Rambus解決方案擴展高性能內存子系統產品
2021-07-25 02:30:52肖霞
計算機與網絡 2021年11期
肖霞
Rambus近日宣布推出Rambus HBM2E內存接口子系統，該子系統包括一個完全集成的PHY和控制器，在三星先進的14/11nm FinFET工藝上經過硅驗證。通過利用30多年的信號完整性專業知識，Rambus解決方案的運行速度高達3.2Gbps，可提供410GB/s的帶寬。這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求，此類加速器針對性能要求最為嚴苛的AI/ML訓練和高性能計算（HPC）應用。
三星電子設計平臺開發副總裁Jongshin Shin說：“我們與Raanbus的合作將業界領先的內存接口設計專業知識與三星最尖端的工藝和封裝技術結合在一起。AI和HPC系統的設計人員可以使用HBM2E內存實現平臺設計，利用三星先進的14/11nm工藝，以達到無與倫比的性能水平。”
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