紅光RCLED研究與進(jìn)展

楊啟偉,李建軍

(北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部，光電子技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，北京 100124)

引言

LED光源具有高亮度、低功耗、體積小、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。具有高亮度、低功耗的高性能LED已成為汽車(chē)遠(yuǎn)近光燈、交通信號(hào)指示燈、液晶顯示屏、紅外監(jiān)控、集成電路顯示、野外探照、戶(hù)外全彩顯示、智能產(chǎn)品背光源、生物農(nóng)業(yè)光照、集成光子計(jì)算以及光纖傳送數(shù)字通信的核心器件[1],特別是在照明領(lǐng)域，LED已經(jīng)取代白熾燈成為照明的主流光源。隨著LED效率的提高，LED的應(yīng)用領(lǐng)域也不斷拓展，并且市場(chǎng)滲透率逐步提升。

目前，相對(duì)于GaN基的藍(lán)綠光LED，AlGaInP基紅光LED的發(fā)光效率不夠高。LED的發(fā)光效率通常指的是外量子效率，是其內(nèi)量子效率與光提取效率的乘積。雖然利用量子阱和異質(zhì)結(jié)設(shè)計(jì)有源區(qū)能夠使紅光LED的內(nèi)量子效率接近理論極限100%，但是結(jié)構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化的紅光LED光提取效率只有2%左右。造成紅光LED外量子效率低的主要原因如下：1)各向同性自發(fā)輻射限制了光提取效率。注入到有源區(qū)中的電子和空穴以自發(fā)輻射的形式復(fù)合發(fā)光，而自發(fā)輻射在空間各個(gè)方向的強(qiáng)度分布是相同的，由于出射光臨界角的問(wèn)題，只有在光提取角范圍內(nèi)的光才能出射到器件外面，從而限制了LED的光提取效率;2)電極對(duì)光具有遮擋作用。電流從P電極注入，在有源區(qū)中的電子和空穴以自發(fā)輻射的形式復(fù)合發(fā)光，而位于P電極下方的有源區(qū)輻射所出的光被不透光電極遮擋，難以出射到器件外，降低了LED的光提取效率;3)電流擴(kuò)展不均勻。常規(guī)LED主要靠電流的橫向擴(kuò)展進(jìn)入有源區(qū)，擴(kuò)展電流在有源區(qū)輻射復(fù)合出光，但是由于電流橫向擴(kuò)展不均勻，從而使得光提取效率不高；4)側(cè)壁很少出光。普通LED水平寬度是垂直厚度的100多倍，大部分光從頂部出射，側(cè)壁出光通常忽略不計(jì);5)襯底對(duì)光有很強(qiáng)的吸收作用。有源區(qū)輻射復(fù)合射出的光，由于襯底不透明，射向襯底的光會(huì)被襯底吸收。

為解決上述紅光LED存在的問(wèn)題，采用諧振腔發(fā)光二極管(Resonant Cavity Light-emitting Diode, RCLED)結(jié)構(gòu)是一種有效的途徑。1946年，Purcell等[2]預(yù)言了輻射源所處的電磁環(huán)境能改變其自發(fā)輻射特性。將輻射源置于尺寸在波長(zhǎng)量級(jí)的腔中，則其在腔諧振模式處的自發(fā)輻射得到增強(qiáng)，反之則會(huì)受到抑制。在20世紀(jì)90年代初，光腔的概念開(kāi)始進(jìn)入LED的世界，它的應(yīng)用使得LED的外量子效率得到了一個(gè)質(zhì)的飛躍，器件的發(fā)光效率大為提高[3]。RCLED又被稱(chēng)為微腔發(fā)光二極管(Microcavity Light-emitting Diode，MCLED)，這個(gè)概念在1992年被貝爾實(shí)驗(yàn)室的Schubert等[4]首次提出。他們根據(jù)Fabry-Ferot(F-P)腔理論提出了一種新型LED結(jié)構(gòu)——諧振腔發(fā)光二極管(RCLED)。1993年，制造出第一個(gè)紅光RCLED，但效率非常低僅有1%左右[5]，隨后經(jīng)過(guò)不斷的發(fā)展，2000年，Peter Bienstman等[6]提出了一種RCLED的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，RC2LED,形成諧振腔反射(RCR)。2001年，Gray等[7]在這個(gè)基礎(chǔ)上將效率提高到4%。2002年，Delbeke等將光柵輔助(Grating Assisted，GA)結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)在RCLED上，制作出所謂的“GA-RCLED”。 同年，Chiou等通過(guò)減少Q(mào)Ws的數(shù)目，使得RCLEDs調(diào)制速度獲得了明顯提高。2008年，Lei等[8]利用絕緣介質(zhì)材料反射鏡(DDBR)，利用高反射率形成的諧振腔，使得650 nm的紅光RCLED光功率和光增益都有提高，外量子效率達(dá)到6.2%。2009年，Michael等[9]通過(guò)MOCVD制造出了量子點(diǎn)微腔(QD-MC)LED，在600～650 nm紅光波段AlGaInP RCLED的外量子效率已經(jīng)超過(guò)10%。

