(包頭輕工職業技術學院 能源工程系, 內蒙古 包頭 014035)
當前,低反射率材料已成為許多傳感器部件的重要應用材料之一,能夠顯著減弱低溫部件受到高溫環境的熱輻射影響[1-2]。但部件受到高溫作用后會在表面產生氧化產物,導致表面輻射性能發生變化,從而將更多熱量通過熱輻射方式傳導至低溫部件[3]。為了增強對低溫部件的保護作用,需要開發具備更優熱穩定性的低反射率材料。例如,有學者采用金與鉑制成金屬涂層,從而實現低反射率的性能,有效控制高溫部件產生的熱輻射[4-6]。但由于在高溫環境中,部件的表面會生成許多氧化物,并且受到基體元素的擴散影響,導致結構涂層達到更高紅外反射率。為了降低表面紅外輻射功率,可通過金屬層與陶瓷層共同復合結構來實現,同時顯著提高材料力學強度并獲得更優的化學穩定性[7]。在復合層中,金屬層可以有效反射紅外輻射,從而顯著降低涂層的紅外反射率,同時陶瓷層因具備高硬度與良好的化學惰性,能夠對涂層發揮良好的表面保護作用,避免受到機械損傷。現階段,AlCrN陶瓷已成為許多抗高溫材料表面保護結構,表現出巨大的應用潛力。受到高溫作用后,陶瓷層的表面會生成致密組織結構的Al2O3與Cr2O3產物,有效抑制氧元素往內部組織擴散的過程[8-10]。還有學者將Si元素摻入AlCrN陶瓷層內,從而顯著增強陶瓷層的抗高溫氧化能力,達到更優的熱穩定性[11-12]。但到目前為止,還沒有文獻報道涂層發生低紅外反射性能失效的作用機制,需要根據經驗預測合適的工作溫度,以此分析涂層發生高溫失效的作用機理,為優化陶瓷層抗擴散能力提供參考價值,同時確定涂層最佳工作溫度。
本文選擇多弧離子鍍工藝,并以Ni-11Cr合金作為基材,制得具備低紅外反射率的Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層,并對上述兩種涂層熱處理后的表面微觀組織、元素含量及紅外反射率進行測試。
以Ni-11Cr合金作為基材,通過表面打磨的方式控制表面均方根粗糙度在50~60 nm之內。本試驗在HPARC-I多弧離子鍍儀器上完成,在Ni-11Cr合金表面制得Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層,經測試發現這兩種涂層的紅外反射率都<0.2,表現出較低的數值。涂層制備前,采用乙醇試劑對基體持續進行15 min超聲清洗,之后利用烘箱將基體充分烘干后待用。對基體材料實施預處理,充分去除氧化物、油污等雜質,把基體放入多弧離子鍍真空腔中,再抽真空使壓力達到 6×10-3Pa以下,接著通入Ar氣,并設置800 V偏壓,經5 min預濺射處理,確保表面雜質被徹底清除。
表1給出了上述兩種涂層的制備工藝條件,設定腔體氣壓為0.5 Pa,施加60 A的弧電流,占空比70%,基體偏壓-120 V,同時控制沉積溫度為220 ℃。

表1 Cr/AlCr(Si)N涂層制備工藝參數
以Lindberg/BlueM真空管式爐與SX2-4-10馬弗爐作為加熱設備對涂層進行真空熱處理,持續退火8 h,以5 ℃/min的速率升溫到設定溫度(700~900 ℃)并保持10 min,然后空冷。通過Empyrean X射線衍射儀表征涂層的物相成分與晶體組織結構。同時利用JEM-2100F場發射透射電鏡觀察涂層的微觀結構。利用Tensor 27型傅里葉變換紅外光譜儀觀察涂層的紅外反射率R(λ,T)(2~2.5 μm)。
圖1為真空熱處理前Cr/AlCrSiN與Cr/AlCrN涂層的XRD圖譜。可以看到,真空熱處理前兩種涂層都形成了Cr(100)晶面和Cr(201)晶面的特征峰,屬于面心立方晶體結構,呈現沿(100)晶面取向生長的特點,同時也觀察到AlN(011)晶面特征峰。且兩種涂層的XRD表征未觀察到強度很高的衍射峰,表現為納米晶與非晶的組織形態。

圖1 真空熱處理前Cr/AlCr(Si)N涂層的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of the Cr/AlCr(Si)N coatings before vacuum heat treatment

