*呂明 趙瑞歡
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隨著電子工業的迅速發展,導體漿料廣泛應用于厚膜集成電路、電阻器、MLCC、太陽能電池電極、OLED、印刷高分辨率導電體、薄膜開關、柔性電路等領域。金屬銀以其較高的電導率、優異的物理化學性能和可接受的價格,使得導電銀漿在成千種電子漿料產品中占據了無可替代的地位。為了提高電子產品的競爭力,基礎材料導電銀漿的高可靠性、低成本化成為了行業共同的追求。目前導電銀漿中的導電相主要是微米或亞微米銀粉,為了提高導電銀漿的性能,滿足更廣闊的應用需求,近年來,國內外正在開展導電漿料貴金屬納米化的研究,并已形成一定程度的產業化。在某些情況下,納米銀漿料表現出極大的電阻率和不導電行為,這增大的電阻率實際上是由于增加的表面接觸面積的緣故,而納米粒子的接觸點要遠遠多于微米粒子的接觸點。在采用納米銀粉制備導電銀漿時,為了減少導電銀膜的電阻率,有效的方式是降低填充顆粒間的接觸點數,所以我們并非在導電銀漿中全部采用納米銀顆粒,而是給微米銀漿中摻雜適量納米銀粉,討論在粉末顆粒最緊密堆積理論Dinger-Funk方程的基礎上研究不同粒徑銀粉級配及不同形貌銀粉搭配對導電銀漿方阻的影響,制得性能優良的導電銀漿。
本實驗采用納米球狀銀粉、微米球狀銀粉、片狀銀粉、有機載體,混合輥軋多遍得到所需的導電銀漿。……