連新昊 顏吟雪
(1西北工業(yè)大學(xué)航空學(xué)院,西安710072)
(2北京空間機(jī)電研究所,北京100076)
1834年,法國(guó)物理學(xué)家帕爾帖發(fā)現(xiàn)在兩種不同金屬組成的閉合電路中通直流電會(huì)使一個(gè)結(jié)點(diǎn)變冷,另一個(gè)結(jié)點(diǎn)變熱,這種效應(yīng)后來(lái)被命名為帕爾帖效應(yīng)。熱電制冷(Thermo-Electric Cooling,TEC)技術(shù),又稱半導(dǎo)體制冷技術(shù)(Semiconductor refrigeration),是利用帕爾帖效應(yīng)的一種制冷方法,其原理如圖1所示,熱電制冷器(TECs)由半導(dǎo)體(N型、P型)溫差電元件、金屬導(dǎo)流片、陶瓷片組成,其中金屬導(dǎo)流片是連接半導(dǎo)體溫差電元件的結(jié)點(diǎn),當(dāng)電流從N型半導(dǎo)體流向P型半導(dǎo)體時(shí),結(jié)點(diǎn)處吸熱;當(dāng)電流由P型半導(dǎo)體流向N型半導(dǎo)體時(shí),在結(jié)點(diǎn)處放熱,于是形成了冷面和熱面。當(dāng)電流方向相反時(shí),原吸熱的結(jié)點(diǎn)放熱,原放熱的結(jié)點(diǎn)吸熱,冷面和熱面位置互換。該制冷方法不需要任何工質(zhì),無(wú)活動(dòng)部件,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,非常適宜于微型制冷領(lǐng)域或有特殊要求的場(chǎng)合。TEC技術(shù)的這一特性使其在民用制冷領(lǐng)域及空間飛行器制冷領(lǐng)域得到了應(yīng)用。

圖1 熱電制冷原理示意圖
TECs的性能取決于所使用半導(dǎo)體材料的制冷性能,工程中半導(dǎo)體材料的制冷性能常用優(yōu)值系數(shù)Z與使用溫度T的乘積ZT來(lái)衡量,其中優(yōu)值系數(shù)Z=α2σ/k(α為熱電制冷元件熱電動(dòng)勢(shì)率;σ為熱電制冷元件電導(dǎo)率;k為熱電制冷元件的熱導(dǎo)率)。1996年美國(guó)橡樹嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)RM4X12型化合物的ZT值可達(dá)1.4,這是半導(dǎo)體制冷材料研究中的一次重大進(jìn)展。2001年,美國(guó)RTI研究所將Bi-Te基合金制成超晶格薄膜,300K時(shí)ZT值達(dá)到2.4,成為目前世界最高水平[1]。目前科研人員找到性能優(yōu)良的半導(dǎo)體材料不多,在200K~300K普冷范圍內(nèi)性能優(yōu)良、應(yīng)用最多的是三元固溶合金B(yǎng)i2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3,其平均優(yōu)值系數(shù)在3.0×10-3K-1左右[2]。
為確保星載相機(jī)正常工作,需要對(duì)其進(jìn)行熱設(shè)計(jì),焦面組件熱設(shè)計(jì)是其中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。焦面組件傳統(tǒng)熱設(shè)計(jì)思路是:建立焦面組件中需精確控溫的發(fā)熱部件至散熱面的良好傳熱路徑,在相機(jī)正常工作時(shí),將熱量排散至冷空間;同時(shí),為適應(yīng)相機(jī)長(zhǎng)期待機(jī)模式,設(shè)置主動(dòng)控溫加熱回路,防止焦面組件中需精確控溫部件溫度過(guò)低。本文將TEC技術(shù)應(yīng)用于星載相機(jī)焦面組件的熱設(shè)計(jì),利用其恒溫控制能力,在滿足焦面組件控溫要求的同時(shí),以低代價(jià)(功耗)實(shí)現(xiàn)了提高熱設(shè)計(jì)適應(yīng)性(適應(yīng)正常工作與長(zhǎng)期待機(jī)兩種模式)的目的。
某星載相機(jī)(以下簡(jiǎn)稱相機(jī))是天基空間目標(biāo)監(jiān)視系統(tǒng)的有效載荷,它通過(guò)相機(jī)安裝支架安裝在衛(wèi)星平臺(tái)上,如圖2所示。相機(jī)主要由遮陽(yáng)罩、光學(xué)鏡頭、焦面組件等組成,其中焦面組件包含1片探測(cè)器、4片PCB電路板和電路盒殼體,探測(cè)器安裝在PCB1上,其控溫指標(biāo)為0℃±1℃,焦面組件結(jié)構(gòu)如圖3所示。光學(xué)鏡頭溫度控制在0℃±1℃范圍,相機(jī)安裝支架溫度控制在0℃±1℃范圍,衛(wèi)星平臺(tái)溫度為-10℃~45℃范圍。

