解碼中微公司營收高增長

1月15日，中微公司（688012.SH）發布的業績預告顯示，2024年預估實現營業收入90.65億元、扣非歸母凈利潤12.80億-14.30億元，分別同比增長44.73%和7.43%-20.02%。中微公司以刻蝕機和薄膜設備為主打產品，2024年刻蝕設備同比增長54.71%，薄膜設備中，MOCVD（新型氣相外延生長技術）設備同比下降18.11%，LPCVD（低壓力化學氣相沉積法）薄膜設備實現首臺銷售。

技術層面上，中微公司的等離子刻蝕設備技術能力已經達到5nm及以下；產能方面，固定資產規模大幅提高，生產及研發基地不斷擴張。公司預計2025年或有10余類薄膜沉積設備產品交付客戶，順應下游的需求增長，擴大在主要客戶產品線上的占有率，訂單及業績增速有望保持高位。

收入增長迅速

分類型看，2024年，中微公司刻蝕設備銷售72.76億元，同比增長54.71%；MOCVD設備銷售3.79億元，同比下降18.11%；LPCVD薄膜設備2024年實現首臺銷售，收入達1.56億元。

中微公司針對芯片制造中關鍵工藝的高端產品不斷獲得市場認可，多款新產品形成重復訂單，成為收入增長的重要引擎。例如，LPCVD薄膜設備2024年累計出貨超100個反應臺。2019-2023年，公司營收由19.47億元增長至62.64億元，復合增長率超過30%，扣非歸母凈利潤由1.48億元增長至11.91億元，復合增長率超過60%。

2024年前三季度的生產及發貨狀況均反映公司在手訂單充足，支撐后續營收的快速增長。截至2024年三季度末，公司存貨和合同負債分別為78.22億元和29.88億元，同比分別增長91.18%和118.82%。前三季度生產專用設備1160腔，同比增長310%，對應產值約94.19億元，同比增長287%；新增訂單為76.4億元，同比增長約52%，其中刻蝕設備新增訂單62.5億元，同比增長約54.7%，新產品LPCVD新增訂單3億元，開始啟動放量。

從歷年三季報數據來看，中微公司的毛利率較為穩定，自2021年前三季度起毛利率保持在40%以上。盈利穩定的另一面，公司固定資產規模迅速擴大，2023年四季度之前，固定資產占資產總額的比例在3%左右，四季度末攀升至9.23%，2024年三季度末達到24.99億元，占資產總額的比例為9.89%，產能布局提升顯著；同時，固定資產周轉率由2023年前三季度的9.21次下降至2024年前三季度的2.46次，產能尚未充分釋放。

此外，財務指標反映出公司的實際運營策略正在發生變化，貨幣資金占資產總額的比例首次下降至30%以下，資金使用效率有所提高；凈營業周期自2023年第一季度起首次超過400天，主要因存貨周轉天數拉長，但公司的資產減值損失變化不大，未大量計提存貨跌價損失。

為應對外部風險，中微公司過去17年公司和美國設備企業及美國政府發生數次法律訴訟，四次勝訴，兩次和解。

據公司公告，2024年12月，美國國防部正式將中微公司從中國軍事企業清單（下稱“清單”）中移除。

2024年1月，美國國防部曾將中微列入清單，8月中微公司發起訴訟維權，最終美國國防部在審查后作出撤銷決定。2024年12月，美國商務部工業與安全局修訂了對中國半導體出口管制措施新規則，中微公司在該次修訂新規事件中未進入實體清單。

保持高研發強度

2024年，全球半導體銷售額從2023年的5269億美元增長至6112億美元新高，增幅約為16%，據預測，2025年市場規模將進一步增長12.5%至6874億美元。市場對中微公司開發多種新設備的需求快速增長，2024年公司顯著加大研發力度，研發投入約24.50億元，較上年增長94.13%，其中計入研發費用14.15億元，占公司營業收入的比例為15.61%，較上年增加了2.57個百分點，處于公司的歷史高位。

