業績集體回暖 碳化硅賽道國產化提速

經歷了近兩年的下行周期，功率半導體細分領域呈現復蘇趨勢，多家上市公司稱2024年四季度和2025年一季度下游景氣度和需求有所回暖，部分功率半導體價格得以修復，庫存去化，產品結構優化，業績得以不同程度改善。

近期，同屬第三代半導體的兩家美股公司迎來了不同的轉折點。5月21日，Wolfspeed報告稱準備提交破產申請，該公司盤后股價下跌50%，同日，納微半導體公司宣布與英偉達合作開發下一代800伏高壓直流架構，受此消息影響，該公司盤后漲超180%。

這兩家細分領域頭部公司的變化反映出行業競爭加劇，而新興應用領域崛起，產業格局正在重塑。自2024年下半年起，國產功率半導體中低壓產品價格修復，隨著產線稼動率的改善，設計公司代工成本逐步優化，毛利率進入改善區間。

與此同時，汽車智能化、國產化以及海外廠商的退出帶來細分品類的增量機遇，雖然中國企業與海外頭部廠商仍存在差距，但隨著技術突破和產能釋放，中國廠商有望在國際市場中占據更高的市場份額。

增長的一季報

半導體功率器件應用于電子制造業的各個方面，包括計算機、網絡通信、消費電子、汽車電子、工業控制等，新興應用領域如新能源汽車及充電樁、數據中心、風光發電、儲能的快速發展也拉動了功率器件的增長。

功率半導體商業模式分為垂直整合制造模式（簡稱“IDM”）和無晶圓廠模式（簡稱“Fabless”），國內IDM廠商以士蘭微（600460.SH）、華潤微（688396.SH）、捷捷微電（300623.SZ）為代表，揚杰科技（300373.SZ）采用IDM與Fabless并行的模式，新潔能（605111.SH）綁定上游代工廠，自建部分封裝產線，模式接近IDM，其他公司大多采用Fabless模式。

A股功率半導體廠商自2024年下半年起業績相繼復蘇，據統計2025年一季度，行業營收增速平均同比增長20.71%，平均庫存周轉天數從上年同期的154天下降至128天。

2025年一季度，士蘭微實現營業收入30.00億元，同比增長21.70%，扣非歸母凈利潤為1.45億元，同比增長8.96%。2024年下半年起，士蘭微安排12英寸模擬、IPM模塊封測產線擴充，提高IGBT芯片產能。

新潔能一季度實現營業收入4.49億元，同比增長20.81%，扣非歸母凈利潤為1.04億元，同比增長24.61%。

捷捷微電一季度實現營業收入7億元，同比增長34.72%，扣非歸母凈利潤為1.10億元，同比增長121.17%，綜合毛利率為39.93%，達到近三年同期高位。

捷捷微電已量產百余款車規級MOSFET，已廣泛應用于國內第一梯隊汽車零部件供應商的轉向、燃油、潤滑、冷卻等系統。

華潤微一季度實現營業收入23.55億元，同比增長11.29%，扣非歸母凈利潤為6494萬元，同比增長12.50%，一季度功率器件及封裝測試業務毛利率均好于上年同期。

近年來中國MOSFET廠商不斷加速相關產品的國產替代，2024年溝槽型和超結型的國產化率分別達到49%和34%，高壓MOSFET國產替代程度有待繼續提升。

國產硅片同步發力，立昂微（605358.SH）2024年12英寸硅片銷售110.30萬片，較上年同期增長121.23%，2025年有望繼續快速爬坡，已覆蓋圖像傳感器件和功率器件所需硅片。

IGBT出貨量自2024年下半年進入底部，盡管國內IGBT產量保持較高增長態勢，但整體自給率水平相對較低，未來中國廠商持續擴產，技術持續突破，憑借較高的性價比，自給率將逐步提高。

國泰海通證券認為，2025年一季度的復蘇由三個方面的原因推動，一是受益于國家補貼政策提振和消費復蘇推動，消費電子等多個下游有所回暖；二是去庫存周期已看到底部或者接近底部；三是新產品的推動。預計二季度功率半導體仍將處于復蘇階段。