圖2 相機(jī)組成及相機(jī)在衛(wèi)星上安裝位置示意圖
該相機(jī)搭載于某太陽(yáng)同步軌道衛(wèi)星,軌道高度為673km,軌道傾角98.079 2°,軌道偏心率為0,降交點(diǎn)地方時(shí)為6:30(Am)。相機(jī)采用與衛(wèi)星相同的坐標(biāo)系統(tǒng),即+Z方向?yàn)樵谲墝?duì)地方向,+Y方向指向相機(jī)入光口,+X方向?yàn)轱w行方向(垂直紙面向外),+X、+Y、+Z符合右手定則,如圖2所示。
在相機(jī)正常工作時(shí)電路板上的電子元器件會(huì)產(chǎn)生大量熱量,為防止熱量的積聚導(dǎo)致電子元器件溫度過(guò)高,必須通過(guò)合理的熱設(shè)計(jì)將這些熱量排散至冷空間;相機(jī)探測(cè)器安裝在PCB1電路板上,在相機(jī)正常工作與長(zhǎng)期待機(jī)時(shí)均需要維持在穩(wěn)定的溫度范圍內(nèi)。為確保相機(jī)在軌正常工作,需要對(duì)焦面組件進(jìn)行專門的熱設(shè)計(jì),表1為相機(jī)內(nèi)部熱源及溫度指標(biāo)要求。

圖3 相機(jī)焦面組件結(jié)構(gòu)示意圖

表1 相機(jī)內(nèi)熱源及溫度指標(biāo)
焦面組件熱邊界主要包括空間外熱流、相機(jī)安裝支架、相機(jī)光學(xué)鏡頭和衛(wèi)星平臺(tái)。
為了確保相機(jī)在軌工作溫度在設(shè)計(jì)指標(biāo)范圍內(nèi),對(duì)相機(jī)光學(xué)鏡頭、相機(jī)安裝支架進(jìn)行了熱設(shè)計(jì),其思路是:1)將光學(xué)鏡頭與焦面組件中的探測(cè)器進(jìn)行等溫化設(shè)計(jì);2)相機(jī)安裝支架與焦面組件隔熱設(shè)計(jì);3)控制相機(jī)支架溫度,盡量縮小與焦面組件的溫差。主要措施是在光學(xué)鏡頭、相機(jī)安裝支架結(jié)構(gòu)件上設(shè)置主動(dòng)控溫加熱回路,在結(jié)構(gòu)件外表面包覆多層隔熱組件、相機(jī)安裝支架與焦面組件間安裝聚酰亞胺隔熱墊。按上述設(shè)計(jì)思路,最終將相機(jī)光學(xué)鏡頭溫度控制在0℃±1℃附近,相機(jī)安裝支架溫度控制在0℃±2℃附近,最大程度減小相機(jī)光學(xué)鏡頭、相機(jī)安裝支架與焦面組件間的熱交換。
衛(wèi)星平臺(tái)內(nèi)部溫度在-10℃~45℃范圍,其表面包覆多層隔熱組件,減小與相機(jī)的輻射換熱。電路盒-Y、+Z面分別正對(duì)衛(wèi)星平臺(tái)兩個(gè)面,需要通過(guò)熱設(shè)計(jì)減小衛(wèi)星平臺(tái)對(duì)電路盒表面的輻射影響。
如圖2所示,相機(jī)安裝在衛(wèi)星平臺(tái)上。由于衛(wèi)星平臺(tái)和光學(xué)鏡頭的遮擋,有外熱流到達(dá)的面只有電路盒+X、-X、+Y、-Y、-Z面。以夏至季節(jié)為例,對(duì)焦面組件外熱流進(jìn)行了計(jì)算,結(jié)果見圖4。從圖4可看到,到達(dá)-Y面的太陽(yáng)直射外熱流最大,應(yīng)盡量避免使用該面作為散熱面;若采用+X、-X、+Y、-Z面作為散熱面,需選用高發(fā)射率、低太陽(yáng)吸收比熱控涂層。

