方艙電磁屏蔽技術研究進展*

郭海偉，李源，毛勝輝

（1.鄭州鐵路職業技術學院 機電工程學院，河南 鄭州 450000；2.鄭州市先進功能材料重點實驗室，河南 鄭州 450000）

0 引言

方艙由于其高機動性，廣泛應用于指揮系統、通信、電子對抗等軍事領域［1-6］。在現代戰爭中，方艙裝載的各種尖端武器、軍事通訊指揮系統均使用了大量精度極高的電子設備和儀器。由于各種系統之間的溝通都是通過電子信號進行的，外來電磁波很容易對其產生干擾，由電磁干擾（electromagnetic interference，EMI）引起的嚴重事件屢有發生。而電磁屏蔽技術對于保密同樣重要，文獻［7］認為，一臺正在運行的電腦中的信息，可被相距幾千米遠的遠程情報裝置通過電磁波泄露竊取。因此使用高屏蔽性能的方艙，對于提高方艙在嚴苛軍事環境下的生存能力具有非常重要的意義［8-12］。

目前，國內外對方艙電磁屏蔽結構設計基本上還停留在定性設計階段。由于方艙的整體結構形式較為復雜，一般都是根據簡單的計算公式或者經驗數據進行估算，在方艙生產完成后進行屏蔽效能的測試，再對測試結果中發現的薄弱點進行維護和調整［13］。雖然定性設計具有快速、便捷的優點，但在設計過程中卻無法準確預測方艙真實的屏蔽性能。

1 電磁屏蔽原理

1.1 電場屏蔽

干擾源可分為2 種形式，一種是電壓，一種是電流。當干擾源表現為第1 種形式時，其與受擾體之間產生的靜電耦合稱為電場干擾。在這種情況下，就需要進行電場屏蔽［14］。電場屏蔽的基本原理是通過對屏蔽體進行接地，從而將干擾源產生的交變電場限定在有限的空間內，切斷了干擾源至接收器的傳輸路徑。所以，屏蔽體在保證良好接地的基礎上，其本身還必須是良導體。設電場的耦合干擾電壓為Vs，則有

式中：Vn為對地電壓；ω為外部電場頻率；Zs為對地阻抗；C為耦合電容。

通過式（1）可以看出，干擾的大小與外部電場頻率成非線性的正比關系。因此，對于電場屏蔽，外部電場頻率越高，越有必要進行屏蔽，屏蔽效果也越好。

1.2 磁場屏蔽

當干擾源表現為第2 種形式時，其與受擾體之間產生的互感耦合稱為磁場干擾。與電磁屏蔽不同，磁場屏蔽根據外部干擾源頻率的高低，采用的屏蔽機理也不一樣［15］。

對低于100 kHz 的低頻磁場干擾源，一般是采用高磁導率的金屬材料（如鐵、鎳等）作為屏蔽體構成低磁阻的回路，進而在屏蔽體內限定了絕大多數的低頻信號。需要指出的是，磁阻與屏蔽材料的磁導率和厚度成反比。

對高于100 kHz 的高頻磁場干擾源，磁場渦流隨頻率升高增大到一定程度后，繼續升高頻率其屏蔽效果不再增強，與屏蔽體的厚度無關，這就是材料的高頻趨膚效應。其屏蔽機理是利用屏蔽體（一般是高電導率的材料）產生的逆向磁場與干擾源產生的高頻磁場進行對沖，從而實現屏蔽。因此，在進行高頻磁場屏蔽時，屏蔽體無需太厚即可實現良好的屏蔽效能。

1.3 電磁場屏蔽

電磁波的傳播和光類似，在傳播過程中在不同介質中會產生反射、透射和吸收，吸收的電磁波也會在屏蔽體內部經過多次的反射而逐步耗散。圖1為電磁波在屏蔽體表面反射、透射和內部反射衰減的示意圖。電磁場屏蔽體對外部干擾源的屏蔽主要是基于電磁波的表面反射和材料內部多次反射的衰減［16-19］。

一般通過Schelkunoff 理論來計算屏蔽效能，電磁屏蔽總的效能SE包括電磁波表面反射損耗SER、吸收（即透射）損耗SEA和內部多次反射產生的損耗SEM的總和，即

