黏彈性基體中變截面撓曲電Timoshenko納米梁振動(dòng)特性研究

吳 棟, 張大鵬, 雷勇軍

(國(guó)防科技大學(xué) 空天科學(xué)學(xué)院,長(zhǎng)沙 410073)

壓電俘能器[1]能收集環(huán)境中因振動(dòng)產(chǎn)生的機(jī)械能并將其轉(zhuǎn)化為供納米元器件使用的電能，在為納米元器件供電方面具有極大的應(yīng)用潛力。在實(shí)際的工程應(yīng)用中，開展壓電俘能器的振動(dòng)特性研究有助于更好地發(fā)揮其工作性能。

分子動(dòng)力學(xué)模擬和試驗(yàn)的結(jié)果均表明，壓電納米元器件的力學(xué)性能在納米尺度下具有明顯的尺度效應(yīng)[2-3]，經(jīng)典連續(xù)介質(zhì)力學(xué)因忽略了材料的尺度效應(yīng)而難以準(zhǔn)確表達(dá)壓電納米元件的力學(xué)特性[4]。非局部理論[5]的提出彌補(bǔ)了連續(xù)介質(zhì)力學(xué)在尺度效應(yīng)方面的不足，在描述納米材料的力學(xué)行為方面得到廣泛應(yīng)用。劉燦昌等[6]基于線彈性非局部理論，建立軸向非線性伸長(zhǎng)的兩端固支納米梁的動(dòng)力學(xué)模型，研究非局部納米梁的主諧波共振響應(yīng)。張大鵬等[7]基于非局部黏彈性理論，建立了Euler-Bernoulli梁的振動(dòng)控制方程，利用傳遞函數(shù)法得到了振動(dòng)控制方程的解。Lei等[8-9]考慮非局部效應(yīng)分別研究了外加黏彈性阻尼下Timoshenko納米梁和Euler-Bernoulli納米梁的動(dòng)力學(xué)特性。由于結(jié)構(gòu)形式對(duì)納米梁的力學(xué)性能有較大的影響，為滿足不同的應(yīng)用需求，需探索不同結(jié)構(gòu)形式納米梁的振動(dòng)特性。張大鵬等[10]考慮磁場(chǎng)的影響，基于非局部理論建立黏彈性基體上變截面納米梁的振動(dòng)控制方程，并通過(guò)聯(lián)合傳遞函數(shù)法和攝動(dòng)法求解振動(dòng)控制方程。Roostai等[11]基于具有表面效應(yīng)的非局部彈性理論，研究了非局部參數(shù)、表面能和軸向力對(duì)變截面納米梁自由橫向振動(dòng)固有頻率的影響。Rajasekaran等[12]考慮非局部效應(yīng)和截面非均勻性，采用軸向功能梯度材料對(duì)梁進(jìn)行建模，研究了結(jié)構(gòu)的靜力變形、穩(wěn)定性和自由振動(dòng)響應(yīng)。Robinson等[13]基于具有軸向功能梯度的非局部Timoshenko梁模型，研究了非局部參數(shù)、截面非均勻性和邊界條件對(duì)結(jié)構(gòu)屈曲載荷的影響。有學(xué)者指出[14-16]，為了更準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)壓電納米元件的力學(xué)性能，有必要將非局部理論與應(yīng)變梯度理論相結(jié)合。Khaniki等[17]采用精確的非局部應(yīng)變梯度理論，研究了變截面小尺度Euler-Bernoulli梁的屈曲行為。張英蓉等[18]基于非局部應(yīng)變梯度理論，考慮納米梁的高階剪切變形建立其振動(dòng)控制方程，并給出振動(dòng)控制方程的納維級(jí)數(shù)解。撓曲電效應(yīng)考慮非均勻應(yīng)變場(chǎng)與電場(chǎng)之間的耦合關(guān)系，認(rèn)為非均勻應(yīng)變介質(zhì)材料的電極化強(qiáng)度受電場(chǎng)、應(yīng)變和應(yīng)變梯度的影響。但目前綜合考慮非局部效應(yīng)、截面非均勻性和撓曲電效應(yīng)的研究還相對(duì)較少。