圖4 夏至季節(jié)到達(dá)焦面組件電路盒各面外熱流
由表1中各熱源的溫度指標(biāo)可知,相機(jī)探測(cè)器對(duì)溫控指標(biāo)要求較高(0℃±1℃),而電路板PCB2、PCB3、PCB4的控溫指標(biāo)要求低于45℃即可,因此探測(cè)器的溫度控制是整個(gè)焦面組件熱設(shè)計(jì)的關(guān)鍵,需要對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)設(shè)計(jì)。
探測(cè)器熱設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)方法是在探測(cè)器與散熱面間建立良好的傳熱路徑,把熱量排散至冷空間,該方法要求盡量降低傳熱路徑沿程的熱阻。但隨之而來(lái)的問(wèn)題是,當(dāng)相機(jī)處于長(zhǎng)期待機(jī)狀態(tài)時(shí),需要設(shè)置補(bǔ)償加熱,防止探測(cè)器及其周圍結(jié)構(gòu)溫度過(guò)低,這樣需要占用大量的星上資源。
本文利用TEC技術(shù)的恒溫控制能力,并參考TEC技術(shù)中有關(guān)電子設(shè)備恒溫控制的應(yīng)用實(shí)例[3-5],對(duì)某相機(jī)焦面組件進(jìn)行熱設(shè)計(jì),詳細(xì)設(shè)計(jì)方案如下:
1)采用隔熱板將電路盒殼體分成高低溫兩個(gè)區(qū)域,探測(cè)器和電路板PCB1所在區(qū)域?yàn)榈蜏貐^(qū),要求對(duì)其進(jìn)行恒溫控制。電路板PCB2、PCB3、PCB4所在區(qū)域?yàn)楦邷貐^(qū),需要滿足≤45℃的控溫要求,并盡量減小對(duì)低溫區(qū)的影響。隔熱板采用3mm厚玻璃鋼材料,在朝向高溫區(qū)一側(cè)貼鍍鋁聚酯薄膜以降低其表面發(fā)射率,從而減小與高溫區(qū)的輻射換熱。
2)4塊PCB板邊框與電路盒殼體安裝面填充導(dǎo)熱填料以強(qiáng)化導(dǎo)熱。
3)將高溫區(qū)電路盒殼體的+X、-X、-Z面的外表面作為散熱面,表面噴涂白漆S781熱控涂層,該涂層具有高發(fā)射率、低太陽(yáng)吸收比特性[6-7]。
4)電路盒殼體其余外表面包覆多層隔熱材料以減小空間外熱流、衛(wèi)星平臺(tái)、相機(jī)安裝支架等熱邊界的影響。
5)將熱電制冷器一個(gè)工作面與探測(cè)器耦合,另一個(gè)工作面通過(guò)輻射與高溫區(qū)輻射換熱,從而建立“探測(cè)器—熱電制冷器—散熱面”的探測(cè)器傳熱路徑。
當(dāng)相機(jī)在軌正常工作時(shí),控制熱電制冷器正向通電,與探測(cè)器耦合的工作面為冷面,冷面吸收探測(cè)器工作時(shí)產(chǎn)生的熱量,控制其溫度;另一個(gè)工作面即為熱面,向高溫區(qū)輻射熱量。該狀態(tài)下探測(cè)器傳熱方向?yàn)椋禾綔y(cè)器→熱電制冷器→散熱面。
當(dāng)相機(jī)長(zhǎng)期待機(jī)時(shí),無(wú)內(nèi)熱源,為防止低溫區(qū)溫度過(guò)低,控制熱電制冷器反向通電,與探測(cè)器耦合的工作面為熱面,熱面對(duì)探測(cè)器加熱維持其溫度,此時(shí)探測(cè)器傳熱方向?yàn)椋荷崦妗鸁犭娭评淦鳌綔y(cè)器。
熱電參數(shù)計(jì)算目的是:通過(guò)計(jì)算確定熱電制冷器達(dá)到規(guī)定的制冷量所需要的制冷元件的數(shù)量、幾何參數(shù)、輸入電流、輸入功率,從而為熱電制冷器結(jié)構(gòu)詳細(xì)設(shè)計(jì)和工作點(diǎn)設(shè)定提供依據(jù)。熱電制冷器熱電參數(shù)計(jì)算公式見式(1)~(5)[8]。

