斜角造型高壓硅器件表面特性的光感生電流法檢測

董小兵　張少云　徐傳驤

摘要：采用激光探針表面電荷測量系統，實現了有機／無機介質膜保護下的高壓硅器件表面耗盡區展寬的測量，分析了光感生電流(OBIC)曲線與硅表面少子擴散長度、表面復合速率以及波長相關吸收系數的關系．實驗和計算結果表明，He—Ne激光束由于具有較大的吸收系數(>3 200cm

)和適當的透射深度(≈3．1μm)，對曲線上下沿變化影響很小，測量結果可以直接反映硅表面本身的響應．小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下，表面耗盡區在穩態光電導下的擴展幾乎都是在低摻雜的n區進行，p區的擴展被“釘扎”．表面保護不良時，OBIC曲線可直接反映出局部的電場倍增狀態．對不同腐蝕時間處理的磨角造型硅表面，OBIC測量結果表明，當腐蝕時間短時，表面少子壽命較低；反之，則壽命會有所提高．關鍵詞：硅器件；表面耗盡區；光感生電流中圖分類號：TN304文獻標識石馬：A文章編號：0253—987X(2004)06—0623—04