本文基于非局部Timoshenko梁模型，研究變截面撓曲電納米梁在黏彈性基體中的振動(dòng)特性，基于攝動(dòng)理論給出典型邊界條件下結(jié)構(gòu)自由振動(dòng)控制方程傳遞函數(shù)的求解方法，并通過(guò)算例對(duì)非局部參數(shù)、截面非均勻性、撓曲電系數(shù)和基體黏彈性對(duì)結(jié)構(gòu)振動(dòng)特性的影響規(guī)律進(jìn)行分析，為壓電納米元器件的設(shè)計(jì)、分析和應(yīng)用提供了理論依據(jù)。

1 振動(dòng)控制方程與邊界條件

黏彈性基體中變截面Timoshenko納米梁的力學(xué)模型如圖1所示。以變截面撓曲電Timoshenko納米梁左右端面的中點(diǎn)連線為x軸，左端面的對(duì)稱軸分別為y軸和z軸建立坐標(biāo)系o-xyz，其中z軸沿著變截面撓曲電納米梁的橫向振動(dòng)方向。變截面撓曲電納米梁的長(zhǎng)度和寬度分別為L(zhǎng)和b，高度沿著x軸線性遞減，x=0和x=L處高度分別為h1和h2，有

hx=εx+h1,x∈[0,L]

(1)

圖1 黏彈性基體中變截面Timoshenko納米梁力學(xué)模型

式中，ε=(h2-h1)/L，下標(biāo)“x”表示坐標(biāo)x處的物理量。黏彈性基體采用visco-Pasternak黏彈性模型模擬，該模型在經(jīng)典Pasternak彈性模型的基礎(chǔ)上考慮了黏性阻尼的影響。

變截面撓曲電納米梁的橫截面積和橫截面慣性矩可分別表示為

(2)

1.1 振動(dòng)控制方程

基于Yue等[19]對(duì)微尺度下等截面撓曲電Timoshenko梁的研究，并進(jìn)一步考慮黏彈性基體和截面非均勻性的影響，即可得到黏彈性基體中變截面撓曲電納米Timoshenko梁的自由振動(dòng)控制方程表達(dá)式為

(3)

(4)

式中:Q、M和Mγ分別表示變截面撓曲電納米梁所受的剪力、彎矩和扭矩;w和φ分別表示變截面撓曲電納米梁位移沿z軸的分量和截面相對(duì)于z軸的扭轉(zhuǎn)角;ρ表示變截面撓曲電納米梁的材料質(zhì)量密度;NQ表示黏彈性基體對(duì)變截面撓曲電納米梁的作用力，為簡(jiǎn)化計(jì)算，不考慮黏彈性基體的截面非均勻性，其表達(dá)式如下

(5)

式中，kG、kw和ct分別表示visco-Pasternak黏彈性基體的剪切彈性模量、Winkler彈性模量和阻尼系數(shù)。

同時(shí)，為了確定變截面撓曲電納米梁的力邊界條件，基于非局部理論給出了變截面撓曲電納米梁所受剪力Q、彎矩M和扭矩Mγ的表達(dá)式

(6)

(7)

(8)

將式(6)～式(8)代入變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)控制方程式(3)和式(4)，考慮非局部效應(yīng)的黏彈性基體中變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)控制方程可表示為

(9)

kc44Axφ=[1-(e0a)2?2]Z

(10)

式中

(11)

(12)

為了方便計(jì)算，引入以下變量參數(shù)

(13)

將以上變量參數(shù)代入式(9)和式(10)，可將黏彈性基體中變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)控制方程表示為

(14)

(15)

1.2 邊界條件

為求解變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)控制方程，下面給出幾種典型邊界條件

(1) 固支端邊界條件

(16)

(2) 簡(jiǎn)支端邊界條件

(17)

(3) 自由端邊界條件

(18)

自由振動(dòng)控制方程組式(14)和式(15)以及邊界條件式(16)～式(18)共同構(gòu)成了變截面撓曲電納米梁振動(dòng)特性分析的定解問(wèn)題。由于自由振動(dòng)控制方程組式(14)和式(15)為變系數(shù)微分方程，無(wú)法直接利用傳遞函數(shù)法進(jìn)行求解。針對(duì)該問(wèn)題，本文首先通過(guò)攝動(dòng)法將變系數(shù)微分方程組式(14)和式(15)轉(zhuǎn)化為常系數(shù)微分方程組，再利用傳遞函數(shù)法進(jìn)行求解。

2 基于攝動(dòng)理論的傳遞函數(shù)求解方法

2.1 傳遞函數(shù)法

將變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)控制方程式(14)和式(15)的解設(shè)為

(19)

將式(19)代入式(14)和式(15)，變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)控制方程可表示為

