彭建偉,王少杰,徐 劍
(邵陽(yáng)學(xué)院 機(jī)械與能源工程學(xué)院,湖南 邵陽(yáng) 422000)
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,反激式開(kāi)關(guān)電源由于效率高、功耗小、高隔離、體積小等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)產(chǎn)品、電子通信與航空領(lǐng)域,作為其控制系統(tǒng)中的輔助電源[1]。在電力電子設(shè)備追求高密度,高功率的背景下,為了進(jìn)一步減小體積,輔助電源往往由變頻器的直流環(huán)節(jié)供電。與傳統(tǒng)的輸入電壓為市電的開(kāi)關(guān)電源相比,這種供電方式使電源開(kāi)關(guān)器件在關(guān)斷時(shí)刻承受更高的電壓應(yīng)力。除了選擇具有適當(dāng)耐受電壓的開(kāi)關(guān)管外,還需要設(shè)計(jì)箝位電路以有效吸收漏感能量。參考文獻(xiàn)[2]對(duì)液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)箝位電路,TVS箝位電路、剩余電流裝置(Residual Current Device,RCD)箝位電路進(jìn)行了比較,指出RCD箝位電路因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功率效率高而被廣泛應(yīng)用。文獻(xiàn)[3]為了解決準(zhǔn)諧振控制帶來(lái)的開(kāi)關(guān)頻率變化范圍大的問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種多模式控制方法,使準(zhǔn)諧振模式下的開(kāi)關(guān)頻率非常低,系統(tǒng)將工作在連續(xù)電流模式下,從而在低輸入電壓和高負(fù)載條件下提高功率效率。
LM25183是一款初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)(PSR)反激式轉(zhuǎn)換器,具有高效率,對(duì)隔離輸出進(jìn)行電壓采樣,固定頻率脈寬可調(diào)的脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation,PWM)控制芯片,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示[4]。該芯片具有以下優(yōu)點(diǎn)。

圖1 LM25183芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
(1)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)在邊界導(dǎo)通模式(Boundary Conduction Mode,BCM)模式下能夠?qū)崿F(xiàn)準(zhǔn)諧振關(guān)斷,因此可以實(shí)現(xiàn)低電流甚至零電流關(guān)閉[5]。
(2)具有單輸出和多輸出的功能。
(3)內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償。
(4)超低的電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)傳導(dǎo)。
反激式開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2所示,直流輸入電壓由Ui輸入,經(jīng)過(guò)輸入保護(hù)電路和EMI濾波電路,全橋整流,再次濾波,使輸出變得平滑,通過(guò)功率開(kāi)關(guān)管以及高頻變壓器,之后輸出整流濾波;功率管以及高頻變壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖3所示,Np、Ns為變壓器初級(jí)、次級(jí)繞組匝數(shù),初級(jí)繞組加到開(kāi)關(guān)管的漏極,當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組是上正下負(fù),次級(jí)繞組是上負(fù)下正,二極管截止,此時(shí)沒(méi)有輸出。當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)閉時(shí),此時(shí)初級(jí)繞組是上負(fù)下正,次級(jí)繞組是上正下負(fù),二極管導(dǎo)通,線圈開(kāi)始放能,此時(shí)輸出電壓,變壓器在儲(chǔ)能放能過(guò)程中,線圈遵守伏秒平衡守則。

圖2 反激式開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)


圖3 功率管以及高頻變壓器工作原理
本次設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)指標(biāo)如下:輸出電壓為15 V輸出,輸入電壓為4~42 V的寬輸入電壓范圍,典型輸入電壓為Uin為24 V,輸出功率Po為8 W,工作頻率Fs為300 kHz,最大磁通密度Bmax為0.20 T,工作效率η為85%。
根據(jù)系統(tǒng)需求,可以知道輸入電壓為Uin=4.5 V,Umax=42 V,輸出功率為8 W,輸出電壓為+15 V,計(jì)算輸出電流為

輸入功率為

低壓滿載時(shí)原邊峰值電流為

占空比為

勵(lì)磁電感量為

利用AP法進(jìn)行磁芯選擇,即:

