專利家族視角下技術演化路徑依賴研究
——以光刻技術為例

楊 武，陳 培，Gad David

(北京科技大學 經濟管理學院，北京 100083)

0 引言

美國以貿易戰為開端對我國關鍵產業技術路徑形成鎖定[1-2]，使我國自主創新能力薄弱、關鍵核心技術受制于人的問題浮出水面。例如，在光刻機制造領域，荷蘭阿斯麥(ASML)、德國蔡司(Zeiss)、韓國海力士(Hynix)公司組建技術研發合作聯盟；阿斯麥與股東英特爾(Intel)、臺積電(TSMC)和三星(SUMSANG)形成緊密的利益共同體，其45nm以下高端光刻機設備占據高達80%以上的市場份額[3]，從而形成技術壟斷。受自身創新資源的約束，作為跟隨者的后發企業受領先企業制約，技術突破往往面臨較多困境。我國芯片產業發展對外依賴性強[4]，尤其是對阿斯麥聯盟產品和技術有較強依賴。我國后發優勢戰略體現出較強的路徑依賴性特征，突出表現為在追趕過程中陷入“引進—落后—再引進—再落后”的惡性循環。當前，國際競爭日趨激烈，厘清技術路徑演化主體、階段特征與科學內涵，尋求路徑依賴突破已成為亟待解決的戰略性問題。技術軌道的存在決定企業技術演化方向,從技術軌道出發把握路徑依賴特征更能揭示技術發展本質[5]。

早期，Arthur等[6]、David[7]研究技術創新過程中的路徑鎖定現象，將其稱為技術創新路徑依賴。當某一主導技術依賴于當前技術以及相關人力、設備時，便會形成路徑依賴，技術軌道積累是形成路徑依賴的主要原因。現有學者對路徑依賴、路徑演化進行了積極探索[8-9]，但多以定性研究為主，存在與實踐脫節的問題，對技術演化過程中的路徑依賴缺乏有效解釋。因此，有必要對技術路徑動態演化過程進行考察，結合技術背景和路徑依賴特征，深入探討技術主體對各階段技術路徑的作用機制。另外，現有研究多對技術主路徑進行分析，集中探討技術領域核心主題[10]、技術演進路徑[11]及衍生路徑[12]，但主路徑研究方法仍有局限，尤其夸大了對規模較大專利家族的技術依賴，忽視了專利家族自引的干擾，未揭示技術路徑演化規律以及不同技術主體所發揮的作用。

基于此，本研究對技術主路徑進行修正，從專利家族視角消除干擾，并以光刻技術為研究對象論證該方法的準確性和有效性，通過闡釋技術路徑動態演化過程中的路徑依賴，厘清光刻技術創新過程、更替過程和技術知識積累過程，對于突破西方發達國家核心技術封鎖具有重要現實意義。

1 理論基礎與研究綜述

1.1 技術軌道與路徑依賴

企業技術發展路徑總是包含于特定技術軌道之中，技術軌道反映某一技術領域的技術發展方向和內在規律[13]。技術軌道的形成受技術、社會、經濟等因素的影響[14-15]，由于早期技術會對后續技術發展產生影響，因此技術軌道具有路徑依賴性[16]。David[17]認為，如果不受外部因素影響，系統會一直按照“意外事件”方向發展。不同領域學者均認為路徑依賴是一種動態隨機演化過程，且具有技術方向鎖定性特征[15]。因此，從技術軌道角度研究路徑依賴有助于理解技術發展的本質[18]。技術發展是以路徑創造和路徑依賴為基礎的持續動態演化過程，包括路徑生成、路徑依賴與鎖定、路徑分化3個階段[19-20]，如圖1所示。

圖1 技術路徑動態演化過程Fig.1 Dynamic evolution process of technology path

新技術路徑的產生往往源于偶然小概率事件的觸發或有意而為的創造。在技術發展初期階段，市場上存在許多競爭主體，市場競爭格局并不明朗；進入穩定發展階段，自我強化機制使技術呈現出路徑依賴和鎖定特征，但這并不意味著這條路徑會一直持續下去，鎖定只是暫時均衡狀態，路徑發展仍存在諸多可能[21]。如由技術、市場或制度重大變革所導致的路徑分化，表現為路徑消解、偏離和突破[20]。路徑消解是指舊路徑被新路徑取代而自然消亡的過程；路徑偏離是指利益相關者的漸進性創新過程，他們往往抵觸突破性變革，僅從內部實現自我轉變；路徑突破是指依靠外力打破原有路徑依賴。相比于路徑消解，路徑偏離和路徑突破更傾向于行為主體有意識的建構，屬于不同程度的路徑創造[20]。技術演化是一個復雜的動態過程，要打破路徑依賴，需要結合技術背景和階段特征清晰展示路徑依賴形成過程。本研究通過對光刻產業技術路徑演化階段進行識別，探討其在不同技術演化階段的最優路徑選擇。