式中 Q為熱電制冷器制冷量;n為熱電制冷元件對(duì)的數(shù)量;Q0為一對(duì)熱電制冷元件制冷量;P為熱電制冷器輸入功耗;ε為熱電制冷器制冷系數(shù);αN、αP為N型、P型熱電制冷元件熱電動(dòng)勢(shì)率;TC為冷面溫度;ΔT為冷熱面溫差;I為輸入電流;R為一對(duì)熱電制冷元件的電阻;σN、σP為N型、P型熱電制冷元件電導(dǎo)率;k為一對(duì)熱電制冷元件的熱導(dǎo);kN、kp為N型、P型熱電制冷元件熱導(dǎo)率;SN/lN、SP/lP為N型、P型熱電制冷元件的幾何系數(shù)。
在本文的計(jì)算過(guò)程中,TC、ΔT、Q為已知條件,αN、αP、kN、kp、σN、σP由熱電制冷元件材料性能決定,可通過(guò)查文獻(xiàn)或手冊(cè)得到,幾何系數(shù)可從文獻(xiàn)或設(shè)計(jì)手冊(cè)中選型,通過(guò)計(jì)算公式(1)~(5)并運(yùn)用優(yōu)化設(shè)計(jì)方法即可得到最大ε下的n、I、和P[9]。在相機(jī)正常工作時(shí),熱電參數(shù)計(jì)算結(jié)果見表2。

表2 熱電參數(shù)計(jì)算結(jié)果列表
根據(jù)表2的結(jié)果,選取幾何系數(shù)為0.131cm的8對(duì)熱電制冷元件組成熱電制冷器,工作電流為1.5A,輸入功率0.430 3W,可以滿足相機(jī)探測(cè)器正常工作制冷量需求。
當(dāng)相機(jī)處于長(zhǎng)期待機(jī)時(shí),通過(guò)對(duì)該制冷器反向通電實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器加熱,從而達(dá)到探測(cè)器控溫要求,αN、 αP、kN、kP、σN、σP、 n及幾何系數(shù)與相機(jī)正常工作下相同,探測(cè)器控溫所需加熱量(P+Q)作為已知量,仍按照公式(1)~(5)計(jì)算得到工作電流約為2A,輸入功率0.725 6W,計(jì)算過(guò)程類似,這里不再贅述。
為驗(yàn)證上述熱設(shè)計(jì)方案能否滿足溫控指標(biāo)要求,利用I-DEAS/TMG熱分析軟件進(jìn)行了建模及仿真分析。
相機(jī)正常工作時(shí)探測(cè)器及電路板PCB2、PCB3、PCB4的溫度變化曲線見圖5、圖6,探測(cè)器溫度在-0.7℃~0.6℃范圍,滿足0℃±1℃要求;電路板PCB2、PCB3、PCB4的溫度在15℃~30℃之間,滿足低于45℃要求。
相機(jī)長(zhǎng)期待機(jī)狀態(tài)下的探測(cè)器溫度變化曲線如圖7所示,探測(cè)器溫度維持在-0.3℃~0.3℃范圍內(nèi),滿足0℃±1℃要求。
上述仿真分析結(jié)果表明,基于TEC技術(shù)的相機(jī)焦面組件熱設(shè)計(jì)滿足表1所列各項(xiàng)控溫指標(biāo)要求。