式中：內部多次反射損耗SEM一般可以忽略不計，SER和SEA可以通過以下公式來計算：

式中：μr和σr分別為屏蔽體所采用材料相對空氣的比磁導率和相對銅的比導電率；f為干擾源頻率；d為屏蔽體的厚度。

從式（3），（4）中可以看出：在外部電磁波頻率一定的情況下，降低磁導率或者提高電導率，可以提高電磁波的反射損耗SER。

也有文獻采用電磁波衰減常數來表示對電磁波的損耗能力，一般用式（5）計算得到［20-21］：

式中：μ為屏蔽體材料的磁導率；ε為屏蔽體材料的介電常數；c為光速。

3 種屏蔽類型的頻率范圍、泄露耦合結構和具體控制要素見表1。

表1 3 種屏蔽類型的頻率范圍和抑制要素Table 1 Frequency range and suppression elements of three shielding types

方艙的電磁屏蔽技術主要依據上述的電磁屏蔽原理，從結構設計和材料選擇上入手［22-25］，提高電磁波的反射損耗和吸收損耗，一方面抑制方艙外部電磁波對方艙內部電子設備的干擾，另一方面又要防止方艙內部的電子設備信號泄漏到方艙外。

2 方艙電磁屏蔽結構

方艙艙體的屏蔽按照結構形式可分為：單層蒙皮屏蔽結構、雙層蒙皮屏蔽結構和矩陣型屏蔽結構3 種形式。在對方艙進行結構設計時應根據外部電磁場的頻率高低、結構強度、載荷分布、艙體剛度、可加工性和制造成本進行綜合考慮［26］。

2.1 整體要求

方艙的電磁屏蔽結構設計首先要選擇合理的艙體屏蔽結構，尤其要注意屏蔽件之間孔隙和縫的連接，需要盡可能地使艙體構成一個連續的導電體。《GJB 6109-2007 軍用方艙通用規范》對軍用方艙的電磁屏蔽效能提出了初步的指標要求，見表2所示［27］。

表2 方艙電磁屏蔽效能等級Table 2 Shelter electromagnetic shielding effectiveness level

對于單層蒙皮屏蔽結構，實現屏蔽功能的是單層外蒙皮或者單層內蒙皮。由于方艙大多在野外工作，其外部環境有著很大的不確定性，而且艙體結構決定了外蒙皮處接縫較多，因此外蒙皮實現屏蔽無論是從技術上還是成本上都很困難，只有在無法實現內蒙皮屏蔽或者客戶對屏蔽方式有特殊要求時才會考慮。相比較而言，實現內蒙皮屏蔽的工藝則要簡單得多。由于內部結構較為平整，而且材料不易受到外部濕熱、低溫、鹽霧等復雜環境的影響，內蒙皮屏蔽已經成為最常用的一種屏蔽方式。

雙層蒙皮屏蔽結構較為復雜，其是對內蒙皮、外蒙皮都進行屏蔽處理。由于提高了電磁波在內蒙皮和外蒙皮之間的多次反射損耗，所以能夠實現更高的屏蔽效能。這種雙層蒙皮屏蔽結構要求內蒙皮和外蒙皮之間除某一點連接外其余都不連接，這樣能夠實現內、外蒙皮上所產生的感應電流互相隔離，避免了形成環形電流和位差。因此，在對電磁屏蔽方艙進行結構設計時，要綜合權衡工藝性和屏蔽效能，盡量減少內、外蒙皮的連接點［28］。

矩陣型屏蔽結構與雙層蒙皮屏蔽結構不同的是，艙體的內外蒙皮之間設置有多個連接點組成了矩陣式的屏蔽結構，目前這種結構廣泛應用于大板方艙。這種采用以內蒙皮屏蔽為主、外蒙皮屏蔽為輔的矩陣型屏蔽結構，所制備的方艙在外部干擾電磁場頻率為0.09 MHz～18 GHz 時能夠達到60 dB 的屏蔽效能。

2.2 門窗的處理

根據電磁屏蔽機理，沒有任何泄露的金屬箱體結構很容易實現90 dB 以上的電磁屏蔽效能，但在工程實際中方艙的屏蔽效能很難達到70 dB，因為實際中的方艙由于存在門、通風窗、電纜孔口等，而且大板蒙皮之間的接縫也不能完全密封，因此并不是一個理想的屏蔽體。對于電磁場縫隙的屏蔽效能AS，一般可以采用式（6）進行估算：