圖2 試驗涂層真空熱處理后的XRD圖譜Fig.2 XRD patterns of the tested coatings after vacuum heat treatment(a) Cr/AlCrN; (b) Cr/AlCrSiN
圖2給出了不同溫度真空熱處理后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的XRD圖譜。根據圖2可知,兩種涂層經800 ℃熱處理后,XRD圖譜上出現的Cr2O3與Al2CrO3的特征峰不明顯;900 ℃熱處理后,氧化物晶體結構特征衍射峰明顯增加。這是因為較高的熱處理溫度更容易引起陶瓷層的氧化。同時根據檢測到的Al2CrO3相可以判斷在涂層表面生成了(Al, Cr)2O3混合氧化物,但無法精確確定Al與Cr的原子比,這主要是因為Cr2O3可以在Al2O3內達到很高的溶解度。
圖3為真空熱處理前Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的表面和截面SEM形貌,表2給出了測點的元素分析。由圖3和表2可知,兩種涂層的組織呈柱狀形態。在Cr/AlCrN、Cr/AlCrSiN涂層中Al與Cr的原子比依次為1.81與2.08。對陶瓷層進行X射線衍射表征,發現其晶體組織屬于納米晶與非晶類型,對Cr/AlCrN涂層進行觀察發現,在Cr/AlCrN涂層中Cr元素含量較高,容易形成hcp-CrN納米晶;對Cr/AlCrSiN涂層進行觀察發現,在非晶AlCrN中形成了粒徑尺寸均勻的hcp-AlN納米晶[13]。這是因為當Al與Cr的原子比大于1.9后,Al原子會在固溶體中析出,進而與N形成hcp-AlN納米晶。

表2 試驗涂層的EDS分析(原子分數,%)Table 2 EDS analysis of the tested coatings (atom fraction, %)
圖4給出了真空熱處理前和800 ℃真空熱處理后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的TEM形貌。可以明顯看到,熱處理前的涂層主要由非晶組織構成,由此可以判斷陶瓷層是一種納米晶-非晶組織。經800 ℃熱處理后,Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層內的非晶組織AlCrN發生了結晶,轉變為面心立方Cr(Al)N相。Cr/AlCrSiN 涂層具備更高結晶溫度,主要是因為在非晶AlCrSiN介質中形成了均勻分布的Si3N4,呈現明顯的非晶組織特征[14]。Cr(Al)N相生成的晶界起到了擴散通道的作用,促進了O元素往涂層內部進一步擴散。

圖4 Cr/AlCrN(a, c)和Cr/AlCrSiN(b, d)涂層的TEM形貌(a,b)真空熱處理前;(c,d)800 ℃真空熱處理后Fig.4 TEM morphologies of the Cr/AlCrN(a, c) and Cr/AlCrSiN(b, d) coatings(a,b) before vacuum heat treatment; (c,d) after vacuum heat treatment at 800 ℃

圖5 真空熱處理前后試驗涂層的紅外反射圖譜Fig.5 Infrared reflectance spectra of the tested coatings before and after vacuum heat treatment(a) Cr/AlCrN; (b) Cr/AlCrSiN
由真空熱處理前后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層的反射圖譜(見圖5)及反射率統計(見表3)可知,Cr/AlCrSiN涂層具備更高紅外穩定反射率,這是因為添加Si元素后,使陶瓷層達到了更高電子濃度,導致費米能級更接近導帶,同時引起吸收譜與反射譜左移。由圖5還可以看到,在波長4.0~4.5 μm之間出現吸收峰,這是由于吸收了紅外穩定反射率測定過程空氣中的CO2引起的,波長處于5.8~7 μm之間的吸收峰是因吸收空氣中的H2O引起的。經800 ℃真空熱處理后,Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層紅外穩定反射率都發生較大變化,其值分別為0.681 與0.708。繼續升高溫度,兩個涂層紅外穩定反射率分別增大至0.685與0.711。這是因為O元素通過晶界往更深處擴散,引起陶瓷層的內部結構發生氧化,使涂層中產生大量氧化物,導致紅外穩定反射率增大。

表3 真空熱處理前后試驗涂層的紅外穩定反射率統計
為了衡量涂層與基體之間的擴散能力,以基體Ni元素為參考,表4給出了真空熱處理前后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN涂層中Ni元素擴散系數統計結果。在保持其它參數恒定的條件下,Ni擴散系數和溫度之間呈現單調增加的變化趨勢。在涂層非晶-納米晶組織保持恒定的狀態下,對Cr/AlCrN與Cr/AlCrSiN涂層進行900 ℃熱處理后,Ni擴散系數分別為14.86 與52.34 μm2/s。結合圖4可知,熱處理加強了涂層內部非晶結構的結晶能力,其具有無晶界特性,對Ni擴散起到了明顯促進作用。

表4 真空熱處理前后試驗涂層中Ni元素擴散系數統計
1) 真空熱處理后Cr/AlCrN和Cr/AlCrSiN兩涂層形成了Cr2O3與Al2CrO3對應的特征峰,900 ℃熱處理后,氧化物晶體結構特征衍射峰明顯增加。
2) 兩種涂層的組織呈柱狀形態。在Cr/AlCrN涂層中存在許多hcp-CrN納米晶;在Cr/AlCrSiN涂層中形成了粒徑尺寸均勻的hcp-AlN納米晶。經熱處理后,Cr/AlCrSiN與Cr/AlCrN涂層內的非晶組織AlCrN發生了結晶,轉變為面心立方Cr(Al)N相。
3) Cr/AlCrSiN涂層具備更高紅外穩定反射率,添加Si后使陶瓷層達到了更高電子濃度,引起吸收譜與反射譜左移。真空熱處理溫度越高,兩種涂層的紅外穩定反射率越大。Ni擴散系數和溫度之間呈現單調增加的變化趨勢。