與傳統(tǒng)平面LED相比，RCLED有以下優(yōu)點(diǎn)：1)光譜線寬較窄，RCLED 有源區(qū)的自發(fā)發(fā)射限制在微腔光場(chǎng)模式中，因此相比傳統(tǒng)平面LED光譜線寬可以更窄，單色性更好，20 mA下光譜半峰全寬(Full Width at Half Maximum，F(xiàn)WHM)僅有十幾個(gè)納米；2)光輸出方向性好，共振腔的干涉效應(yīng)使得器件光輸出的方向性好、發(fā)散角小，與光纖的耦合效率更高；3)具有高亮度、高效率的特點(diǎn)。RCLED和VCSEL都是具有DBR諧振腔的光發(fā)射器件，它們結(jié)構(gòu)的不同之處是兩者的DBR對(duì)數(shù)有差異。兩者都是垂直于腔面出光，但發(fā)光原理不同，前者是自發(fā)發(fā)射，后者是需要達(dá)到粒子數(shù)反轉(zhuǎn)才能起振的受激發(fā)射。與VCESL相比，RCLED優(yōu)勢(shì)有：1)VCSEL有閾值電流限制，而RCLED不需要達(dá)到閾值條件就可激射，所需驅(qū)動(dòng)電流較小；2)RCLED工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，提高了工業(yè)產(chǎn)量，且成本較低；3)相比VCSEL對(duì)溫度敏感的缺點(diǎn)，RCLED具有更好熱穩(wěn)定性。

本文對(duì)紅光RCLED的研究報(bào)道進(jìn)行了分析與總結(jié)，詳細(xì)介紹了高效率紅光RCLED，面向POF的紅光RCLED以及Micro-RCLED的研究進(jìn)展，為之后紅光RCLED的研究提供了理論和實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。

1 RCLED基本原理

1.1 RCLED基本結(jié)構(gòu)

RCLED的基本結(jié)構(gòu)主要由上下布拉格反射鏡與有源區(qū)三部分組成，如圖1所示。上下布拉格反射鏡(DBR)形成厚度為1λ的F-P光學(xué)諧振腔。電子和空穴在有源區(qū)中自發(fā)輻射產(chǎn)生光子。光在諧振腔內(nèi)沿諧振腔往返振蕩，根據(jù)微腔效應(yīng)，腔使內(nèi)部真空電磁場(chǎng)模式密度發(fā)生改變，增大了腔模選定波長(zhǎng)的模式密度，抑制了其他模式密度。根據(jù)干涉效應(yīng)，諧振腔可以讓自發(fā)輻射光子的優(yōu)先傳播方向發(fā)生改變。從而使光輻射中心的角功率分布發(fā)生改變，讓更大部分的光進(jìn)入輻射立體角內(nèi)，使其能夠比無(wú)腔結(jié)構(gòu)具有更好光束的方向性、光斑對(duì)稱(chēng)性，從而達(dá)到提高器件耦合效率的目的。