式中：t為材料縫隙的深度；g為材料縫隙的長度。

由式（6）可知，想要有效地提高屏蔽效能，可以通過增加縫隙的深度或屏蔽材料的厚度，以及減少縫隙長度的方法來實現。對于金屬材料蒙皮解決縫隙電磁泄漏最有效的措施是連續焊接，將通過孔口的電纜轉接屏蔽板焊接在方艙內部蒙皮上，可獲得滿意的屏蔽效能。而對于不能進行焊接的非金屬材料，則要采用足夠密集的金屬釘來實現表面的連續接觸。為了消除縫隙中的不連續點，還可以在接觸面之間加裝金屬絲、屏蔽紙、橡膠導電襯墊等來保證連續接觸，從而得到良好的屏蔽效果，如圖2所示。

圖2 方艙縫隙處屏蔽處理Fig.2 Shelter gap shielding treatment

在工程實際中，由于方艙的門與門框面積較大，該位置的電磁泄露對整個艙體的屏蔽效果影響最大，因此保證方艙門與門框的屏蔽效能是艙體設計時的關鍵點［29］。首先，需要通過增加方艙門與門框之間的連接性來提升方艙的電磁屏蔽效果；其次，對艙門表面也要進行特殊處理，比如涂刷導電材料，為確保屏蔽效果，盡量選用與艙體內外蒙皮涂刷相同的導電材料。還需要對艙門進行導電氧化處理，防止表面的導電材料因被氧化而降低電導率，從而影響艙體的整體屏蔽效果。

方艙的窗口分為通風窗和采光窗。軍用方艙的通風窗一般采用六角形蜂窩狀的波導窗。一般對通風窗的處理也是涂刷導電材料進行覆蓋，保證導電的連續性。對于采光窗，在設計時由于要考慮它的采光性能，可在窗框外側設置鋼化玻璃，內側安裝屏蔽玻璃，并在窗框的內側安裝一層電磁屏蔽罩，通過導電的調整墊板和屏蔽用簧片構成連續整體。同時，為了保證采光窗的強度，需要在采光窗的外部表面覆蓋上一層銅絲網，并使銅絲網與采光窗的外窗框保持電氣連續性。

3 方艙用電磁屏蔽材料

除了在結構設計上保證連續來實現方艙的電磁屏蔽，屏蔽材料的選用也是方艙屏蔽技術中重要的組成部分。一般情況下，屏蔽材料的電導率越高，吸收損耗則越大，屏蔽效能越高。但是，在實際工程應用中，屏蔽結構的完整性決定了屏蔽體材料所能發揮的最終屏蔽效能。方艙常采用的屏蔽材料按照結構方式的不同可以分為屏蔽紙、屏蔽織物、屏蔽涂層和層合屏蔽板，按照基體材料的不同可以分為金屬系屏蔽材料和復合系材料［30-32］。

3.1 金屬系屏蔽材料

直到目前為止，金屬材料仍然是最普遍的電磁干擾屏蔽材料。金屬系屏蔽材料主要分為兩大類：一類是高磁導率的金屬材料，這類材料對于低頻段的磁場擁有較好的屏蔽效果，如鐵、鎳等。由于此類材料的電導率普遍較低，因此不適合高頻率電磁波的屏蔽場合；另一類則是高電導率的金屬材料，這類材料對于低頻和高頻的干擾源都擁有較好的屏蔽效果，如銅、銀等。常用金屬材料的屏蔽性能見表3。

表3 常用金屬材料的屏蔽性能Table 3 Shielding properties of common metal materials

金屬材料可通過不同制備形式應用于多種屏蔽場景，如常用的金屬編織導電網、涂覆于受擾體表面的導電漆、導電橡膠等。導電橡膠是將銀等導電顆粒通過超聲攪拌的方式均布在硅橡膠中從而實現良好的導電性能，在10 GHz 時屏蔽性能高達120 dB。導電布是用化學沉積或金屬物理法轉移金屬鎳到高分子纖維上，在鎳上再鍍上高導電性的銅層，在銅層上再電鍍上防氧化防腐蝕的鎳金屬。銅和鎳結合提供了極佳的導電性和良好的電磁屏蔽效果，屏蔽范圍在100 kHz～3 GHz。導電漆采用含銅、銀等復合微粒作為導電顆粒，通過噴涂、刷涂的方法，從而起到屏蔽電磁波干擾的作用。Agrawal［33］在水溶液中使用FeCl3·6H2O 氧化劑通過化學氧化法將單體吡咯聚合成聚吡咯，經測試具有良好的屏蔽效能。美國Dexmet 公司制備的銅網和鎳網分別針對高頻屏蔽和低頻磁屏蔽，在100 k～18 G 全頻段測試屏蔽效能均在60 dB 以上，較多寬頻段平均屏蔽效能甚至高達90 dB 以上［34-35］。

