上海華力微電子有限公司 上海 200000
氧化擴散爐的溫度控制一直是半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)的要點,在科技不斷進(jìn)步的背景下,半導(dǎo)體技術(shù)也在不斷進(jìn)步,集成電路更近換代周期縮短,而各類新型集成電路的性能優(yōu)化的同時,也對相關(guān)的工藝、技術(shù)和質(zhì)量控制提出了更高的要求。因此很有必要開展氧化擴散爐溫度控制系統(tǒng)研究,以此來為集成電路產(chǎn)品的生產(chǎn)和創(chuàng)新提供助力。
氧化擴散爐的作用不僅是加熱,還在于溫度控制,因此需要設(shè)計一個具有加熱、溫度測控、實時顯示的系統(tǒng)方案。
(1)加熱方案設(shè)計。氧化擴散爐的爐體主要負(fù)責(zé)擴散環(huán)節(jié)加熱,設(shè)計為三段電加熱方式,所有加熱爐絲的電源都互不相干,彼此獨立,溫度控制主要依靠比例控制器。三段加熱的功率都較大,而電壓很低,爐口的功率和電壓分別是1.5千瓦和23伏,爐中分別是2.1千瓦和33伏,爐尾與爐口相同。過往依靠晶閘管調(diào)相加熱方式,這種加熱方式雖然能夠有效提升電網(wǎng)功率因數(shù),但是整體上看系統(tǒng)效率較低。本文設(shè)計開關(guān)電源加熱方式,通過半橋逆變開關(guān)電源進(jìn)行加熱,成本低效率高。
(2)系統(tǒng)總體方案設(shè)計。系統(tǒng)進(jìn)行分為測溫、控溫、加熱和其他幾部分內(nèi)容,測溫需要進(jìn)行溫度信號采集、處理及轉(zhuǎn)換,控溫的關(guān)鍵在于FPGA核心單元,加熱為半橋逆變及其驅(qū)動電路,剩下的就是其他部分。
進(jìn)行系統(tǒng)總體設(shè)計,先借助S型熱電偶實現(xiàn)溫度采集,明確測溫范圍和相應(yīng)電壓。為避免干擾信號,要采取電路濾波設(shè)計,為了保證熱電勢,還要設(shè)計熱電偶的冷端補償。再以A/D轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行信號的轉(zhuǎn)換和傳輸,使其到達(dá)FPGA控制系統(tǒng)。系統(tǒng)控制板為FPGA開發(fā)板,主要是具有PWM脈沖信號發(fā)生器、增量PID控制器和數(shù)據(jù)分析和處理輸出功能。PWM從FPGA發(fā)出,借助半橋逆變電路實現(xiàn)加熱調(diào)節(jié),最終實現(xiàn)溫度控制。此外,系統(tǒng)設(shè)計還包括電源供電設(shè)計、用按鍵來溫度設(shè)置、用LCD顯示來實現(xiàn)溫度實時顯示,當(dāng)溫度過高時,保護(hù)電路將發(fā)揮作用[1]。
(1)FPGA控制電路。首先要選擇合適的FPGA芯片,綜合效率、功能、能耗和價格進(jìn)行綜合考慮,最終選擇了Altera的Cyclone Il系列EP2C8Q208C8芯片。進(jìn)行時鐘電路設(shè)計,以50MHZ有源晶振為系統(tǒng)時鐘,采取單端時鐘信號,系統(tǒng)時鐘從CLKO引腳輸入,同時將其他不用的時鐘引腳接地。EPGA供電電路主要是芯片的輸出和輸入、可編程邏輯、可編程鎖相環(huán)三部分進(jìn)行供電。程序下載及配置電路主要借助AS和JTAG兩種配置模式。FLASH數(shù)據(jù)存儲電路主要芯片采用3.3V單電源供電,數(shù)據(jù)存取時間為90ns,支持TTL邏輯電平,4M化it的芯片容量。
(2)溫度采集電路。熱電偶是溫度采集中的關(guān)鍵元件,能夠進(jìn)行信號轉(zhuǎn)化,需要合理選擇合適的熱電偶。熱電偶根據(jù)偶絲材質(zhì)區(qū)分型號,型號不同輸出熱點是也有差異,同時熱電偶還有分度號上的差異,進(jìn)行熱電偶選擇時先要看型號,再要看分度號和防爆、精度的等級,接著要考慮安裝固定形式、保護(hù)管材質(zhì)、長度或插入深度。