圖1 RCLED基本結(jié)構(gòu)Fig.1 Basic structure of RCLED

1.2 Fabry-Perot(F-P)微腔原理

光學(xué)微腔是指具有高品質(zhì)因數(shù)且腔尺寸大小與諧振腔波長(zhǎng)數(shù)量級(jí)相同的光學(xué)微型諧振腔。F-P微腔應(yīng)用最為廣泛。它是由兩個(gè)反射鏡與夾在中間的波導(dǎo)介質(zhì)組成。圖2為RCLED的基本原理圖,其中ns是有源區(qū)材料的折射率，ns+1及以上和ns-1及以下分別是上、下DBR之中每一層的折射率，next是DBR以外材料折射率，r1為上DBR反射率，r2為下DBR反射率，要保證有源區(qū)產(chǎn)生的光從頂部出射，必須滿(mǎn)足r1

(1)

其中ξ為駐波波腹增強(qiáng)因子，在有源層放置恰當(dāng)時(shí)一般為ξ=2，τ和τcav分別為自由空間的自發(fā)輻射壽命和諧振腔中自發(fā)輻射壽命。

采用微腔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了器件發(fā)光強(qiáng)度的增強(qiáng)、光譜純度的提高、方向性的優(yōu)化以及內(nèi)量子效率的提升等一系列腔量子電動(dòng)力學(xué)效應(yīng)[10]。

圖2 RCLED原理圖Fig.2 RCLED schematic diagram

1.3 DBR理論

DBR是一種多層薄膜反射器，由厚度為λ/4的不同折射率的材料交替排列組成。由于折射率不同，在每個(gè)界面都會(huì)發(fā)生Fresnel反射。通常由于兩種材料的折射率差比較小，因此在每個(gè)界面發(fā)生的Fresnel反射都不很顯著。兩種材料選擇合適的厚度，可以使所有反射波都實(shí)現(xiàn)相長(zhǎng)干涉。在垂直入射情況下，當(dāng)材料薄膜厚度為1/4光波長(zhǎng)時(shí)，就會(huì)發(fā)生相長(zhǎng)干涉。

DBR的選擇需要滿(mǎn)足三個(gè)條件：1)所選DBR材料要與有源區(qū)和襯底晶格相匹配；2)為獲得更高的反射率，DBR材料需要對(duì)輻射的光波段透明；3)若為電流路徑，DBR材料需導(dǎo)電。

2 紅光RCLED

2.1 高效率紅光RCLED

為進(jìn)一步提高紅光LED的效率，北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)室基于RCLED，從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)到工藝制作再到性能優(yōu)化等方面進(jìn)行了探索與研究。2010年制作出ITO透明窗口層RCLED。如圖3所示，兩個(gè)樣品輸出的光功率都是首先隨注入電流的增大而增加,當(dāng)電流大于一定值以后,由于熱效應(yīng)使得器件的發(fā)光效率降低,光輸出功率隨注入電流的增加而減小。對(duì)樣品1(有ITO)，當(dāng)注入電流為18 mA時(shí)光輸出功率達(dá)到最大值，為0.72 mW，而對(duì)于樣品2(無(wú)ITO)，由于電光轉(zhuǎn)換效率低，當(dāng)注入電流為15 mA時(shí)光輸出功率就達(dá)到了最大值，僅為0.36 mW。表面有ITO的樣品1的最大光輸出功率是表面無(wú)ITO的樣品2的兩倍。這主要是由于表面ITO的引入一方面增加了電流的橫向擴(kuò)展，另一方面有利于光的增透出射。

圖3 樣品光功率隨注入電流變化曲線Fig.3 Variation curve of sample optical power with injection current

測(cè)試結(jié)果表明，有ITO的器件熱特性得到改善，輸出功率得到提高，表面有ITO的器件最大光輸出功率是表面無(wú)ITO的器件的兩倍。由于RCLED缺乏電流鋪展層，諧振腔發(fā)光二極管的性能和特性容易受到P型電極形狀的影響，2011年研究了2種形狀的P電極對(duì)諧振腔發(fā)光特性的影響。如圖4所示，A為單環(huán)電極，B為雙環(huán)電極，通過(guò)對(duì)比單環(huán)與雙環(huán)P電極的RCLED電學(xué)和光學(xué)特性，測(cè)試結(jié)果發(fā)現(xiàn)采用單環(huán)電極的RCLED設(shè)備可靠性高，熱效應(yīng)大，在低電流注入下光輸出功率大。