3.2 復合電磁屏蔽材料

雖然金屬材料在不同的屏蔽環境中取得了廣泛的應用，但由于金屬材料的密度較大，嚴重制約了其在輕量化場景的應用。為此，研究人員又開發出了輕質的碳系屏蔽材料，主要以炭黑、石墨、碳纖維和石墨烯為主，通過與其他材料進行復合成型實現了良好的屏蔽效能。復合電磁屏蔽材料是未來電磁屏蔽材料的主要發展趨勢。

（1）炭黑復合屏蔽材料

Aal［36］依據吸收損耗的屏蔽機理，通過熱壓法制備了一種炭黑環氧樹脂復合材料，研究了炭黑環氧樹脂復合材料在1～10 GHz 電磁波頻段的屏蔽效能。結果表明，根據炭黑含量不同（從5wt%～35wt%），其屏蔽效能由1.5 dB 增加至44 dB。Al-Saleh［37］制備了炭黑聚丙烯基復合材料，并研究了其電導率變化規律和在X 波段的屏蔽性能。結果表明，當炭黑含量為10wt%時，復合材料屏蔽效能達43 dB，其電導率也隨炭黑含量的增加而提高。Mahapatra［38］研究表明，炭黑需要一定的填充量才能實現較好的屏蔽性能，但這在很大程度上降低了復合材料的力學性能，無法應用于對材料剛度強度要求較高的場合。Sau［39］和Das［40］分別研究了炭黑增強天然橡膠和醋酸乙烯酯復合材料的屏蔽性能。結果表明，復合材料的屏蔽效能與外部電磁場頻率存在正向相關的關系。同時他們還指出除了炭黑本身，基體對屏蔽性能的影響也比較大，當炭黑含量相同時（均為60wt%），炭黑增強天然橡膠和醋酸乙烯酯復合材料的屏蔽效能分別為10 dB 和20 dB。

（2）碳纖維復合屏蔽材料

碳纖維作為新興的工業材料，具有高強高模等優異的力學特性，目前在屏蔽性能的研究方面也取得了很大進展［41-43］。閆麗麗［44］等對碳纖維表面進行鍍鎳處理，制備了不同質量分數的鍍鎳碳纖維環氧樹脂基復合材料，對電導率的測試結果表明：鍍鎳碳纖維中鎳的質量分數（wt%）為94%時，其電導率為未鍍鎳碳纖維的54 倍。王暢［45］等同樣利用電鍍的方法制備了鍍FeNi 合金碳纖維并研究其電磁屏蔽效能，經測試試樣的屏蔽效能均大于30 dB，最高時 可 達40.79 dB（7.92～18 GHz）。何暉宇［46］等 以20wt%～50wt%質量分數的碳纖維作為增強體，制備的不同碳纖維含量木質素基酚醛樹脂復合材料在電磁波頻率范圍為30 MHz～1.5 GHz 時，試樣的電磁屏蔽效能最高能達到75 dB，利用拉伸試驗機測試試樣的彎曲強度最高可達82 MPa，成功實現了材料的結構功能一體化。張建東［47］等選用鍍鎳碳纖維/芳綸纖維混雜作為增強體，制備了輕質的樹脂基復合材料板材，密度僅為1.51 g/cm3，經測試，試樣的拉伸強度為573 MPa，在電磁波頻段為10 GHz 的屏蔽效能為98 dB，同時還具有很好的隱身性能，可廣泛應用于方艙的蒙皮材料。徐青［48］等利用熱壓法制備了碳纖維增強水泥基復合材料，研究了其在100 kHz～1.5 GHz 頻率范圍內的電磁屏蔽性能，當聚苯乙烯泡沫（EPS）摻量為0.5%，膨脹石墨和碳纖維摻量分別為1.0%和3%時，在200～1.5 GHz 內試樣的最低電磁屏蔽效能為13 dB，最大的屏蔽效能達到20 dB；且具有良好的保溫性能，導熱系數僅為0.22 W/（m·K）。