(3)信號調(diào)理電路。信號調(diào)理分為放大濾波和冷端補償兩部分。放大濾波需要合適的儀表放大器增加分辨率,同時還要設(shè)計低通濾波電路來進(jìn)行干擾信號抑制,要明確電壓。冷端補償包括冰點槽法、熱電勢修正法、電橋補償法、補償導(dǎo)線法、軟件補償法等,其中軟件補償法具有成本低、難度小的優(yōu)點,為本設(shè)計采用。
(4)A/D轉(zhuǎn)換電路。A/D轉(zhuǎn)換電路主要是將采集的溫度信號轉(zhuǎn)化為能夠被FPGA處理的數(shù)字信號。要綜合分辨率、轉(zhuǎn)換誤差、轉(zhuǎn)換時間和線性度等參數(shù)因素選擇合適的A/D轉(zhuǎn)換器,系統(tǒng)要求分辨率在0.16mV以上,根據(jù)此選擇相應(yīng)的A/D轉(zhuǎn)換芯片,并明確電壓設(shè)計電路。
(5)半橋逆變電路。選擇合適的電路元器件。對于二極管,要考慮電流電壓的波動和裕量,明確電壓、電源最大功率和最大輸入電流,以便選擇合適的輸入整流橋。對于輸入濾波電容,通過計算得出直流輸入電壓的相關(guān)數(shù)據(jù),明確輸入電容大小。此外還要明確IGBT、變壓器、輸出整流元件、輸出濾波元件以及散熱片面積[2]。
(1)增量PID控制器。在很多控制系統(tǒng)中都會應(yīng)用到數(shù)字PID,這主要是結(jié)合控制對象構(gòu)件數(shù)學(xué)模型,并借助對比例、微分、積分系數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié),來實現(xiàn)對系統(tǒng)的控制。本系統(tǒng)采取增量PID控制器,同時借助FPGA的LPM宏模塊對其做出設(shè)計,以便避免微處理時出現(xiàn)程序跑飛的情況,提升增量PID控制器的應(yīng)用效果。
(2)PWM信號發(fā)生器。PWM技術(shù)能夠借助數(shù)字輸出實現(xiàn)對模擬電路的控制,將信號用數(shù)字形式進(jìn)行傳送,具有抑制諧波和動態(tài)響應(yīng)強的優(yōu)勢,是測量。通信等行業(yè)中的常用技術(shù)。PWM的單片機在應(yīng)用中存在一定的局限,會影響系統(tǒng)的抗干擾能力,或者導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。因此,要將PWM控制器與FPGA系統(tǒng)結(jié)合,解決原本的隱患,是其能夠更好地發(fā)揮作用。
(3)Nios Ⅱ嵌入式處理器系統(tǒng)。Nios Ⅱ軟核處理器成本較低、性能高、可配置、生命周期長、易于開發(fā)升級,具有良好的應(yīng)有優(yōu)勢。在使用時,需要結(jié)合系統(tǒng)方案對處理器進(jìn)行特別設(shè)計,要合理設(shè)置系統(tǒng)時鐘和添加系統(tǒng)CPU,還要結(jié)合硬件電路情況增加外設(shè)以及設(shè)置中斷請求和系統(tǒng)起始地址。
(4)系統(tǒng)控制程序。系統(tǒng)控制程序設(shè)計包括A/D轉(zhuǎn)換器、液晶屏顯示、和按鍵驅(qū)動程序三方面內(nèi)容,對于A/D轉(zhuǎn)換器驅(qū)動程序設(shè)計要借助三次傳輸進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,對于液晶屏顯示驅(qū)動程序要在相應(yīng)的軟件中完成C語言,并在Nios Ⅱ編程,對于按鍵驅(qū)動程序,要形成矩形鍵盤并檢測調(diào)整。
綜上所述,集成電路產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量與溫度因素息息相關(guān),做好溫度控制是提升產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量和效率的重要措施。不斷更新發(fā)展的集成電路需要更加優(yōu)質(zhì)的設(shè)備和工藝的支持才能夠從設(shè)計落實成為產(chǎn)品,氧化擴散爐作為重要設(shè)備需要得到優(yōu)化。