1.2 專利家族

專利家族是指不同國家申請的相同或類似專利集合，即同一項技術創新的后續發明[22]，包括簡單專利族、復雜專利族、擴展專利族、本國專利族、內部專利族、人工專利族等概念。目前，應用較為廣泛的是簡單專利族和擴展專利族[23]，歐洲專利局將簡單專利族定義為“一組涵蓋一項發明的專利文件”，即技術內容相同、專利家族成員專利優先權相同；擴展專利家族是指涵蓋一項技術專利的集合，即技術內容相似但不一定相同，包含直接或間接優先權關系[22]。專利家族價值體現在技術與經濟兩個方面：一是專利權人為維持技術優勢所形成的專利家族；二是專利權人為保護專利商業價值和市場競爭優勢所形成的專利家族。由于在其它國家申請專利會產生額外成本，因此如果專利權人愿意承擔成本以確保技術發明市場優勢地位，說明這項專利十分重要。專利家族是技術領域內的核心專利，代表領域內技術主體的核心技術。以往文獻主要關注專利家族規模[23-24]，對技術路徑演化的探討較少，因此有必要從專利家族角度對核心技術演進進行分析。相關研究表明，同一專利家族中的專利往往呈現較高的自引率，對技術主路徑產生一定干擾[25]，并影響技術主路徑演化軌跡。

2 光刻技術發展與變革

自20世紀70年代開始，光刻工藝節點從1978年1.5μm的微米時代進入如今的納米時代[26]。在摩爾定律的引導下，光刻機發展經歷了從20世紀60年代的接觸式/接近式光刻機，到20世紀70年代的投影式光刻機，再到20世紀80年代的步進式光刻機，最后到浸沒式光刻機和EUV光刻機[27]，其性能和產率均得到大幅提升。

在日本半導體產業全面崛起的年代，全球光刻制造業幾乎是日本企業的天下，其中尼康和佳能是當之無愧的巨頭。尼康的衰落始于157nm干式光刻與193nm浸沒光刻之間的技術之爭。當時，荷蘭阿斯麥決定押注浸沒光刻，在2004年生產第一臺浸沒式光刻機，率先搶占市場，并先后奪下IBM和臺積電等大客戶訂單[28]，尼康則晚了半步。又如，為突破65nm工藝節點，英特爾公司傾向于選擇EUV方案，于是早在1997年其便與美國能源部牽頭，集合摩托羅拉、AMD、IBM、英飛凌以及美國三大實驗室組成EUV LLC戰略聯盟，大力推進EUV技術研發[28]，為日后EUV光刻技術突破奠定了重要基礎。由于技術軌道具有累積性，頂尖光刻機制造幾乎被發達國家所壟斷，后發國家或企業想要擺脫技術路徑依賴、實現技術追趕與跨越十分不易。

3 研究設計

3.1 研究框架

為追溯技術演化發展趨勢，本文通過識別專利引證網絡構建技術主路徑研究框架，如圖2所示。

3.2 研究方法

3.2.1 技術主路徑

專利承載和記錄了技術細節，由專利構成的引證網絡體現了技術之間錯綜復雜的關系，專利轉移、繼承與流動關鍵路徑代表技術發展主干和脈絡[29]。技術主路徑包含技術發展關鍵節點及其相互作用關系，反映知識產生、技術改進以及新技術開發過程[12]。Dosi[29]認為，專利引用路徑在某種程度上代表技術演化軌道；Batagelj等[30]提出一種增強主路徑分析的顯著性指標算法，這些算法包括搜索路徑計數(SPC)、搜索路徑鏈接計數(SPLC)、搜索路徑節點對數(SPNP)、節點對投影統計數(NPPC)，認為SPC方法優于其它方法。隨后，許多學者將其應用于技術領域發展軌道[31-32]。