（3）石墨烯復合屏蔽材料

石墨烯基復合屏蔽材料也是最近興起的研究領域［49-51］。Mao［52］等結合多巴胺功能化和電鍍技術制備出高導電石墨氈，并應用于電磁干擾領域中。引入多巴胺通過自聚合使石墨氈表面功能化，并進行化學鍍銀。所得石墨氈在100 kHz～3 GHz 頻率范圍內表現出良好的導電性和出色的電磁屏蔽效能。LIU［53］等以滌綸針織物為基布，環氧樹脂為基體，進行了石墨/碳化硅/鐵氧體3 層復合涂層整理，制備出厚1.5 mm 的柔性紡織涂層復合材料；結果表明，該復合材料在低頻段具有良好的屏蔽性能和一定的力學性能。王雪嬌［54］等采用溶液流延法制備了聚乙烯醇縮丁醛/鍍鎳石墨復合材料薄膜，實驗結果表明，隨著鍍鎳石墨含量增加，復合材料的電磁屏蔽效能升高，當填料體積分數達20%時，其電磁屏蔽效能可達45.5 dB（10 GHz）。狄瑩瑩［55］采用原位聚合法制備了新型石墨烯-羰基鐵填充氰酸酯（GNSs-CIP/CE）復合材料，結果表明，GNSs 質量分數為5%，CIP 質量分數為10%時，復合材料在8.2～12.4 GHz 的電磁屏蔽效能≥30 dB，在11.79 GHz 處達到47.6 dB 的峰值屏蔽效能。蔡澤［56］等則是利用溶劑熱的方法制備了一種鐵氧體與碳納米管和石墨烯的三元復合材料，經過測試證明，Fe3O4/碳納米管/石墨烯復合材料對電磁波吸收效率明顯增高，對于2～18 GHz 的各無線電頻段都有明顯的吸收能力，材料厚度為2 mm 時，對頻率為8.6 GHz 的電磁波吸收率達到了28.3 dB。

（4）碳納米管復合屏蔽材料

隨著近年來納米材料的研發取得了顯著的技術突破，研究人員開始將電磁屏蔽材料的研究熱點著眼于碳納米管等納米復合材料。碳納米管自身具有納米表面效應以及極佳的導電和導熱性能，在具備屏蔽性能的基礎上，還能充分利用其導熱性，是一種新型的功能性材料，屏蔽效能在17～98 dB 之間，具有廣泛的應用前景［57］。

Dey 等［58］優化了γ-Fe2O3 和ZnO 在不同電位基質中的合成，采用多壁碳納米管（MWCNT）和氧化石墨烯，在60 wt%含量石蠟的復合材料最大屏蔽效能可達56.7 dB。周子瀅［59］等采用三浸三軋后烘干的方式制備CNT 分散液涂層雙羅紋織物，結果表明，隨著碳納米管分散液質量分數的提高，涂層雙羅紋織物的電磁屏蔽性能不斷增強，質量分數為7%時碳納米管涂層雙羅紋織物的電磁屏蔽效果最好，在測試頻段為2 000 MHz 時，電磁屏蔽效能可以達到25.5 dB，水洗后，涂層雙羅紋織物在2 000 MHz 頻段時仍可以達到21.4 dB。加入質量分數為5%的聚氨酯（PU）噴涂在7%CNT 涂層雙羅紋織物上，可以提高其電磁屏蔽性能，且水洗后電磁屏蔽效果最高可以達到22.9 dB。秦文峰［60］等通過真空抽濾和物理粘接制備了多壁碳納米管（MWCNTs）導電紙/碳纖維復合材料，導電性和電磁屏蔽效能分析表明，復合材料的電磁屏蔽性能隨其導電性的增加而得以提升，MWCNTs 用量為110 mg 時，復合材料在電磁波頻率8～12 GHz 范圍內，電磁屏蔽效能最高可達35.2 dB。余正萍［61］等通過熔融共混、流延成膜法制備了多壁碳納米管/聚乙烯醇（MWCNTs/PVA）復合材料，測試表明，MWCNTs/PVA 復合材料電磁屏蔽性能隨其導電性的增強而提高，MWCNTs質量分數為1.2%的復合材料樣品，在干擾電磁波頻率為13.3 GHz 時，其屏蔽效能為36.7 dB。MWCNTs 質量分數為0.6% 的碳纖維增強MWCNTs/PVA 復合材料樣品，在干擾電磁波頻率為1～18 GHz 頻段時，其電磁屏蔽效能大于40 dB。李建［62］等將碳納米管（CNT）作為導電填料，等規聚丙烯（iPP）為基體、共聚聚丙烯（co-PP）為流動促進劑，采用注射成型的方法制備了具有隔離結構的CNT/PP 復合材料，當CNT 質量含量僅為5.0%時，電磁屏蔽效能達到了44.3 dB。劉偉［63］等采用纖維素紙交替浸漬石墨烯納米片（GNS）及碳納米管（CNTs）分散液的方法，制備了GNS/CNTs/纖維素紙復合材料，結果表明，GNS/CNTs/纖維素紙復合材料的導電性及屏蔽性能隨著浸漬次數的增加而提高，當浸漬石墨烯及碳納米管分散液各5 次后，在30 MHz～1.5 GHz 范圍內屏蔽效能均高于22 dB，最高可達32 dB。Phan 等［64］采用多壁碳納米管和錳鋅鐵氧體填料相結合的方法制備了一種電磁干擾屏蔽環氧樹脂復合材料，并研究其電磁屏蔽性能。研究發現：當多壁碳納米管與錳鋅鐵氧體填充比例等于3∶1 時，復合材料具有最高的電磁屏蔽效能；屏蔽以吸收為主，隨著填充量和厚度的增加，復合材料的電磁屏蔽性能得到較大的改善。