(20)

(21)

定義狀態(tài)向量

(22)

利用式(22)可將變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)控制方程改寫為狀態(tài)方程的形式

(23)

類似地，將變截面撓曲電納米梁的邊界條件改寫為狀態(tài)方程的形式

Mη(0,ω)+Nη(1,ω)=0

(24)

2.2 攝動(dòng)法

由于變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)狀態(tài)方程式(23)為變系數(shù)微分方程組，不能直接利用傳遞函數(shù)法進(jìn)行求解，可以利用攝動(dòng)法將變系數(shù)微分方程組式(23)轉(zhuǎn)化為常系數(shù)微分方程組，再利用傳遞函數(shù)法求得變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)狀態(tài)方程式(23)的解。

假設(shè)變截面撓曲電納米梁的長(zhǎng)度L遠(yuǎn)大于兩端面高度之差h2-h1，因此前文定義的參數(shù)ε=(h2-h1)/L為無(wú)量綱小參數(shù)。根據(jù)攝動(dòng)法原理，利用無(wú)量綱小參數(shù)ε對(duì)變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)狀態(tài)方程式(23)和邊界條件狀態(tài)方程式(24)進(jìn)行參數(shù)分解，可得

ω=ω0+εω1+ε2ω2+…+εnωn

(25)

式中，ωj(j=0,1,2,…)是與固有頻率ω相關(guān)的參數(shù)。文獻(xiàn)[20]指出，一階攝動(dòng)解的精度已能滿足實(shí)際計(jì)算需要，略去式(25)～式(29)中關(guān)于ε的高階項(xiàng)可得

ω=ω0+εω1

(30)

(31)

(32)

M(ω)=M0(ω0)+εM1(ω0,ω1)

(33)

N(ω)=N0(ω0)+εN1(ω0,ω1)

(34)

將式(30)～式(34)代入變截面撓曲電納米梁的自由振動(dòng)狀態(tài)方程式(23)和邊界條件狀態(tài)方程式(24)，并略去關(guān)于ε的高階項(xiàng)可得

(35)

(36)

通過(guò)以上變換可將變系數(shù)狀態(tài)方程式(23)和式(24)轉(zhuǎn)化為如式(35)和式(36)所示的常系數(shù)狀態(tài)方程組，可利用傳遞函數(shù)法進(jìn)行求解。

2.3 基于攝動(dòng)理論的傳遞函數(shù)解法

根據(jù)攝動(dòng)法原理和式(32)，令ε=0可得F0(ω0)的表達(dá)式為

F0(ω0)=[Fmn|ε=0]6×6

(37)

(38)

根據(jù)傳遞函數(shù)法，變截面撓曲電納米梁固有頻率的零階攝動(dòng)值ω0可通過(guò)求解如下特征方程得到

det[M0(ω0)+N0(ω0)eF0(ω0)]=0

(39)

顯然，變截面撓曲電納米梁自由振動(dòng)控制方程的零階攝動(dòng)值ω0為高為h1的等截面撓曲電Timoshenko納米梁的固有頻率，其相應(yīng)振型為

(40)

式中，V0表示矩陣[M0(ω0)+N0(ω0)eF0(ω0)]的零特征值對(duì)應(yīng)的特征向量。對(duì)于式(36)，其通解為

(41)

(42)

式中

(43)

然后，根據(jù)變截面撓曲電納米梁的邊界條件，選取對(duì)應(yīng)的邊界條件選擇矩陣M和N，將式(42)代入式(36)中的第二個(gè)方程，可得

[M0(ω0)+N0(ω0)eF0(ω0)]R0+

ω1[M11V0+N0(ω0)eF0(ω0)V11(1)]+

ω1N11eF0(ω0)V0+N10eF0(ω0)V0+

M10V0+N0(ω0)eF0(ω0)V10(1)=0

(44)

根據(jù)矩陣的初等變換，有

M0(ω0)+N0(ω0)eF0(ω0)=[P][λ][P]-1

(45)

式中，[λ]和[P]分別表示矩陣[M0(ω0)+N0(ω0)·eF0(ω0)]的特征值組成的對(duì)角矩陣和與特征值相對(duì)應(yīng)的特征向量組成的矩陣。將式(45)代入式(44)可得

[λ][P]-1R0+ω1D1+D0=0

(46)

式中

(47)