技術創新是半導體高端制造業的靈魂，中微公司目前在研發的薄膜沉積類產品一共有20多類，2023年已經付運客戶端的設備有6類，2024年、2025年，公司會新增10余類產品交付客戶。為推動供應鏈的穩定、安全，保持較高的設備交付率，公司還持續開發關鍵零部件供應商，銷售額取得快速增長。

值得關注的是，公司2024年三季度末資產負債表中的資本化開發支出已積累至9.66億元，未來轉入無形資產后，攤銷額會增加，減少利潤，但在保持規模效益的前提下，影響相對可控。

公司在新產品開發方面取得了成效，近兩年新開發的LPCVD薄膜設備已有多款進入市場，其他多個關鍵薄膜沉積設備研發項目正在順利推進，EPI（外延）設備已順利進入客戶端量產驗證階段。

繼2023年南昌生產和研發基地投入使用后，中微公司在上海臨港約18萬平方米的生產和研發基地于2024年8月正式投入使用，約10萬平方米的總部大樓暨研發中心尚在建設。相對于1700余人的歷史員工規模來說，環境相對寬松，未來生產運營管理、成本費用控制需持續加強。

2023年，公司的人均創收和創利分別為364萬元和104萬元，人均創利處于行業較高水平。中微公司采取了股權激勵等措施留住人才，2020年、2022年、2023年和2024年，公司均制定了第二類限制性股票激勵計劃，授予價格分別為每股150元、50元、50元和76.10元。特別在近三年，激勵對象人數占比超過90%。

擴品類謀增長

中微公司的等離子體刻蝕設備已批量應用在國內外一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。薄膜沉積設備如期完成多道工藝驗證，更多應用正在驗證當中，部分產品已收到客戶重復訂單。

刻蝕環節根據控制技術的不同，干法刻蝕主要包括電感耦合等離子體（下稱“ICP”）刻蝕和電容耦合等離子體（下稱“CCP”）刻蝕等類型。公司生產的設備已在28nm以上的絕大部分CCP刻蝕、28nm及以下的大部分CCP刻蝕中得到應用；ICP刻蝕方面，公司針對60多條客戶的生產線實現量產，覆蓋邏輯、功率、電源管理、微電機系統等芯片和器件，還用于生產DRAM和3DNAND存儲芯片。

國際上先進芯片制程從7-5nm階段向更先進工藝方向邁進，當前光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多重模板工藝進行曝光。

該技術路線的外部效應擴散至照明及顯示領域，利用刻蝕工藝能夠實現更精細的照明、更優質的顯示效果。

薄膜設備在發光二極管、氮化鎵和碳化硅功率器件等市場的應用發展迅速，這些器件所需的MOCVD設備是最重要的核心設備。與集成電路在很多種設備、很多步循環的制造工藝不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD設備實現，而且MOCVD設備的大部分市場在中國本土。

中微公司開發的碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED等器件所需的多類MOCVD設備取得了良好進展，已進入驗證階段，后續有望規?；a。值得一提的是，公司該類MOCVD設備的市占率超70%，在行業領先客戶的生產線上大規模使用；Mini-LED顯示所用的MOCVD設備亦成為國內外絕大多數LED生產線的主流設備。

和大多數平臺型設備制造商類似，中微公司的產品開發范疇還在擴張。公司通過投資布局了光學檢測設備板塊，并計劃開發電子束檢測設備，不斷擴大對多種檢測設備的覆蓋。隨著微觀器件越做越小，檢測設備的市場地位有所提高，增長速度很快，成為前道工序第四大設備門類，占半導體設備市場總額約11%。

產品交付目前依賴位于南昌和上海臨港的生產、研發基地，公司計劃于2025-2030年期間投資約30.5億元成立成都子公司，建設研發中心、生產基地及配套設施。該項目面向高端邏輯及存儲芯片，開展化學氣相沉積設備、原子層沉積設備及其他關鍵設備的研發和生產工作。項目總投資約30.5億元，計劃于2025年開工，2027年投入生產，預計2030年年銷售額達10億元。