碳化硅是寬禁帶半導體材料的典型代表,具有禁帶寬、臨界擊穿電場高、熱導率高等優異的物理性質,是制造高功率、高溫半導體器件的理想半導體材料,也是現階段從單晶襯底、外延、器件和應用產業鏈條技術全面發展的第三代半導體材料。
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司(簡稱南砂晶圓)成立于2018年,位于廣州市南沙區,是聚焦碳化硅產業上游,專注碳化硅單晶襯底材料的高技術企業,是山東大學教育部新一代半導體材料研究院的產業化基地。其碳化硅單晶制備技術來源于山東大學晶體材料國家重點實驗室。南砂晶圓以山東大學研發的6英寸碳化硅單晶制備技術成果為基礎,并同山東大學開展全方位產學研深度合作,共同研發和生產碳化硅襯底材料,堅持創新發展,不忘初心,樹立“聚沙成晶、科技報國”的愿景。
南砂晶圓已經建成1.3萬平方米研發廠房,擁有晶體生長爐和完整的相關襯底加工線,產品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主,現年產各類碳化硅襯底晶片6萬片。2020年二期擴產項目已經動工,總投資9億元,總建筑面積達64 746 m2,擴產后規模達1 000臺碳化硅晶體生長爐及相應襯底加工設備,成為國際領先的碳化硅晶體材料及相關產品供應商。

南砂晶圓的6英寸碳化硅單晶襯底及單晶生長爐
南砂晶圓公司管理和技術團隊實力雄厚,由教授、博士、碩士等研發與管理人員組成。南砂晶圓董事長王垚浩博士是教授級高級工程師,長期任佛山市國星光電股份有限公司(002449.SZ)董事長、總經理、黨委書記,有豐富的企業管理經驗,2003—2016年,連續擔任科技部半導體照明重大專項和863專項專家組專家。
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