元2 發(fā)揮溫度補償作用;在低溫時,Rn2 阻值遠(yuǎn)大于Rs2,補償單元2 阻值近似為Rs2,主要由補償單元1 發(fā)揮補償作用。

不同補償單元各自在對應(yīng)溫度區(qū)間發(fā)揮補償作用,可以實現(xiàn)在很寬溫度范圍內(nèi)獲得理想的補償效果。例如,按如下參數(shù)設(shè)置補償單元:

補償單元1:Rs1 為普通電阻,阻值為2.5 kΩ,Rn1為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,阻值為0.22 kΩ(@25 ℃),B常數(shù)為3,500 K,利用仿真工具計算補償單元1 的線性補償區(qū)間為-65 ~+20 ℃,如圖7 所示。

補償單元2:Rs2 為普通電阻,阻值為2.7 kΩ,Rn2 為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,阻值為6.8 kΩ(@25 ℃),B常數(shù)為3950 K,利用仿真工具計算補償單元2 的線性補償區(qū)間為-5 ~+100 ℃,如圖8 所示。

將補償單元1 與補償單元2 串聯(lián)組成增益溫漂補償電路,利用仿真工具計算線性補償區(qū)間為-65~+100 ℃,從而實現(xiàn)了線性補償區(qū)間的擴展,如圖9 所示。

另外,與單純采用熱敏電阻補償?shù)募夹g(shù)相比,該增益溫漂補償電路還具有限制熱敏電阻功耗和電壓的作用。

以補償單元1 為例,熱敏電阻Rn1 的功耗為:

熱敏電阻Rn1 的電壓為:

因此,當(dāng)線圈組件中通以一定電流I時,在-40 ~+85 ℃溫度范圍內(nèi),熱敏電阻Rn1 的功耗和電壓均可控,不會因為過熱或過壓損壞,從而保證了可靠性。

4 計算與仿真

根據(jù)熱敏電阻技術(shù)手冊,溫度為T時,熱敏電阻阻值大小為:

其中,Rn0——熱敏電阻在+25 ℃的阻值;

B——熱敏電阻的B常數(shù)。

增加補償電路后,線圈組件的阻值為:

根據(jù)公式(7)、(8),利用仿真工具計算出能達(dá)到較理想補償效果的參數(shù)組合。

以上述2,000 V 閉環(huán)霍爾電壓傳感器為例,經(jīng)過仿真工具計算得出,Rs1、Rs2、Rn1、Rn2 按以下參數(shù)取值時,可實現(xiàn)較理想的補償效果。

Rs1=2.5 kΩ,Rn1 為NTC 熱 敏 電 阻, 阻 值 為0.22 kΩ(@25 ℃),B常數(shù)為3500 K;

Rs2=2.7 kΩ,Rn2 為NTC 熱 敏 電 阻, 阻 值 為6.8 kΩ(@25 ℃),B常數(shù)為3950 K。

根據(jù)公式(7)、(8)得出:

+25 ℃時,線圈組件(帶補償電路)的阻值大小為R=10.13 kΩ;

-40 ℃時,線圈組件(帶補償電路)的阻值大小為R=10.63 kΩ;

+85 ℃時,線圈組件(帶補償電路)的阻值大小為R=10.71 kΩ。

利用仿真工具計算出線圈組件的溫度變化曲線如圖10 所示。

增加補償電路后計算該電壓傳感器的增益溫漂:

常溫(+25 ℃)時,線圈組件R=10.13 kΩ,被測電流IL0=5 mA,R2=220 kΩ,以R替代RL,由公式(3)得,R1=373 kΩ;

當(dāng)溫度為-40 ℃時,R=10.63 kΩ,R1=373 kΩ,R2=220 kΩ,以R替 代RL,代 入 式(3)可 得,IL=4.979 mA,增益溫漂為G=(IL-IL0)/IL0×100%=-0.4%;

當(dāng)溫度為+85 ℃時,R=10.71 kΩ,R1=373 kΩ,R2=220 kΩ,以R替 代RL,代 入 式(3)可 得,IL=4.978 mA,增益溫漂為G=(IL-IL0)/IL0×100%=-0.45%。

利用仿真工具計算出線圈電流IL的溫度變化曲線如圖11 所示。

對比增加補償電路前的增益溫漂(±1.3%)和增加補償電路后的增益溫漂(-0.4%),補償效果相當(dāng)理想。

5 試驗驗證

按照以上參數(shù),試制出8 只增加增益補償電路的2,000 V 閉環(huán)霍爾電壓傳感器并進(jìn)行測試,測試數(shù)據(jù)如表1 ~表3 所示。

由表1 ~表3 數(shù)據(jù)可知,增加補償電路后,增益溫漂變化的最大值為-0.34%,與理論計算值(-0.4%)一致。

6 結(jié)束語

文中通過設(shè)計一款增益溫漂補償電路將閉環(huán)霍爾電壓傳感器在-40 ~+85 ℃溫度范圍內(nèi)的增益溫漂由原來的±1.3%降低至-0.4%,補償效果明顯。

同時,該增益溫漂補償電路的補償單元中熱敏電阻Rn1 在全溫度范圍內(nèi)的功耗Pn1≤I2Rs1/4,電壓Vn1≤I·Rs1,功耗和電壓均可控,從而保證了熱敏電阻不會因過熱和過壓損壞,進(jìn)而保證了可靠性。

基于該增益溫漂補償電路的閉環(huán)式霍爾電壓傳感器全溫度范圍內(nèi)的精度可領(lǐng)先同類傳感器0.9 個百分點,已應(yīng)用于能耗記錄等精密電壓監(jiān)測領(lǐng)域。

表1 常溫(+25 ℃)數(shù)據(jù)(單位:mA)

表2 +85 ℃數(shù)據(jù)(單位:mA)

表3 -40 ℃數(shù)據(jù)(單位mA)

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