把握新興應用領域

智能駕駛下沉中低端車型市場，中低端車型銷量提升將提振IGBT的需求。中低端車型競爭激烈，車廠更加注重成本管控，使用碳化硅的可能性較低，業內預計短期內仍將使用成本較低的IGBT。

據統計，截至2024年6月底，中國新能源上險乘用車IGBT模塊的國產供應累計占比約79.9%。2024年1-6月，比亞迪半導體累計搭載功率模塊約占23.8%，時代電氣占9.4%，芯聯集成約占24.9%，斯達半導占7.0%，士蘭微約占5.0%，宏微約占1.4%。

國元證券指出，各大車廠將持續搶占中低端車型市場份額，帶動新能源汽車價格持續下滑，中低端車型仍是主流車型價格區間，預計2025年IGBT仍有較大的增長空間。

除新能源汽車外，國內外人工智能廠商加速布局千億參數大模型，訓練需求及推理需求高速增長，共同驅動算力革命，助推以數據中心為代表的AI服務器市場出貨量增長。

納微半導體的主業包含AI數據中心供電解決方案，在第三代半導體相關技術領域具備優勢，該公司于5月21日宣布參與英偉達下一代800V HVDC電源架構開發，納微半導體旗下的氮化鎵和碳化硅技術將為數據中心機架級系統內的GPU提供電力支持。

國產功率半導體廠商圍繞AI算力服務器的相關需求研發產品，積極開發下游客戶，目前新潔能的相關產品已應用于海內外頭部客戶的服務器電源領域，并實現穩定批量銷售。

國產化進程迅速

2024年，碳化硅晶圓需求并未出現較大提升，但全球碳化硅產能較2023年提升50%以上，行業進入供過于求階段。碳化硅襯底制造工藝難度較大，存在較高的技術門檻，據測算，6英寸升級至8英寸，成本預計將下降35%。

海外大廠Wolfspeed、Rohm、Onsemi均計劃在2025年前后實現8英寸碳化硅襯底的量產。Wolfspeed預計將產能擴大10倍，Onsemi計劃將年產能從28.8萬片提升至117.6萬片。Wolfspeed量產的8英寸碳化硅襯底理論上可降低單位成本30%，但實際良率不足40%的問題長期未能解決。

中國廠商通過工藝創新，將6英寸襯底價格壓至國際水平的30%。據統計，2024年上半年產能已較2022年提升3倍，達到348萬片，雖目前主要產能仍以6英寸為主，但頭部企業已開始進軍8英寸。

目前天岳先進（688234.SH）的量產碳化硅襯底的尺寸已從2英寸迭代升級至8英寸，該公司于2024年推出業內首款12英寸碳化硅襯底。

2023-2026年，多家企業計劃將產能從數萬片提升至數十萬片量級。中國碳化硅產業正迎來快速擴張與技術升級的雙重驅動，天科合達、天岳先進、三安光電等通過大規模投資加速產能布局。

士蘭明鎵6英寸已達月產能9000片，2025年效率將進一步提升；士蘭集宏8英寸預計于2025年四季度全面通線并試產，2024年底迷你產線已實現通線。

外延片的國際供應商大多是IDM環節的延伸，Wolfspeed以37%的份額位居第一，而受良率、成本等因素影響，該公司遲遲未能扭轉虧損，5月21日，Wolfspeed報告稱準備提交破產申請。

另一方面，中國產業升級與技術創新持續壓縮行業成本空間。通過優化長晶工藝、引入激光切割等技術提升良率，疊加設備國產化率改善，碳化硅襯底成本有望持續下滑，推動器件價格加速向硅基IGBT靠攏。

中國碳化硅晶圓產能增長主要集中于2025年之后，且增速高于全球水平，將重塑行業競爭格局。據預測，2024-2030 年，碳化硅功率器件行業的市場規模將繼續增長，復合年增長率為35%，2030年市場規模將達到約197億美元。

全球碳化硅在整個功率半導體器件市場中的滲透率也顯著提升，從2019年1.1%增長到2024年的 6.5%，并預計到2030年將增長至22.6%。

未來，新能源汽車30萬以上純電動車型不斷推出、電壓等級由400V向800V升級，疊加碳化硅整體成本持續下降，將推動碳化硅模組在中高端車型上的滲透率提升。