4 電磁屏蔽測試技術

關于材料的屏蔽效能測試方法，按測試距離和波長關系主要分為近場法、遠場法和屏蔽室法［65］。一般生活中的輻射源主要為近場源或介于遠場與近場之間，輻射環境是很復雜的，屏蔽室測試法就是種介于遠場和近場之間的方法，可以模擬真實復雜的電磁環境。屏蔽室法不僅能測試平面材料，還能測試復雜形狀的材料，并且能從不同角度測量，原理圖如圖3 所示。該方法的測試原理是測試有無抗電磁輻射材料的阻擋時，接收信號裝置測得的場強和功率值之差，即為屏蔽效能SE。

圖3 屏蔽室法測試原理圖Fig.3 Schematic diagram of shielded chamber test

常用的屏蔽材料測試方法有ASTM D4935-18《Standard test method for measuring the electromagnetic shielding effectiveness of planar materials》和SJ 20524-1995。其中，ASTM D4935 利用同軸線法，針對性解決了平板型屏蔽材料的電磁屏蔽效能的測試和表征問題，對于表面涂覆型屏蔽材料、屏蔽布、屏蔽膜類的材料屏蔽效能能夠快速準確得出檢測結果，屬于遠場法，適用頻率范圍在30 MHz～1.5 GHz 之間。而SJ 20524-1995 與同軸法原理不同，其測試電場法向垂直于平板型屏蔽材料表面，并利用孿生橫電磁波生成裝置得到最終的測試結果。目前國內的電磁屏蔽效能評價主要以東南大學、電子科技大學和中科院為主，開發出了多種電磁屏蔽測試裝置，具有測試頻率范圍寬、穩定性好、動態范圍大的優點。

我國目前尚未制定高性能屏蔽方艙屏蔽效能測試的國標和軍標，對于方艙的屏蔽效能評價一般是參考有關屏蔽室的測試方法和結果評估［66-68］。國際上的標準從MIL-STD-285 更新到IEEE Std 299，國內現行有效版本GB/T 12190：2006《高性能屏蔽室屏蔽效能的測試方法》就是依據國際標準進行制定的［69］，軍標同時參考了1994 年制定的GJBZ 20219-94《軍用電磁屏蔽室通用技術要求和檢驗方法》。

5 結論

（1）國內傳統的大板方艙屏蔽工藝已日趨成熟，基本實現了寬頻帶、高性能屏蔽，但由于多采用高反射的電磁屏蔽材料進行屏蔽，雖然達到了屏蔽指標，艙體內部反射回來的高能量電磁波同樣會對電子設備產生電磁干擾，因此兼顧吸收效果的高性能屏蔽復合材料是屏蔽發展的一個重要趨勢。

（2）基于方艙輕量化的需求，應大力發展碳纖維復合屏蔽材料、石墨烯復合屏蔽材料和碳納米管復合屏蔽材料方艙成型技術，實現屏蔽功能和結構承載一體化。由于復合材料的可設計性，有望實現制備出在法向和切向上具有不同導磁、導電性能的各向異性電磁屏蔽方艙。

（3）對于方艙的門、通風窗、電源孔、信號孔、采光窗等需要開口的特殊部位的電磁屏蔽，目前仍需要進行單獨處理。如何發展一體化成型技術，保證方艙整體連續導電從而實現方艙的屏蔽，也將是今后研究的重要課題。