ＣＯＯｌＭＯＳ ＣＳ服務器系列ＭＯＳＦＥＴ：向理想開關邁進

英飛凌公司Gerald Deboy Fanny Dahlquist Uwe Wah

前言

CoolMOS CS系列“超級結”MOSFET器件高壓設備的成功是基于1 9 9 8年英飛凌公司推出的CoolMOS技術。這些器件的優越性能實現了區域導通電阻的大幅度降低。為了防止過早的電壓擊穿，載流子得到了相鄰漂移區內p一區的補償。P一區與導電n一區緊密封閉在一起。在阻斷狀態下，這些相鄰的n一區域和p一區域通過移動載流子相互耗盡?！俺壗Y”技術的名稱是從融合的PN結結構產生的三維表面得來的。這一原理為客戶創造了無與倫比的MOSFET性能。

器件特點

圖1對當今T0220封裝中幾種器件的導通電阻值進行了比較。傳統MOSFET受到所謂的硅極限的限制?！俺壗Y”原理可以讓英飛凌最新技術將標準T0220封裝中的導通電阻大幅度削減至99 m。區域導通電阻與傳統MOSFET相比降低了5倍多。

換句話說，在這種技術下，給定導通電阻所需要的芯片尺寸是傳統功率MOSFET技術所需尺寸的1／5。大幅度的芯片尺寸縮小與設備電容的減少一致，后者是快速開關的關鍵。將這些低電容與高速柵信號擴展結合在一起，我們保證所有的MOS單元可以同時開關?？梢酝ㄟ^常用方法，即設置一個合適的柵電阻值，來實現開關速度控制。

通過提高摻雜水平來降低導通電阻，通常不支持低柵電荷。這個矛盾是通過新的柵結構解決的，使柵漏電荷比前一代技術要低3倍。這實現了世界上最低記錄的FoM(R。×Qg)值，而且柵漏、柵源電荷比值Qgd，Qgs小于1．5，這是非常有利的結果。

圖2顯示了圖1中器件的FoM(R?！罳。)值比較，我們最新系列產品顯示的是5wnc，不到傳統MOSFET值的1／10?！?br>