圖4 RCLED的光輸出功率與偏置電流的關(guān)系Fig.4 Relationship between optical output power and bias current of RCLED

同年，課題組為使電流分布更加均勻，電極采用網(wǎng)格形狀，如圖5所示，該P(yáng)面網(wǎng)格電極焊點(diǎn)尺寸為100 μm，網(wǎng)格寬為4.5 μm。

圖5 用于高效率RCLED的網(wǎng)格電極Fig.5 Grid electrode for high efficiency RCLED

制備了4個(gè)樣品，分別編號(hào)為RC-1、RC-2、RC-3、RC-4。每個(gè)樣品的下DBR為34對(duì)n型AlAs/Al0.5Ga0.5As，上DBR的對(duì)數(shù)均為6對(duì)，不同之處在于DBR材料組分不一樣，材料均為p型AlAs/AlxGa1-xAs。有源區(qū)不同，RC-1由兩個(gè)有源區(qū)組成，F(xiàn)-P腔厚為2λ；RC-2、RC-3、RC-4的有源區(qū)由3個(gè)(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5p量子阱組成，有源區(qū)與上下包層組成標(biāo)準(zhǔn)的厚度為1λ諧振腔。RC-2的包層為(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P，其他三個(gè)樣品的包層均為(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Po對(duì)4種樣品的光電輸出特性進(jìn)行了測(cè)試分析，如圖6所示。

圖6 20 mA注入電流下光輸出功率的對(duì)比圖Fig.6 Comparison of optical output power under 20 mA injection current

實(shí)驗(yàn)表明多有源區(qū)樣品RC-1的最大光輸出功率達(dá)到了3.47 mW，平均光輸出功率3.4 mW。作為單有源區(qū)的RC-4，在20 mA驅(qū)動(dòng)電流下，平均光輸出功率達(dá)到了3.22 mW。

由于電極下方的電流密度過(guò)大，在小注入電流下，這部分輻射復(fù)合發(fā)出的光很大一部分被電極吸收不能發(fā)射出體外，從而影響了外量子效率。故課題組采用對(duì)兩種電極結(jié)構(gòu)分別引入阻擋層，同時(shí)制作相應(yīng)不帶有阻擋層的器件進(jìn)行對(duì)比。電極結(jié)構(gòu)如圖7所示。

圖7 用于高效率RCLED的萬(wàn)字型和網(wǎng)格電極Fig.7 Wanzi and grid electrodes for high efficiency RCLED

網(wǎng)格電極和萬(wàn)字型電極制作了兩種RCLED結(jié)構(gòu)。網(wǎng)格電極分別是沒(méi)有阻擋層的常規(guī)650 nm RCLED，記作A，帶有阻擋層的650 nm RCLED，記作B;萬(wàn)字型電極分別是帶有阻擋層的650 nm RCLED，記為A,無(wú)阻擋層的常規(guī)650 nm RCLED，記為B。測(cè)試結(jié)果如圖8所示。

圖8 光輸出功率與注入電流的關(guān)系圖Fig.8 Relationship between optical output power and injection current

實(shí)驗(yàn)表明在20 mA注入電流下網(wǎng)格電極下引入阻擋層能很大程度地提高光輸出功率，大約是常規(guī)結(jié)構(gòu)的1.54倍，達(dá)到了3.77 mW。其外量子效率超過(guò)8%。對(duì)于萬(wàn)字型電極，帶有阻擋層的器件光功率相比常規(guī)結(jié)構(gòu)增加了20%。上述研究為實(shí)現(xiàn)高效率紅光RCLED奠定了基礎(chǔ)。

