新思科技與三星合作　加速推廣變革性3nm GAA技術

侯浩大

新思科技近日宣布，其Fusion Design Platform已支持三星晶圓廠實現一款先進高性能多子系統片上系統（SoC）一次性成功流片，驗證了下一代3nm環繞式柵極（GAA）工藝技術在功耗、性能和面積方面的優勢。此次流片成功是新思科技和三星之間廣泛合作的成果，旨在加快提供高度優化的參考方法學，實現全新3D晶體管架構所固有的卓越功耗和性能。

新思科技提供的參考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括業界唯一高度集成的、基于金牌簽核引擎的RTL到GDSII設計流程，以及最受業界信賴的金牌簽核產品。采用三星最新3nm GAA工藝的客戶，可在高性能計算（HPC）、5G、移動應用和人工智能應用領域，為下一代設計實現理想PPA目標。

三星晶圓設計技術團隊副總裁Sangyun Kim表示：“三星晶圓是推動下一階段行業創新的核心，我們基于工藝技術的持續演進，來滿足專業和廣泛市場應用日益增長的需求。全新的先進3nm GAA工藝得益于與新思科技的廣泛合作，Fusion Design Platform讓我們加速實現3nm工藝的前景，這也充分彰顯了與行業領先者合作的重要性和優勢。”

GAA架構為更高的晶體管密度提供了經過流片驗證的途徑，GAA架構改進了靜電特性，從而提高了性能降低了功耗，并帶來了基于納米片寬度這一工藝矢量的全新優化機會。這種額外的自由度與成熟的電壓閾值調諧相結合，擴大了優化解決方案的空間，從而更精細化地控制總體目標設計PPA指標的實現。新思科技和三星開展密切合作，加速這一變革性技術的可用性并進一步提高效能，從而在新思科技的FusionCompiler和IC CompilerⅡ中實現了全流程、高收斂度優化。