圖2 研究框架Fig.2 Research framework

本文采用SPC算法對引文網絡進行加權，SPC 值反映從引用源到引用網絡所有遍歷該鏈接的次數，鏈接值越大，表示引用網絡越重要。本文運用SPC搜索算法提取加權網絡中的全局主路徑，即搜索SPC 總數最大的路徑。如圖3所示，數字代表SPC 值，字母代表節點，實線代表運用SPC 搜索算法提取的全局主路徑，即路徑A→C→E→D→F。

圖3 基于SPC 算法的全局主路徑Fig.3 Global main path based on SPC algorithm

3.2.2 網絡節點中心性

網絡節點中心性主要包含度數中心性(Degree Centrality)、中介中心性(Betweenness Centrality)和接近中心性(Closeness Centrality)3個常用指標。其中，度數中心性是指某一節點鏈接的其它節點數，若某一節點與多個節點相連說明該節點具有較高的度數中心性，即該節點在網絡中比較重要[33]。節點度數中心性計算公式為：

(1)

度數中心度是指利用網絡中與某一節點直接相連的其它節點個數計算節點網絡地位，用以反映某一節點在網絡中的中心位置[34]。因此，本文利用度數中心度分析專利網絡中各專利權人的中心位置。

4 光刻技術路徑演化過程

4.1 數據來源與處理

本文利用Innojoy專利數據庫收集1968-2020年公開的專利數據，該專利庫收錄了涵蓋歐洲、美國、日本、中國專利局以及世界知識產權組織等技術領先國家和地區完整的專利信息。光刻技術迭代速度快、復雜程度高，包含多種細分制造工藝[35]，簡單的IPC分類或單一關鍵詞無法完整概括。本文通過對光刻技術相關文獻進行梳理，與技術專家進行交流，選取代表每個細分技術領域特征的關鍵詞，構建關鍵詞+IPC分類號檢索式，以保證專利數據盡量全面、精準地覆蓋該技術領域。在IPC分類體系中，涉及光刻技術的專利主要包括H01L(半導體器件)、G02B(光學器件)、G03B(光波裝置、設備)、G03F(曝光及設備、半導體器件加工)技術主題專利族。專利檢索式為：(TI= (lithograph or lithography or microlithograph or photolithograph or photolithography or stepper or scanner or step-and-repeat or step-and-scan) and (mask or photomask or lens or resist or photoresist or duv or euv or extreme ultraviolet)) and (SIC=H01L or G02B or G03B or G03F)。截至2021年1月1日，經過專利過濾與剔除等數據清洗，本文共獲得有效專利32 693件、Innojoy專利家族16 662條，得到596 188條引證關系。

4.2 技術主路徑

圖4繪制了光刻技術主路徑，用以展示光刻核心專利變化情況，反映光刻領域主導技術，突出核心企業不同程度的知識貢獻。頂點大小表示專利重要性(遍歷權重)，每個節點表示專利公開號和專利權人，箭頭表示引證關系，該技術主路徑提供了技術和企業兩個重要維度信息。從技術發展角度，根據技術主題，進一步將光刻技術發展軌跡劃分為4個階段。在第一階段，由于市場競爭不激烈，各主體重點對市場進行布局，專利家族申請規模有限，因此不存在對技術主路徑的干擾；從第二階段到第四階段，企業專利家族規模逐漸擴大，市場競爭日趨激烈，專利家族對主路徑的影響越來越明顯。

圖4 光刻技術主路徑Fig.4 Main path of lithography

4.3 專利家族修正

本研究采用Innojoy數據庫提供的簡單同族專利和擴展同族專利，其中擴展專利族是指直接或間接擁有至少一個相同優先權信息的一組專利文獻。表1為專利家族示例，簡單同族包含4個專利，其中US7187503B2、US20050190455A1、US7408716B2是US20070109659A1的延續，US20070091451A1為該專利家族的擴展同族專利。本文中每個專利家族都以FM為標簽，因此該組所有專利都屬于專利家族FM8(標記為Zeiss_FM8)。

表1 專利家族示例Tab.1 Patent family examples

由于專利家族的主要目的是限制競爭對手，因此重大創新專利技術往往通過自引產生高被引結果[24]，而技術主路徑的提取主要基于專利引用關系權重[11]，由此導致專利家族的影響力被無限放大，忽視了其它技術主體的作用。因此，本文運用SPC遍歷算法得到全局技術主路徑，依次比較主路徑專利節點所屬簡單專利家族和擴展專利家族，利用專利家族ID對專利進行分組，對所屬同一專利家族的節點進行修正，如圖5所示。