2.2 面向POF的紅光RCLED

塑料光纖(plastic optical fiber, POF)因具有柔韌性好、價(jià)格低、抗電磁與輻射干擾、直徑大以及易于安裝等優(yōu)點(diǎn)，成為短距離光通信的重要媒介[11]。但是由于POF色散大，帶寬有限以及基于POF的短距離光通信的普及對(duì)低價(jià)格高性能的光源提出了迫切的要求。半導(dǎo)體激光器的特性好但成本高[12],而普通半導(dǎo)體發(fā)光二極管 (Light-emitting Diodes, LED) 雖然便宜但帶寬小、光纖耦合效率低,諧振腔發(fā)光二極管(Resonant Cavity Light Emitting Diode,RCLED)是在性?xún)r(jià)比方面介于半導(dǎo)體激光器和半導(dǎo)體發(fā)光二極管之間的一個(gè)很好的折衷[13]。RCLED因其獨(dú)特結(jié)構(gòu)具有高效率、高亮度、高提取效率以及良好的溫度可靠性等優(yōu)點(diǎn)。不僅如此，與傳統(tǒng)的LED相比，RCLED可以在高的調(diào)制速度下工作,光譜純度高,還有較高的外量子效率。近年來(lái)，隨著塑料光纖通信和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，RCLED受到的關(guān)注也越來(lái)越多。特別是紅光RCLED應(yīng)用越來(lái)越廣泛，在光纖通信數(shù)據(jù)領(lǐng)域扮演著越來(lái)越重要的角色。尤其是輸出波長(zhǎng)為650 nm的RCLED,對(duì)應(yīng)于POF的低損耗波段,是短距離光通信的理想光源[14]。

2009年課題組提出了一種將AlGaInP 材料作為 p 型上DBR, AlGaAs 材料作為n型下DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱為有源區(qū),GaP 材料為 p 型歐姆接觸層的650 nm共振腔發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，實(shí)驗(yàn)獲得了高性能的RCLED，如圖9所示[15]。

圖9 RCLED光功率與遠(yuǎn)場(chǎng)分布圖Fig.9 Optical power and for field distribution of RCLED

結(jié)果表明，相比普通LED，RCLED具有更高的發(fā)光效率、波長(zhǎng)穩(wěn)定性以及較窄的光譜半寬與較小的遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角，是用于短距離光通信時(shí)與POF耦合的理想光源。為進(jìn)一步優(yōu)化RCLED性能，同年研究了650 nm RCLED的外延特性，利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法生長(zhǎng)了波長(zhǎng)為650 nm的諧振腔發(fā)光二極管，采用AlGaInP材料系作為頂層DBRs。測(cè)試數(shù)據(jù)如圖10所示。

圖10 RCLED測(cè)試結(jié)果圖Fig.10 RCLED test result chart

實(shí)驗(yàn)表明，AlGaInP頂級(jí)DBR具有更好的接口質(zhì)量和低電壓。器件在0.5 mA下的電壓為2.2 V，平均發(fā)光效率為0.5 mW，半波寬為10 nm[16]。2011年研究了氧化孔徑對(duì)RCLED特性的影響。利用濕法氧化技術(shù)制備了具有電極孔徑為80 μm的三種不同氧化孔徑的RCLED。氧化孔徑分別為90 μm、110 μm、130 μm，如圖11所示[17]。

圖11 電壓，輸出光功率與電流關(guān)系圖Fig.11 Voltage, output optical power and current diagram

實(shí)驗(yàn)表明，氧化孔徑越小，輸出電壓越大，由于在相同電流下氧化孔徑越小，電流密度越大，故獲得最大輸出功率的速率越快。氧化孔徑越大，光功率越小是由于較大的串聯(lián)電阻和電流密度，使得注入的電子以非輻射的方式釋放能量。這一研究?jī)?yōu)化了RCLED性能，對(duì)POF通信系統(tǒng)中RCLED光源器件做了進(jìn)一步改善。

2.3 Micro 紅光RCLED

Micro-LED是指發(fā)光單元橫向尺寸在50 μm 以下的LED[18]。Micro-LED具有高亮度、低功耗、壽命長(zhǎng)、高響應(yīng)速度等優(yōu)異特性，現(xiàn)已成為顯示領(lǐng)域的熱點(diǎn)，目前基于GaN基藍(lán)光和綠光Micro-LED制備相對(duì)成熟。但是隨著Micro-LED橫向尺寸的減小，側(cè)壁表面積占比增大，導(dǎo)致側(cè)壁的非輻射復(fù)合面積增大并且基于AlGaInP的紅色微型LED側(cè)壁非輻射復(fù)合效應(yīng)比基于GaN的LED更嚴(yán)重，使得效率進(jìn)一步降低。采用RCLED可以減少側(cè)壁非輻射復(fù)合，提高效率。

