西瓜“溝式栽培”利弊分析及改進措施

羅鴻 楊卓 呂彩艷 馬冬妮

西瓜的根系屬直根系。其初生根少，木質化程度高，再生能力弱，且不耐澇，因而對土壤的通透性要求較高，在生產上多以“壟式栽培”為主。近年來，扶風縣召公鎮的瓜農們克服當地水資源匱乏的困境，成功開創了露地西瓜“溝式栽培” 的模式，取得了較好的經濟效益，打破了當地“沒水不種瓜，種瓜錢白花”的傳統觀念，鄰近的鄉鎮天度、店頭（永壽）、臨平（乾縣）、蘇坊（武功）等地的瓜農們也多仿效，有力帶動了干旱半干旱地區的西瓜生產。筆者經長期的田間調研發現，西瓜“溝式栽培”相對于傳統“壟式栽培”具有抗倒春寒、節約水資源、易于田間管理等優點，但在生產中還有亟待改進的方面。現將兩種栽培模式的優缺點作以簡要分析，并對“溝式栽培”模式提出可行的改進措施，以期幫助廣大瓜農增產增收、促進當地西瓜產業升級。

1? ?西瓜“壟式栽培”模式優缺點

1.1? ?“壟式栽培”優點

1）土層疏松，利于西瓜根系生長。壟式栽培一般是在精細整地的基礎上，由人工起壟或機械刨壟而成，種植壟在地膜覆蓋下降雨、灌溉水不能直接進入，因而壟間土壤疏松、通透性良好，利于西瓜根系正常生長。

2）地溫回升快，利于定植后幼苗根系的生長。“壟式栽培”因壟面高于地面，能充分接受太陽輻射熱量，相比于“溝式栽培”，其種植帶內的地溫回升較快，利于定植后的西瓜幼苗生發新根，因而緩苗時間短。

3）地膜與土層接觸緊密，抑制雜草效果好。一方面，相對密閉的膜下空間阻隔了雜草萌發時氧氣的供應量;另一方面，膜下地表的高溫環境（41～48 ℃）也不利于雜草種子發芽，進入高溫季節（氣溫>35 ℃時）后膜下表土溫度更高，達50 ℃以上，能直接灼傷雜草生長點及葉片，抑制其生長。

4）雨水不易富集到根部，不會發生漚根、死苗現象。因壟式栽培是凸形畦面，降雨或灌溉水只在壟外行間富集，不會使瓜根際的土壤水分過大而影響其通透性，可有效避免漚根、死苗情況的發生。

1.2? ?“壟式栽培”缺點? ?“壟式栽培”需人工開挖定植穴，費工費時。瓜苗定植于畦面頂部，定植穴蓄水有限，不耐干旱;瓜苗處于露天環境，遇太陽暴曬易失水萎蔫，遇寒潮低溫易受冷害，導致瓜苗生長緩慢。灌溉時需大水漫灌，浪費水資源，田間土壤板結嚴重。只能采取行間灌溉，田間濕度大易造成行間雜草叢生。高濕高溫環境極易誘發病害（葉枯病、蔓枯病、細菌性果斑病、炭疽病等）。對水源條件要求高，不適宜在干旱半干旱地區應用。

2? ?西瓜“溝式栽培”模式優缺點

采用機械刨壟（刨壟法）或機械開溝（開溝法），形成“兩壟夾一溝”的種植溝（一般兩壟頂部寬度40 cm，溝底部寬度10 cm，壟高30 cm），將肥料撒施于定植溝內耙勻，然后泵水漫灌種植溝。溝內水滿關泵，待水分下滲后開始栽苗。栽植瓜苗時，小心捏住瓜苗根莖部將營養缽土球直接按入稀泥中，以土球沒入泥中1 cm為準。最后，覆蓋地膜，培土壓膜，并在膜上摳直徑3～5 cm的通風孔，1苗1孔。瓜苗定植5～7天后，放苗出膜，后期田間管理與“壟式栽培”無異。見圖1。

2.1? ?“溝式栽培”優點

1）相比于“壟式栽培”施肥于1 m寬的種植帶內、然后旋耕刨壟的方式，“溝式栽培”具有肥料集中、肥效持久、利用率高的優勢。

2）泥中植苗，全程不用人工挖穴、培土定植，省工高效。

3）“以膜為棚”，保溫保濕，能保證瓜苗正常生長。瓜苗定植完畢即進行人工覆膜。覆膜后不放苗出膜，在膜上摳直徑3～5 cm的通風孔，5～7天后選晴天午后放苗出膜。利用膜下保溫保濕功能促進瓜苗平穩緩苗、快速生長，并可有效抵御不利氣候（倒春寒、晚霜凍）的影響。