由式(39)可知，[λ]必有一個(gè)零特征值，由式(46)可得變截面撓曲電納米梁的固有頻率一階攝動(dòng)值為

(48)

根據(jù)式(30)，變截面撓曲電納米梁固有頻率的一階攝動(dòng)解為

ω=ω0+εω1

(49)

同理，可以得到固有頻率的高階攝動(dòng)解，在此不再贅述。

3 算例分析

本節(jié)首先通過(guò)與文獻(xiàn)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，驗(yàn)證所建模型和控制方程求解方法的正確性。在此基礎(chǔ)上，再系統(tǒng)研究非局部效應(yīng)、截面非均勻性、撓曲電系數(shù)和基體黏彈性對(duì)變截面撓曲電納米梁振動(dòng)特性的影響規(guī)律。如無(wú)特殊說(shuō)明，變截面撓曲電納米梁的幾何參數(shù)設(shè)置如下：梁的長(zhǎng)度L和寬度b分別為200 nm和25 nm，高度h1和h2分別為25 nm和12.5 nm；材料參數(shù)設(shè)置如下[20-22]：楊氏模量c11和剪切模量c44分別為131 GPa和42.9 GPa，橫向撓曲電系數(shù)f3113和切向撓曲電系數(shù)f3131分別為5 V和1 V，質(zhì)量密度ρ、倒介電常數(shù)α33和壓電系數(shù)d31分別為6 020 kg/m3、0.79×108V·m/C和1.87×108V/m，visco-Pasternak黏彈性基體的Winkler彈性模量kw、剪切模量kG和阻尼系數(shù)ct分別為0.1 GPa/nm、0.25 GPa/nm和0.1 MPa·ns/nm。定義錐度系數(shù)c*=1-h2/h1以表征撓曲電納米梁的截面非均勻性，顯然c*=0表示等截面撓曲電納米梁。

3.1 正確性驗(yàn)證

文獻(xiàn)[19]研究微尺度下表面效應(yīng)和撓曲電效應(yīng)對(duì)等截面Timoshenko梁振動(dòng)特性的影響規(guī)律，基于變分原理和哈密頓原理得到了撓曲電納米梁的控制方程和邊界條件，研究了均勻載荷下結(jié)構(gòu)的靜態(tài)彎曲和自由振動(dòng)問(wèn)題，但其忽略了撓曲電納米梁的尺度效應(yīng)和在實(shí)際工程應(yīng)用中的工作環(huán)境，且未對(duì)變截面梁的振動(dòng)特性進(jìn)行研究。本節(jié)先忽略黏彈性基體和非局部效應(yīng)的影響，通過(guò)和文獻(xiàn)[19]對(duì)比簡(jiǎn)支邊界條件下?lián)锨娂{米梁的前三階無(wú)量綱固有頻率，以驗(yàn)證本文模型和求解方法的正確性。

由表1可知，本文方法求得的等截面撓曲電納米梁(c*=0)前三階無(wú)量綱固有頻率與文獻(xiàn)[19]得到的等截面撓曲電納米梁前三階無(wú)量綱固有頻率的誤差最大僅為0.097 9%，驗(yàn)證了本文所建模型和求解方法的正確性。此外，表1給出了錐度系數(shù)c*分別為0.25和0.5時(shí)變截面撓曲電納米梁的前三階無(wú)量綱固有頻率。

表1 S-S邊界條件下?lián)锨娂{米梁的前三階無(wú)量綱固有頻率

表2 C-F邊界條件下變截面SWCNT的前三階固有頻率/GHz

3.2 非局部參數(shù)的影響分析

圖2所示為不同邊界條件下變截面撓曲電納米梁前兩階固有頻率頻率比ωNL/ωL隨非局部參數(shù)α的變化曲線，其中錐度系數(shù)c*取0.5，ωL表示非局部參數(shù)α為零時(shí)計(jì)算得到的結(jié)構(gòu)固有頻率值。由圖2可知，C-F邊界條件下變截面撓曲電納米梁的一階固有頻率隨著非局部參數(shù)α的增大而增大，而其余邊界條件下變截面撓曲電納米梁的一階固有頻率隨著非局部參數(shù)的增大而減小，減小幅度隨著邊界連接剛度的增大而增大。各邊界條件下變截面撓曲電納米梁的二階固有頻率實(shí)部比和虛部比均隨著非局部參數(shù)α的增大而減小，減小幅度同樣隨著邊界連接剛度的增大而增大，各邊界條件下變截面撓曲電納米梁二階固有頻率受非局部參數(shù)α的影響由小至大的順序?yàn)椋篊-F

