新結構提升類腦憶阻器性能

陳彬

隨著人工智能的發展，憶阻器因其“存算一體”的特性被越來越多的研究者關注。近日，河北大學教授閆小兵團隊報道了一種全新材料結構。由鈦酸鋇摻雜低介電系數材料二氧化鈰的垂直排列納米復合（VANs）鐵電薄膜作為憶阻介質，他們成功獲得了硅基外延鐵電薄膜。