黃曉俊 邢凌燕
0引言
隨著微波通信技術的發(fā)展,人們對通信系統(tǒng)的要求越來越高,比如小型化、可靠性等,微波單片集成電路(MMIC)憑借小型緊湊、穩(wěn)定性好、抗干擾能力強、批量生產成本低和產品性能一致性好等特點成為軍事電子對抗及民用通信系統(tǒng)最具吸引力的選擇。贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)具有增益、噪聲、功率方面更加良好的特性,成為微波與毫米波單片集成電路和超高速數(shù)字集成電路領域最具競爭力的有源器件之一,當前,PHEMT MMIC研究已經成為MMIC研究的一大熱點。本文的功率放大器便是采用PHEMT工藝技術,設計要求工作頻段在3~4 GHz左右,其工作帶寬要求大于500 MHz,要求信號線性特性好,頻帶內增益平坦度平滑,電路工作性能穩(wěn)定。其功率增益的要求為30 dB左右。