接下來，通過規范化專利申請人名稱清理專利數據，如ASML HOLDING N.V.公司與ASML NETHERLANDS B.V公司同屬于ASML公司，因此本文將其標記為ASML。通過比較全局搜索中的干擾主路徑(圖5a)和修正主路徑(圖5b)，將修正合并后的路徑視為主路徑。在專利US20050231814A1之后，US20050190455A1、US7408716B2、US20070109659A1和US20070091451A1均屬于同一專利家族FM8，代表浸沒式光刻折射投影技術。可見，光刻投影物鏡從傳統干式光刻全折射式設計轉變為浸沒式光刻折返式設計[27]。通過觀察發現，德國蔡司公司在整個技術路徑中發揮主導作用，說明該公司在此階段作出了重要貢獻。

圖5 專利家族修正路徑Fig.5 Patent family amendment path

隨著技術的不斷發展，專利家族自引用量日漸增多，由此產生干擾。由于干擾專利屬于同一專利家族，因此可通過修正產生新全局主路徑，如圖6所示。表2展示了主路徑中不同階段專利家族的關鍵信息。

圖6 全局主路徑Fig.6 Global main path

表2 主路徑專利家族Tab.2 Main path patent families

第一階段(1980-1996年)，步進式光刻技術日趨成熟，但主導主路徑的市場競爭主體僅有EATON、飛利浦和尼康3家公司，直到下一個顛覆性技術在2002年出現，期間未有新關鍵技術出現在主路徑中，舊有步進式光刻路徑逐漸被取代，同時也是干式光刻技術逐漸消解的過程；2002年前后，摩爾定律接近物理極限，傳統193nm干式光刻未將工藝節點推進至65nm以下，尼康和佳能研發的157nm光刻機難以實現突破，ASML將具有顛覆意義的浸沒式光刻機推向市場[3]，從此出現新技術方向——浸沒光刻。因此，第二、三階段出現與浸沒式光刻相關的新專利技術，如折返式投影技術和浸沒光刻材料等；第三階段技術發展出現路徑依賴，伴隨著工藝節點需求的提升，要求企業在分辨率、浸沒液體和光刻膠等方面不斷進步；第四階段光刻膠技術路徑逐漸分化，伴隨著舊有路徑的消解，EUV光刻膠出現在主路徑中。

由表2可知，專利家族在時間分布上主要集中在第四階段。結合專利權人分析可知，日本專利家族主要來自東京電子、JSR和尼康，主要圍繞化學放大光刻膠(CAR)技術，說明日本在光刻膠領域的壟斷地位不斷提升并呈現多元化發展趨勢。自20世紀末以來，半導體行業分工不斷細化，日本在芯片、光刻機等生產領域逐漸喪失競爭優勢，隨后全面轉向材料領域，光刻膠成為日本重點發展產品之一，占據全球75%的市場份額[36]。其它專利家族來自荷蘭阿斯麥、中國臺灣臺積電、德國蔡司，這3家公司專利家族雖然屬于不同國家，但專利技術均來源于美國。ASML與蔡司、臺積電等公司保持著緊密的商業合作關系，本質上是一組擁有核心技術的企業聯盟[37]。從某種程度上講，光刻領域核心技術一直被ASML壟斷，一旦路徑發展進入穩定階段，整個演化過程便呈現出顯著的ASML聯盟依賴特征，這源于增強機制和行動者的有意行為。然而，即便出現路徑鎖定狀態，也只是演化過程中暫時的均衡，路徑演化會一直持續下去[21]，這點已在圖6中得到印證。表3列示了主路徑在不同時期的技術內容，包括每個時期的核心技術主題、核心企業關鍵技術及主要參與競爭國家。

4.4 專利權人分析

主路徑僅代表核心技術發展演化軌跡，本文通過繪制知識流動引文網絡分析每個階段的專利權人特征。為完整展現光刻技術發展歷程，依據主路徑劃分的4個階段對專利數據進行收集，研究不同階段光刻專利權人的專利引用網絡(知識流動網絡)，通過專利權人網絡位置分析其所扮演的角色，如圖7所示。圖中每個專利節點代表一個專利權人，節點大小代表該專利權人的中心度，較高度數中心性意味著更高的知識水平。在網絡形成階段，企業比較重視探索式創新，因此節點度高的企業擁有更多相互連接的合作伙伴，從而擁有更多的多樣化、非冗余信息[38]。箭頭從知識來源指向接受者，并在專利權人后面標注了專利權人所在國家。從圖7可以看出，德國(黑色圓點)和美國(灰色圓點)在第一階段占據網絡核心位置，具有先發優勢，荷蘭(實線空心圓點)和日本(虛線空心圓點)從第二階段逐漸占據主導地位。總體來看，美日德及其它國家或地區專利權人在知識流動網絡中的聯系較為緊密。