暫磁芯為EE25磁芯,其磁芯參數(shù)如表1所示。

表1 EE25磁芯參數(shù)
實(shí)際磁芯AP值為

原邊繞組匝數(shù)為

副邊繞組匝數(shù)為

當(dāng)MOS管開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí),由于漏感的影響,高頻變壓器的一次繞組會(huì)產(chǎn)生反射電壓和峰值電壓,直接施加到MOS管的漏極上,未加保護(hù),開(kāi)關(guān)管上的寄生電容很小,很容易擊穿。因此,在初級(jí)繞組與開(kāi)關(guān)管之間加RCD箝位電路,如圖4所示。當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)閉時(shí),形成的峰值脈沖能量先將開(kāi)關(guān)管的寄生電容充滿,隨后通過(guò)D1,對(duì)C1進(jìn)行充電,直到C1兩端電壓大于開(kāi)關(guān)管兩端電壓充電結(jié)束,電容C1通過(guò)對(duì)R1進(jìn)行放電,存儲(chǔ)的能量通過(guò)電阻消耗,電阻起到緩沖接收電壓峰值的作用,進(jìn)而保護(hù)開(kāi)關(guān)管。對(duì)于D1耐壓值的選型,選擇理論耐壓值為80 V,在實(shí)際測(cè)試中耐壓值為32.8 V,如圖5所示,符合設(shè)計(jì)要求。

圖4 RCD鉗位電路

圖5 二極管尖峰電壓
本次設(shè)計(jì)的反激式開(kāi)關(guān)電源采用雙閉環(huán)結(jié)構(gòu),它們是內(nèi)環(huán)的電流反饋環(huán)和外環(huán)的電流反饋回路。內(nèi)環(huán)的電流反饋回路由外部電壓控制,它由控制回路控制,最終輸出為電壓值。首先要考慮內(nèi)部的電流環(huán)。
常用的電流檢測(cè)有外接電阻檢測(cè)法,霍爾傳感器檢測(cè)法、電流互感器檢測(cè)法。霍爾傳感器檢測(cè)法與電流互感器檢測(cè)法由于體積大、誤差大、功率損耗較大,不適合用于本次設(shè)計(jì)的反激式開(kāi)關(guān)電源,因此采用外接電阻檢測(cè)法較為妥當(dāng)。
LM25183芯片內(nèi)部具有精密電壓調(diào)節(jié)器,對(duì)基準(zhǔn)電壓具有可調(diào)節(jié)性。內(nèi)部具有2.5 V的基準(zhǔn)電壓,可以對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)節(jié),在2.5~36 V調(diào)節(jié)穩(wěn)定輸出電壓。
利用Simplis仿真軟件搭建了仿真模型,對(duì)所敘述的拓?fù)湓砑皡?shù)進(jìn)行防真,對(duì)印制線路板(Printed Circuit Board,PCB)進(jìn)行實(shí)物測(cè)試。
效率測(cè)試結(jié)果如表2所示。

表2 效率測(cè)試結(jié)果
輸出波形如圖6所示。

圖6 輸出波形
本文提出反激式開(kāi)關(guān)電源DC-DC的電源方案,由LM25184芯片驅(qū)動(dòng)MOS管,采用AP法進(jìn)行變壓器設(shè)計(jì),利用準(zhǔn)諧振技術(shù),降低交叉損耗,實(shí)現(xiàn)了低電流關(guān)閉、低電壓導(dǎo)通,對(duì)開(kāi)關(guān)管采用RCD鉗位保護(hù)電路,實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的功率變換電路,由4.5~32 V的直流電穩(wěn)定轉(zhuǎn)換成+15 V直流電,通過(guò)實(shí)驗(yàn)仿真與實(shí)物測(cè)試結(jié)果分析,設(shè)計(jì)的反激式開(kāi)關(guān)電源可以穩(wěn)定的輸出+15 V電壓,輸出電壓開(kāi)機(jī)時(shí)間為17 ms。通過(guò)Simplis仿真軟件進(jìn)行仿真,通過(guò)結(jié)果可以看到,工作比較穩(wěn)定,效率滿足要求,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,為反激式開(kāi)關(guān)電源提供有利的依據(jù)。