溫度自適應性ＤＲＡＭ刷新時鐘電路
2009-09-30 09:04:48曾鋒任明明易茂祥張昭勇
現代電子技術 2009年15期
曾 鋒 任明明 易茂祥 張昭勇
摘要：動態存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內部的數據。為降低存儲器刷新過程的電路功耗，設計一種具有溫度自適應特性的刷新控制電路。根據二極管的電流在閩值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結構，提出一種具有溫度自適應特性的刷新時鐘電路，使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢符合動態存儲器的刷新要求，仿真實驗結果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下，有效地降低了其刷新過程中的功耗。
關鍵詞：刷新；動態存儲器；溫度適應性；功耗
中圖分類號：TN402文獻標識碼：A文章編號：1004－373X(2009)15－181－03