2018年，北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)室通過(guò)設(shè)計(jì)4組氧化孔徑分別為60 μm、50 μm、20 μm、10 μm，其他結(jié)構(gòu)均相同的650 nm RCLED與發(fā)光面積為60 μm的普通LED進(jìn)行比較。結(jié)果如圖12所示，可以看出，在2 mA以下，10 μm尺寸RCLED的光功率最高，最高可達(dá)0.28 mW。

圖12 不同尺寸RCLED的功率曲線Fig.12 Power curves of RCLED with different sizes

圖13(a)為4組不同器件的半波全寬圖，(b)圖為4組不同器件的峰值波長(zhǎng)λp圖?？梢钥闯雠c面積為60 μm的圓臺(tái)型無(wú)腔650 nm LED在5 mA電流下FWHM為17 nm。相比較RCLED的光譜純度更高，RCLED的失諧和尺寸變化均不會(huì)對(duì)λp產(chǎn)生影響，穩(wěn)定在650 nm左右；而普通LED的λp在1～7 mA電流變化范圍內(nèi)從650 nm變化至654.5 nm[19]。

圖13 器件尺寸對(duì)光譜影響Fig.13 Influence of device size on spectrum

結(jié)果表明，10 μm孔徑器件在1 mA電流下達(dá)到0.16 mW的光功率和7%的外量子效率。20 μm尺寸器件在5 mA下達(dá)到0.42 W光功率。峰值波長(zhǎng)為650 nm，并且在0.1～7 mA范圍內(nèi)不隨電流改變而發(fā)生變化。RCLED比普通LED具有更好的單色性和溫度穩(wěn)定性。

2020年，北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)室為實(shí)現(xiàn)微顯示高外量子效率及小電流模式下的正常工作，提出了一種將共振腔發(fā)光二極管與AlAs側(cè)向氧化技術(shù)結(jié)合的Micro-RCLED。其結(jié)構(gòu)圖如圖14所示。

圖14 Micro-RCLED結(jié)構(gòu)示意圖Fig.14 Structure diagram of Micro-RCLED

課題組制作了3個(gè)氧化孔徑為17 μm的并聯(lián)的655 nm Micro-RCLED，測(cè)試結(jié)果如圖15所示[20]。

圖15 Micro-RCLED的光功率與外量子效率與驅(qū)動(dòng)電流的變化曲線Fig.15 Curve of optical power, external quantum efficiency and driving current of Micro-RCLED

結(jié)果表明，器件的外量子效率大于10%，當(dāng)電流密度變化12.5倍時(shí)，峰值波長(zhǎng)增加1.5 nm，半波寬增加了0.33 nm，并且在低于1 μA工作電流下，單個(gè)Micro-RCLED可以發(fā)光。

3 結(jié)語(yǔ)

本文闡述了RCLED的原理、基本結(jié)構(gòu)、優(yōu)點(diǎn)及其應(yīng)用，重點(diǎn)介紹了紅光RCLED的研究進(jìn)展。為提高發(fā)光二極管效率，國(guó)內(nèi)外研究者在對(duì)改善其性能和解決工藝等方面的困難進(jìn)行了不同的探索。本文主要從高效率紅光RCLED、面向POF的紅光RCLED以及Micro-RCLED三個(gè)方面介紹了課題組對(duì)提高紅光RCLED效率所做的研究工作。

隨著RCLED研究的不斷深入，性能不斷提高，使得紅光RCLED在輸出功率、波長(zhǎng)穩(wěn)定性、提取效率等方面提升較快，并且已廣泛應(yīng)用于可見(jiàn)光光通訊、醫(yī)療、照明和顯示等領(lǐng)域。由于RCLED廣泛的應(yīng)用于生產(chǎn)生活中的各個(gè)方面，市場(chǎng)對(duì)RCLED的各方面性能提出了更高的要求。因此我們需要進(jìn)一步的研究，使器件的性能更加穩(wěn)定，獲得更大的提取效率，以及拓展可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍等其他性能上的突破，實(shí)現(xiàn)高效率紅光RCLED，使其在未來(lái)的發(fā)展中具有更加廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用。