(a) 實(shí)部

圖3所示為C-S邊界條件下不同錐度系數(shù)c*對(duì)應(yīng)的變截面撓曲電納米梁一階固有頻率比ωNL/ωL隨非局部參數(shù)α的變化曲線。由圖3可知，隨著錐度系數(shù)c*的增大，非局部參數(shù)α對(duì)撓曲電納米梁一階固有頻率比ωNL/ωL實(shí)部和虛部的影響明顯減小，當(dāng)c*=0時(shí)，撓曲電納米梁一階固有頻率比ωNL/ωL的變化幅度最大，而當(dāng)c*=0.7時(shí)，撓曲電納米梁一階固有頻率比ωNL/ωL的變化幅度最小。表明等截面撓曲電納米梁受非局部參數(shù)α的影響最大，變截面特性能減小非局部參數(shù)α對(duì)撓曲電納米梁的影響，且錐度系數(shù)c*越大，撓曲電納米梁受非局部參數(shù)α的影響越小。

(a) 實(shí)部

3.3 錐度系數(shù)的影響分析

圖4所示為不同邊界條件下?lián)锨娂{米梁前兩階固有頻率比ω/ωc0隨錐度系數(shù)c*的變化曲線，其中非局部參數(shù)α取0.1，ωc0表示錐度系數(shù)c*=0時(shí)計(jì)算得到的結(jié)構(gòu)固有頻率值。由圖4可知，在C-F邊界條件下，變截面撓曲電納米梁的一階固有頻率大于等截面納米梁的一階固有頻率，且隨著錐度系數(shù)c*的增大呈線性增大；而其余邊界條件下變截面撓曲電納米梁的一階固有頻率小于等截面撓曲電納米梁的一階固有頻率，且隨著錐度系數(shù)c*的增大而減小，減小幅度隨著邊界連接剛度的增大而增大。變截面撓曲電納米梁的二階固有頻率比ω/ωc0隨著錐度系數(shù)c*的增大呈線性減小，且減小幅度同樣隨著邊界連接剛度的增大而增大，不同邊界下錐度系數(shù)c*對(duì)變截面撓曲電納米梁二階固有頻率比ω/ωc0的影響由小至大的順序?yàn)椋篊-F

(a) 實(shí)部

圖5所示為C-S邊界條件下不同非局部參數(shù)α對(duì)應(yīng)的變截面撓曲電納米梁一階固有頻率比ω/ωc0隨錐度系數(shù)c*的變化曲線。由圖5可知，C-S邊界條件下變截面撓曲電納米梁的前兩階固有頻率比ω/ωc0的減小幅度隨著非局部參數(shù)α的增大而減小，當(dāng)不考慮非局部效應(yīng)(α=0)時(shí)，錐度系數(shù)c*對(duì)撓曲電納米梁的振動(dòng)特性影響最大，表明變截面撓曲電納米梁的結(jié)構(gòu)剛度隨著錐度系數(shù)c*的增大而明顯減小，且增大非局部參數(shù)α可以削弱結(jié)構(gòu)對(duì)錐度系數(shù)c*的敏感程度。

(a) 實(shí)部

3.4 撓曲電系數(shù)的影響分析

文獻(xiàn)[23]指出，撓曲電系數(shù)對(duì)變截面納米梁的固有頻率虛部無(wú)影響作用，因此本文僅分析撓曲電系數(shù)對(duì)變截面撓曲電納米梁固有頻率比ω/ω0實(shí)部的影響規(guī)律，其中非局部參數(shù)α取0.1，錐度系數(shù)c*取0.5，ω0表示撓曲電系數(shù)(橫向撓曲電系數(shù)f3113或切向撓曲電系數(shù)f3131)為零時(shí)計(jì)算得到的結(jié)構(gòu)固有頻率值。圖6所示為C-S邊界條件下變截面撓曲電納米梁前兩階固有頻率比ω/ω0實(shí)部隨撓曲電系數(shù)的變化曲線。由圖6(a)可知，變截面撓曲電納米梁固有頻率實(shí)部隨著橫向撓曲電系數(shù)f3113的增大線性增加，且增加幅度隨著頻率階次的增大而增大，表明橫向撓曲電系數(shù)f3113能增加變截面納米梁的結(jié)構(gòu)剛度；橫向撓曲電系數(shù)f3113對(duì)變截面撓曲電納米梁的影響幅度隨著切向撓曲電系數(shù)f3131的增大而減小，表明增大切向撓曲電系數(shù)f3131可削弱結(jié)構(gòu)對(duì)橫向撓曲電系數(shù)f3113的敏感程度。由圖6(b)可知，變截面撓曲電納米梁固有頻率實(shí)部隨著切向撓曲電系數(shù)f3131的增大而減小，且減小幅度隨著頻率階次的增大而增大，表明切向撓曲電系數(shù)f3131能削弱變截面納米梁的結(jié)構(gòu)剛度；切向撓曲電系數(shù)f3131對(duì)變截面撓曲電納米梁的影響幅度隨著橫向撓曲電系數(shù)f3113增大而增大，表明增大橫向撓曲電系數(shù)f3113可增加結(jié)構(gòu)對(duì)切向撓曲電系數(shù)f3131的敏感程度。