表3 光刻產業發展4個階段技術主路徑演化特征Tab.3 Evolution characteristics of the main path of lithography in each stage

圖7 全球主要光刻企業專利引用網絡Fig.7 Patent citation network of major global lithography companies

在第一階段(1980-2002年)，ADSIL和INST在專利引用網絡中占據重要地位，它們從不同企業吸收知識(EUV LLC、海力士、MIT等)，然后傳播給三星、蔡司、ASML、IBM等；在第二階段(2002-2005年)，尼康和羅姆在光刻技術發展中發揮關鍵作用，成為專利引用網絡的關鍵“樞紐”，與普通節點相比，它們占據技術傳播和創新成果擴散主導地位；在第三階段(2005-2010年)，德國企業英飛凌和蔡司在網絡中占據核心地位；在第四階段(2010-2020年)，日本印刷和應用材料處于企業專利引用網絡核心位置，日本在這一領域擁有關鍵核心技術資源，對其它技術的影響力較強。隨著網絡的不斷演化，第四階段出現中國高校，表明國內高校逐漸參與研發，但專利尚未出現在主路徑中。這說明，中國光刻技術專利被引用率小，技術競爭力薄弱，核心技術發展依然受制于人。

4.5 路徑演化過程

如圖8所示，虛線框內表示每個節點中心度較高的核心企業，交叉區域表示共同出現的企業，如第一、二階段均出現尼康、蔡司、ASML、IBM、臺積電和英特爾。在知識流動網絡中，與其它企業來往較為密切(中心度較高)的企業往往出現在交叉區域，如尼康、蔡司、羅姆、應用材料和日本印刷。另外，在社會網絡中出現的大部分專利權人同樣也出現在主路徑中，但每個階段專利權人有所不同，尼康、蔡司、ASML、富士、臺積電與主路徑出現時間基本一致。由此可見，這些核心專利權人無論是在主路徑還是社會網絡中都是核心企業，核心專利權人識別結果進一步驗證了前文技術主路徑分析的有效性。

圖8 光刻產業路徑演化過程Fig.8 Path evolution process of lithography industry

由于技術的不斷突破，從第一階段開始，步進式光刻對準與曝光路徑逐漸消解，第二階段圍繞浸沒式投影物鏡的光刻方法逐漸產生，第三階段技術路徑主要圍繞解決浸沒式光刻帶來的一系列問題，解決方案主要集中在浸沒液、光刻膠上，進一步強化了浸沒式光刻技術路徑依賴，因此未將路徑產生與路徑依賴嚴格區分開來。在路徑依賴的每個階段、每個步驟都存在新選擇機會，也即光刻產業發展既受浸沒式路徑的影響，又充滿各種挑戰，因此第四階段是浸沒式光刻逐漸消解與EUV技術突破的過程，其路徑演化過程伴隨著市場主體的更替。

從20世紀90年開始，光刻機領域主要是尼康與ASML之間的競爭，尼康在第一、二階段一直處于核心位置，從浸沒式光刻開始敗下陣來。這是因為，一方面，ASML浸沒式光刻實現技術突破；另一方面，EUV LLC聯盟極力將尼康排除在外。在第三、四階段，尼康無論是主路徑還是專利權人網絡都退出主導地位。由此可見，技術突破與合作聯盟在搶占市場方面缺一不可。此外，網絡核心節點顯示，蔡司、ASML和IBM在各階段一直處于網絡中心節點位置，ASML隸屬于EUV LLC聯盟，聯盟組織之間可以共享技術成果，聯盟成員多來源于IBM以及美國下屬能源實驗室，因此憑借盟友之間的利益共享，其壟斷了各階段核心技術。通過分析專利申請人發現，在申請人大于2的專利中，有一半以上屬于ASML與蔡司共同申請的專利，說明兩者之間存在密切合作關系。值得注意的是，臺積電成立于1987年，主要從事晶圓代工，第一、二階段未出現在主路徑中，但經過多年發展，第四階段成為主路徑和網絡核心企業，自身擁有關鍵核心技術資源，并對技術主路徑產生主導作用。

