功率器件變革創(chuàng)新

環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識之士認(rèn)識到節(jié)能減排提高能效是未來科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長期的任務(wù)。如何應(yīng)對這項(xiàng)挑戰(zhàn)?各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并詳細(xì)講解了如何利用創(chuàng)新的MOSFET來提升電源系統(tǒng)效率。

全新OptiMOS 3系列可提供出優(yōu)良的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO 8封裝具備最低1.8mΩ的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO 8封裝具備最低2.8mΩ的通態(tài)電阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO 8封裝具備最低4.7mΩ的通態(tài)電阻，與最接近的競爭性產(chǎn)品相比，通態(tài)電阻降幅高達(dá)50％，為業(yè)界樹立了新標(biāo)桿。

OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，包括眾多產(chǎn)品的SMPS(開關(guān)模式電源)、DC／DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動(dòng)工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類電子設(shè)備。

去年年底，英飛凌獲得了IR公司的DirectFET封裝技術(shù)授權(quán)，但是由于目前主要是IR提供封裝，所以采用DirectFET封裝(英飛凌稱為CanPAK封裝)的OptiMOS3器件還不多，隨著英飛凌馬來西亞新封裝廠的落成，未來采用CanPAK封裝的器件會(huì)大量面市，他透露目前也有其他廠商獲得了IR公司的DirectFET封裝授權(quán)，所以未來采用DirectFET。封裝將會(huì)增多，將擺脫以前僅有一家公司供貨的局面，因此，該類封裝應(yīng)用將走熱。

Vishay于深圳推廣新產(chǎn)品和新技術(shù)

5月27日，Vishay公司在深圳舉行亞太區(qū)媒體交流會(huì)。會(huì)上，Vishay市場傳訊部門全球網(wǎng)絡(luò)市場總監(jiān)Craig Hunter介紹了公司發(fā)展?fàn)顩r。Vishay亞太區(qū)鉭電容器／MLCC部亞太區(qū)市場高級總監(jiān)SongHee Lau，電阻／電感部門亞太市場高級總監(jiān)Victor Goh，分別對Vishay鉭電容器系列及其Tantamout器件在“消除無線調(diào)制解調(diào)器設(shè)計(jì)中的PCMCIA功率限制”上的應(yīng)用，和MELF電阻器及超薄功率電感器進(jìn)行了全面闡述。

Vishay功率器件部門亞太區(qū)市場資深經(jīng)理Vincent Tan介紹了全球第一款200V TMBS(溝道式MOS勢磊肖特基)整流器所采用的新技術(shù)是如何克服高正向電壓和高開關(guān)損耗的弱點(diǎn)，并介紹了PowerBridge整流器。Siliconix部門高級應(yīng)用工程師Sean Wu詳解了功率MOSFET的產(chǎn)品組合、技術(shù)創(chuàng)新IC工藝以及IBC PWM控制器，指出為了滿足電信和數(shù)據(jù)通信、路由器和服務(wù)器等領(lǐng)域電源擴(kuò)容的需要，在IBC PWM控制器中集成高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以進(jìn)一步降低成本。

據(jù)介紹，目前Vishay的產(chǎn)品組合包括半導(dǎo)體和無源元件兩大產(chǎn)品線。半導(dǎo)體器件組合包括MOSFET、大功率二極管、集成電路、模塊、光電器件、整流器、RF晶體管、小信號二極管、可控硅、齊納和抑制二極管；無源元件組合包括電容器、電感器、基于應(yīng)變計(jì)的傳感器以及壓力分析系統(tǒng)。