(a) 不同切向撓曲電系數(shù)下橫向撓曲電系數(shù)f3113對(duì)固有頻率比ω/ω0實(shí)部的影響曲線

3.5 黏彈性基體的影響分析

圖7所示為C-S邊界條件下不同錐度系數(shù)c*對(duì)應(yīng)的撓曲電納米梁一階固有頻率隨黏彈性基體的阻尼系數(shù)ct的變化曲線。由圖7可知，在C-S邊界條件下，當(dāng)黏彈性基體的阻尼系數(shù)ct小于不同錐度系數(shù)c*對(duì)應(yīng)的臨界阻尼系數(shù)ct_crit時(shí)，變截面撓曲電納米梁固有頻率的實(shí)部隨著黏彈性基體阻尼系數(shù)ct的增大而減小，且臨界阻尼系數(shù)ct_crit隨著錐度系數(shù)c*的增大而減小；固有頻率的虛部隨著黏彈性基體阻尼系數(shù)ct的增大呈線性增大。當(dāng)黏彈性基體的阻尼系數(shù)ct大于不同錐度系數(shù)c*對(duì)應(yīng)的臨界阻尼系數(shù)ct_crit時(shí)，變截面撓曲電納米梁固有頻率的實(shí)部為零，即不再發(fā)生往復(fù)振動(dòng)；固有頻率的虛部繼續(xù)增加，增大趨勢(shì)逐漸減小。

(a) 實(shí)部

4 結(jié) 論

本文以黏彈性基體中的Timoshenko納米梁為研究對(duì)象，綜合考慮了非局部效應(yīng)、截面非均勻性、壓電效應(yīng)和撓曲電效應(yīng)等因素，建立了黏彈性基體中的變截面撓曲電Timoshenko納米梁的自由振動(dòng)控制方程和邊界條件，基于攝動(dòng)理論給出了典型邊界條件下變截面撓曲電納米梁自由振動(dòng)控制方程的傳遞函數(shù)求解方法，通過(guò)算例驗(yàn)證了所建模型和自由振動(dòng)控制方程求解方法的正確性，并較系統(tǒng)地研究了非局部參數(shù)α、錐度系數(shù)c*、橫向撓曲電系數(shù)f3113、切向撓曲電系數(shù)f3131和黏彈性基體的阻尼系數(shù)ct對(duì)撓曲電納米梁振動(dòng)特性的影響規(guī)律。主要結(jié)論如下：

(1) C-F邊界條件下變截面撓曲電納米梁的一階固有頻率隨著非局部參數(shù)α和錐度系數(shù)c*的增大而增大，高階固有頻率則隨著非局部參數(shù)α和錐度系數(shù)c*的增大而減小。

(2) 非局部參數(shù)α對(duì)變截面撓曲電納米梁固有頻率的影響隨著錐度系數(shù)c*的增大而減小；錐度系數(shù)c*對(duì)變截面撓曲電納米梁固有頻率的影響程度隨著非局部參數(shù)α的增大而減小。

(3) 增大切向撓曲電系數(shù)f3131可削弱結(jié)構(gòu)對(duì)橫向撓曲電系數(shù)f3113的敏感程度；增大橫向撓曲電系數(shù)f3113可增加結(jié)構(gòu)對(duì)切向撓曲電系數(shù)f3131的敏感程度。

(4) 增大錐度系數(shù)c*能減小撓曲電納米梁不發(fā)生往復(fù)振動(dòng)對(duì)應(yīng)的臨界阻尼系數(shù)ct_crit。