氮化硼薄膜的厚度對場發射特性的影響
2003-04-29 00:00:00顧廣瑞李英愛劉艷梅陶艷春何志殷紅李衛青馮偉白玉白田野趙永年
吉林大學學報(理學版) 2003年3期
提要：利用射頻磁控濺射方法，在n型(100)Si基底上沉積了不同厚度(54～124nm)的納米氮化硼(BN)薄膜．紅外光譜分析表明，BN薄膜結構為六角BN(h—BN)相(1 380cm-1和780cm-1)結構．在超高真空系統中測量了不同膜厚的場發射特性，發現閾值電壓隨著厚度的增加而增大．厚度為54nm的BN薄膜樣品閾值電場為10V／μm，當外加電場為23V～m時，最高發射電流為240pA／cm2．BN薄膜場發射F-N曲線表明，在外加電場作用下，電子隧穿了BN薄膜表面勢壘發射到真空．
關鍵詞：氮化硼薄膜；場發射；厚度
中圖分類號：TN873．95
文獻標識碼：A
文章編號：1671—5489(2003)03—0352—04