4）土壤蓄水量充足，利于瓜苗伸蔓期生長。西瓜定植20天后即進入伸蔓期，這是西瓜一生中生長最快階段，也是光呼吸最旺、蒸騰作用最強、水分需求最緊迫階段。“溝式栽培”模式下，土壤蓄水量充足，能夠很好地滿足此期的水分要求，利于瓜蔓營養面積的快速形成。

5）可“膜上走水”，節水抗旱，適合干旱半干旱地區推廣。西瓜膨大階段是產量形成期，對于水資源匱乏地區，此時若遇高溫干旱天氣將導致嚴重減產。利用“溝式栽培”模式可進行“膜上走水”，即以微型泵抽水或人工拉水注入溝膜上自行流淌，水分在流動過程中從西瓜定植孔或放風孔處下滲至根部土壤，達到節水高效、抗旱增產之目的。因此，該模式在旱塬地區具有良好的表現（見圖2）。

6）田間濕度較低，不利于病害傳播。由于“膜上走水”只在種植溝間灌溉，種植行一般不澆水，能顯著降低大田濕度，利于減輕西瓜中后期階段的病害發生。

2.2? ?“溝式栽培”缺點

1）種植帶呈凹形，溝內接受陽光輻射熱量有限，土壤升溫較慢，不利于新生根系的形成，故瓜苗定植后其緩苗時間較長。

2）種植溝內土壤含水量較高、通透性差，瓜苗前期生長較慢。

3）氣溫驟升時，若通風孔過小或位置不當，易導致熱害或高溫“燒苗”。

4）遇降雨時，膜上易積水壓傷瓜苗，或雨水從定植孔滲入根部，增大土壤含水量，導致漚根、死苗現象。

5）定植溝內易滋生雜草，縮短地膜的使用壽命。

3? ?西瓜“溝式栽培”改進措施

3.1? ? 改進刨壟法，拓寬溝底和壟面? ?延用刨壟法，但加大“兩壟夾一溝”的溝底寬度（﹥20 cm）、壟頂寬度（﹥60 cm以上），并采用寬幅地膜覆蓋（幅寬﹥120 cm）。淘汰開溝法。加大壟間距離、采用寬膜覆蓋，既可提高對太陽光輻射熱的利用率、減少地表水分蒸發，又可降低膜上積水的隱患。開溝法的溝式栽培畦面窄小，蓄積光溫資源有限，且易形成膜上積水，反倒不利于瓜苗生長。

3.2? ?將瓜苗緊靠在瓜蔓爬向側的壟邊（即溝的半坡）栽植，不要栽在溝正中（見圖3）? ?這樣，即便膜上雨水灌入瓜秧根部，深入壟下的根系仍能維持瓜秧的正常生長，避免漚根死苗。

3.3? ?覆蓋地膜松緊適度? ?膜面過松，易造成膜面積水或灼傷葉片;過緊，會給后期放苗培土工作帶來不利影響，一般以膜面高于瓜苗3～5 cm為度。

3.4? ?覆膜后在相鄰兩個瓜苗的中間位置開通氣孔? ?若在瓜苗的正上方開留通風孔，極易造成膜下熱氣逸出時灼傷瓜苗。

3.5? ?放苗開口要大，以確保膜面不接觸瓜苗根莖? ?防止膜下水汽燙傷瓜莖誘發潰瘍病? 同時，用虛土圍嚴瓜根、壓實放苗口和通風孔，一防膜下熱氣灼傷瓜葉，二防膜下雜草叢生。兩瓜苗間的通風孔實際是水分下滲孔，所以土堆不宜過大，以免影響前期“膜上積水”下滲、后期“膜上走水”受阻。

3.6? ?整蔓上壟，不跨溝? ?瓜秧伸蔓期整蔓時要培土，把瓜秧倒向緊靠的一側壟上向前生長，瓜蔓不能跨溝生長，以免給后期田間作業、膜上灌溉等帶來不便。見圖4。

4? ?西瓜“溝式栽培”改進后效果

自2018年以來，筆者先后在召公鎮的聚糧村、新莊村、召公村、作里村等10余個村大力推廣“兩壟夾一溝”的改良栽培模式，有效解決了“開溝法”溝式栽培存在的積水壓苗、遇雨死苗、緩苗周期長的弊端;積極倡導“膜上走水”的灌溉方式，達到了節水、高效的生產目的。目前，新“溝式栽培”模式已經得到了當地瓜農的認可，栽培面積逐年擴大。據召公鎮農技站統計，2019年召公鎮西瓜種植面積達600 hm2，其中采用“新溝式栽培”面積約100 hm2，占總面積16.7%;2020年全鎮西瓜面積450 hm2，“新溝式栽培”面積約200 hm2，占總面積44.4%。

（參考文獻略）