5 結論與啟示

5.1 研究結論

追溯技術演化路徑對于考察技術創新進展至關重要。本研究采用主路徑和社會網絡分析法，從專利家族視角探尋光刻技術路徑和主要專利權人網絡地位演化，得出如下研究結論：

(1)由于存在專利家族自引效應，因此夸大了專利家族在路徑演化過程中所發揮的作用。相比于主路徑分析法，本文通過調整路徑干擾，提高路徑演化正確率，明晰了技術演進過程中技術主體的作用。

(2)光刻技術發展呈現出規律性特征，遵循第一階段路徑消解—第二、三階段路徑產生和依賴—第四階段路徑消解與突破的動態演化過程，并得出核心技術沿著“投影對準和曝光系統—浸沒式投影物鏡—浸沒式光刻材料—光刻膠”路徑發展，在技術演化過程中不只包含技術變革，技術主體也隨路徑演變而改變，技術路徑依賴包含對技術主體的依賴。

(3)光刻技術剛經歷技術路徑分化階段，正處于浸沒光刻路徑消解與EUV突破階段，與干式和浸沒式光刻相比，技術主體也相應發生改變，臺積電、東京電子和羅姆在新一輪技術變革中成為EUV光刻膠技術領導者。

(4)光刻核心專利家族集中分布于第四階段，主要來自日本企業和以ASML為核心的企業聯盟，核心技術被ASML和日本企業(Tokyo Electron、JSR等)長期壟斷，技術積累是形成路徑依賴的主要原因，反映整個路徑演化過程過于依賴某些壟斷企業，影響其它企業研發投入或采用新技術的意愿。與ASML相關的聯盟雖然屬于不同國家，但大都來源于美國，顯示出美國在該領域較強的控制能力。

(5)與發達國家相比，中國技術發展差距較大。國內技術主體除臺積電外均未出現在主路徑和專利權人網絡中，說明路徑依賴抑制后發國家技術創新，目前我國技術能力尚未擺脫受制于人的困境。

5.2 理論貢獻

本文理論貢獻如下：

(1)現有關于技術主路徑的研究未考慮專利家族的影響，忽視了技術路徑準確性考量。本文基于專利家族對技術演化過程不同階段的影響，提出針對主路徑偏差的修正方案，為排除專利家族提供了新思路，提高了技術主路徑準確率。

(2)將路徑演化過程深入光刻這一細分領域，厘清路徑依賴在技術演化情景下的應用過程，彌補了路徑依賴理論的不足[39-40]。本文立足于“中美貿易摩擦”時代背景，豐富了中國情景下路徑依賴研究。

(3)現有研究較多關注路徑依賴在經濟層面發揮的作用，較少關注其對技術主體的影響[41]。本文拓展了以技術主體為視角的路徑依賴理論，彌補了以往研究僅關注專利家族規模的不足[23-24]，對路徑演化研究提供了有益補充，呼應了Sydow等[42]將路徑依賴與路徑創造整合為路徑演化的觀點。

5.3 實踐啟示

根據上述研究結論，本文提出如下啟示：

(1)在技術路徑形成階段，企業可利用后發優勢吸收行業內成熟的共性技術，既有助于降低研發成本，也能夠在一定程度上規避研發風險，幫助企業快速積累技術資源并實現技術能力躍升。企業既能夠沿著模仿生產和投資引進的技術能力成長軌跡延續低成本后發優勢，也可通過二次創新，將吸收引進的成熟技術轉化為自身優勢資源。

(2)技術動態發展要求技術戰略與技術路徑演化規律相適應。我國已經被技術先行者鎖定，作為技術后發國家應避免落后技術(浸沒光刻)研發投入。路徑消解階段是企業技術創新的關鍵期，因此企業應努力進行技術創新以彌補后發劣勢，突破技術壁壘與追趕陷阱；反之，一味引進式學習有可能導致企業技術能力下降甚至被鎖定于低級階段。

5.4 不足與展望

本研究存在如下不足：①企業技術路徑演化過程是企業內外部因素共同作用的結果，僅研究專利家族對路徑演化的影響，未對企業內部因素進行深刻剖析，未來應建立企業內外部因素分析模型展開深入分析；②從光刻機領域研究技術路徑依賴軌跡，樣本選取具有一定局限性，未來應進一步拓展數據范圍，利用其它產業樣本數據研究技術路徑依賴演化過程。