王大偉,陳富國,2,蔡 杰,李燕華,陳 亮
(1.平高集團有限公司,河南 平頂山467001;2.西安交通大學電氣工程學院,陜西 西安710049)
電磁兼容技術(shù)是一門快速發(fā)展并持續(xù)的學科,并交叉電力電子、計算機控制、信息通信等多個領(lǐng)域[1]。電力系統(tǒng)中的二次設(shè)備,通常安裝在變電站變壓器、電抗器、互感器等能產(chǎn)生強電磁場的設(shè)備附近,設(shè)備能正常工作的先決條件就是要能夠承受變電站的工業(yè)干擾[2],一旦干擾影響到繼電保護裝置,產(chǎn)生誤動作,甚至導致自動化系統(tǒng)紊亂,進一步導致電力系統(tǒng)的瓦解乃至崩潰[3]。電力系統(tǒng)自動化水平的逐漸提升并趨于完善,電磁兼容技術(shù)的重要性日益凸顯,總體運行情況顯示,保護裝置的準確性已符合相關(guān)設(shè)計要求,穩(wěn)定性也日益提升,但在網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)交換、系統(tǒng)信息處理等方面,尤其是暴露在電磁干擾環(huán)境下,還是反映出部分問題[4]。本文結(jié)合實際,簡單介紹電磁兼容的內(nèi)容和幾種常用的抗電磁干擾技術(shù)措施。
在電路基本元件選擇方面,元件的帶外特性和電路封裝方式通常影響其本身的電磁兼容特性。電磁兼容特性通常是由遠離基頻的元件響應(yīng)特性來決定的,而在多數(shù)情況下,電路封裝又決定著帶外響應(yīng)和不同元件之間耦合程度[5]。選擇電容、電阻、電感等主要電路基本元件的具體規(guī)則是:電容器具有等效串聯(lián)電阻和寄生電感。電容器的工作頻率應(yīng)低于其自諧振頻率。為改善自諧振頻率特性,可將大容量的電解電容器并聯(lián)小容量的陶瓷電容器使用。對于有引腳的電阻,從寄生電感角度考慮,應(yīng)首選碳膜電阻,其次是金屬膜電阻,最后是線繞電阻。電感中的磁性材料有鐵和鐵氧體。鐵芯電感用于低頻場合(幾十KHz),而鐵氧體磁芯電感用于高頻場合(到數(shù)MHz),因此鐵氧體磁芯電感更適合于電磁干擾強的場景。繼電器應(yīng)選用帶屏蔽殼體的,并帶有屏蔽殼體的接地端子。設(shè)備內(nèi)部的互連信號線應(yīng)使用屏蔽信號線,以防信號線之間的騷擾耦合[6]。
電磁兼容設(shè)計應(yīng)遵循自上而下的原則,即:根據(jù)電氣功能、結(jié)構(gòu)的不同,將系統(tǒng)劃分為若干單元,在單元輸入、輸出端口采取措施,防止外部過量電磁干擾進入單元內(nèi)部,產(chǎn)生電磁敏感性問題,或單元內(nèi)部過量電磁干擾釋放到外部空間,通過輻射或公共阻抗耦合的方式干擾系統(tǒng)其他單元。此外,根據(jù)單元電磁兼容問題的特點處理其內(nèi)部問題。
(1) 電源:設(shè)備電源的EMI 耦合涉及對供電線上的傳導發(fā)射的敏感度和傳導到供電線上的發(fā)射。一方面,電源產(chǎn)生的無用信號很容易耦合到其他單元中去,另一方面,一個單元中的無用信號可能通過電源的(公共阻抗)耦合到其它單元去。
(2) 控制單元:控制單元和設(shè)備主體往往離得較遠,因此必須正確運用接地和屏蔽方法,防止構(gòu)成地環(huán)路和耦合無用信號。
(3) 放大器:放大器一般作為系統(tǒng)前后級的接口電路,涉及到干擾信號的產(chǎn)生和耦合。放大器在電路中的布局應(yīng)設(shè)計成利用最短的距離來傳送低電平的信號,否則容易受電磁干擾影響。對所有放大器的輸入端進行去耦,只讓有用信號進入放大器,多級放大器各級之間應(yīng)去耦。
安裝底板和機殼是一種為控制設(shè)備或功能單元提供屏蔽的最有效方式。屏蔽的程度取決于結(jié)構(gòu)材料和裝配方式。
屏蔽體應(yīng)是一個完整的電連接體,屏蔽外殼的端口應(yīng)有完善的濾波措施,具有良好的接地。電磁場的特性變化與離天線的距離有關(guān),可變電磁場通常劃分為近場和遠場,場域劃分如下:
近場區(qū):d<d0/3
遠場區(qū):d>3d0
其中:d0=λ/2π≈0.159λ,λ 為天線發(fā)射電磁波波長。近場是感應(yīng)場-靜電場和靜磁場,對外不輻射能量。遠場是輻射場,向外輻射能量。
利用近似電路理論處理電磁場屏蔽的問題,即使用集總電容考察電場相互耦合,以集總互感考察磁場相互耦合。
(1) 若波源的電壓高、電流小,則電場的作用更明顯,應(yīng)采取電場屏蔽法。消除電場的影響可用法拉第屏蔽。其電場感應(yīng)可看作分布電容的相互耦合。如圖1 所示,干擾源A 和被干擾物B 的對地電位分別為UA、UB,則UA、UB之間滿足:

圖1 增加屏蔽前的電場感應(yīng)等效電路圖

式中,C1、C2分別為A、B 及B 對地的分布電容。由上式可見:為了減弱B 的感應(yīng)電場,可以增大A、B 間距,減少C1,以期分到更多的電壓;可以使B 貼近地平面,增大C2,以期分到更低的電壓。如圖2 所示,可以通過增加屏蔽金屬的方法加以解決。由于金屬板的存在,增加了兩個電容,C3和C4,其中C3被金屬板短接,其影響可以忽略,重新形成的C11由于需要繞過金屬板,其值遠小于C1,B 點對地電容由C2和C4兩部分電容并聯(lián)構(gòu)成,其值遠大于C2,因此,B 點新的對地電位較之屏蔽前大大減小。

圖2 增加屏蔽后的電場感應(yīng)等效電路圖
遠場屬于傳播場,其屏蔽效能需要依靠金屬箱體的良好導電性加以反射,并可借助電磁場仿真軟件加以計算和優(yōu)化。
(2) 相反,若波源的電壓低、電流大,則磁場的影響更明顯,應(yīng)采用磁場屏蔽法,扭曲回路磁通,或?qū)⑵湟蛩剑苊馀c另一回路交叉,消除磁場相互耦合。
為了達到良好的電場及電磁屏蔽效果,機箱材料的選擇應(yīng)遵循以下原則:
(1) 電場屏蔽則需要良導體。底板和機殼的材料應(yīng)選用如銅、鋁以及其他高電導率的金屬或合金,其屏蔽原理是反射信號。
(2) 對磁場屏蔽則需要鐵磁材料,如高導磁率合金和鐵,其屏蔽原理是吸收信號。
(3) 在強電磁場中,機箱材料要能屏蔽電場和磁場,則需要鐵磁材料結(jié)構(gòu)完整,屏蔽效能與材料厚度、搭接方式及接地方法的有關(guān)。
(4) 對于塑料殼體,在其內(nèi)壁涂敷屏蔽材料層或在采用金屬纖維骨架。
選擇專門用于電路板高頻特性分析的Ansoft Siwave 模塊進行電路板電磁兼容設(shè)計,仿真流程如圖3 所示。

圖3 Siwave 進行電路板仿真的流程圖
求解頻段的設(shè)置主要考慮以下因素:
(1) 工作環(huán)境電磁干擾的主要頻段。
(2) 電路板載波頻譜的主要分布范圍。
以塑殼斷路器監(jiān)控單元的設(shè)計為例:分斷過程以及EFT 抗擾度試驗中,干擾信號的頻譜主要集中于100 MHz 以內(nèi),同時,考慮到EFT 干擾脈沖在整個1 GHz 頻段內(nèi)都有分布,以及邏輯電平的頻譜分布,以Siwave 對電路板進行1 GHz 的本征問題求解。圖4 為裸板的本征模式,由圖可見,在電路板的所有本征模當中,其中心一般是相應(yīng)的電場分布最小的位置,在電路板的整體布局時用來放置相對重要的器件,例如程序處理芯片。


圖4 裸板共振模式的仿真
電場、磁場的屏蔽效能計算原理如下:

式(2)中:
SE——電場屏蔽效能,單位dB;
E1——無屏蔽的電場強度,單位V/m;
E2——屏蔽下的電場強度,單位V/m。
SH——磁場屏蔽效能,單位dB;
H1——無屏蔽的磁場強度,單位A/m;
H2——屏蔽下的磁場強度/ A/m;
采用Ansoft HFSS 計算屏蔽效能,其計算流程如圖5 所示。

圖5 HFSS 計算流程圖
HFSS 計算步驟如下:(1) 依據(jù)物理結(jié)構(gòu)尺寸及材料特性建立模型;(2) 設(shè)計激勵和邊界,求解頻段和精度;(3) 根據(jù)物理結(jié)構(gòu)、材料頻率自動生成網(wǎng)格;(4)求解離散化結(jié)構(gòu)的Maxwell 方程;(5) 計算當前與前一次網(wǎng)格場值的差異;(6) 比較求解與目標精度,評估收斂情況,進行循環(huán)求解,直至收斂于目標精度;(7)頻率掃描仿真,輸出Full-wavespice 模型。
高壓開關(guān)設(shè)備智能組件是變電站中普遍使用的裝置,高電場、強磁場環(huán)境下的電磁兼容是影響其運行穩(wěn)定性和準確性的重要因素。本研究從電路設(shè)計和電磁屏蔽兩個方面,進行了電磁抗干擾技術(shù)的分析。簡要分析了電容、電阻、電感等主要電路基本元件的選型方法,并根據(jù)電路不同功能單元電磁兼容問題的特點,提出了電源、控制單元、放大器等典型單元的設(shè)計原則。從電磁干擾的機理出發(fā),通過結(jié)構(gòu)材料的選擇和裝配中所用的設(shè)計技術(shù)兩個方面分析了屏蔽抗干擾和機殼設(shè)計方法。借助信號完整性仿真和計算的工具,以塑殼斷路器監(jiān)控單元的設(shè)計為例,驗證了合理布置去耦電容的有效性。本研究提出的電磁抗干擾方法,能較好地解決復雜電磁環(huán)境下高壓開關(guān)設(shè)備智能組件的電磁兼容問題,為該類電力裝置的設(shè)計和工程應(yīng)用提供了有力支撐。