大有可為的納米印刻技術

作者簡歷 劉澤文，1960年生，法國巴黎第十一大學博士，現在清華大學任教，主要研究方向為微電子器件、RF－MEMS技術和納米技術。

1． 引言

正當納米技術在全球范圍內掀起一場科技熱潮的時候，大規模集成電路已經穩步地進入了納米時代，特征尺寸小于100納米的晶體管已經進入大批量生產階段。大規模集成電路之所以能得到持續發展，主要依賴于光刻技術的不斷進步。在傳統半導體技術發展規劃中，人們關注的下一代主要候選光刻技術是光學（包括極紫外）光刻、電子束光刻、X射線光刻和離子束光刻， 而在2003年制訂的《國際半導體技術發展路線》上，一種新型工具—納米印刻技術赫然在目。由于納米印刻技術在分辨率、產能和成本等諸多方面的獨特優勢，它不僅是實現未來小于45納米特征線寬集成電路的理想候選技術，也是制作各種微米納米器件包括光電器件、存儲器件、微流體器件等的重要手段，已經引起了科研、生產部門的廣泛重視。目前在歐洲和美國已經出現了數家生產納米刻印設備的專門公司如Nanonex、MII、EVG等，所生產的設備已經銷往包括我國在內的眾多大學、研究機構和大公司。