圖5 相機(jī)正常工作探測(cè)器溫度變化曲線

圖6 相機(jī)正常工作電路板溫度變化曲線

圖7 相機(jī)長(zhǎng)期待機(jī)探測(cè)器溫度變化曲線
探測(cè)器熱設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)方法采取相同的分區(qū)控溫方案和散熱面設(shè)置,通過(guò)用高導(dǎo)熱率的材料(如銅、鋁等)制成的導(dǎo)熱塊將探測(cè)器的熱量導(dǎo)至高溫區(qū)。當(dāng)相機(jī)正常工作時(shí)可以把溫度控制在0℃±1℃范圍內(nèi),但在相機(jī)長(zhǎng)期待機(jī)時(shí),需要通過(guò)補(bǔ)償加熱方式維持探測(cè)器溫度,補(bǔ)償加熱電功率約為7W。
基于TEC技術(shù)的焦面組件熱設(shè)計(jì)方案,將熱電制冷器作為控溫元件,通過(guò)調(diào)整其電流的方向與大小可以實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器的恒溫控制,即:相機(jī)正常工作時(shí),熱電制冷器熱面向高溫區(qū)排散熱量,冷面為探測(cè)器制冷;而相機(jī)長(zhǎng)期待機(jī)時(shí),通過(guò)對(duì)熱電制冷器反向通電維持探測(cè)器溫度。此外,熱設(shè)計(jì)方案中通過(guò)合理設(shè)置散熱面,同時(shí)滿足了PCB電路板和熱電制冷器的散熱要求。
仿真分析結(jié)果表明,采用基于TEC技術(shù)的熱設(shè)計(jì)方案最大需要電功率0.725 6W,相比傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法降低了約90%。兩種方案的對(duì)比參見表3。

表3 兩種設(shè)計(jì)方案對(duì)比
TEC技術(shù)有諸多優(yōu)點(diǎn),非常適宜于微型制冷領(lǐng)域或有特殊要求的場(chǎng)合。本文將TEC技術(shù)應(yīng)用于某星載相機(jī)焦面組件的熱設(shè)計(jì),充分利用了熱電制冷器的恒溫控制能力,提高了熱設(shè)計(jì)的適應(yīng)性,比傳統(tǒng)方案花費(fèi)的代價(jià)(功率)小;熱電制冷器熱面的散熱可以比較方便的通過(guò)散熱面的合理設(shè)置而實(shí)現(xiàn);同時(shí),TEC技術(shù)還具有不需要任何工質(zhì)、無(wú)活動(dòng)部件、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等其它制冷方式所不具備的優(yōu)勢(shì)。綜上,TEC技術(shù)在星載相機(jī)熱設(shè)計(jì)中具有很高的應(yīng)用價(jià)值,值得進(jìn)一步研究。
[1]劉華軍,李來(lái)風(fēng).半導(dǎo)體熱電制冷材料的研究進(jìn)展[J].低溫工程,2004,137(1):32-38.
[2]管海清,馬一太.半導(dǎo)體熱電制冷材料性能提高原理與研究現(xiàn)狀[J].家電科技,2004,(9):67-69.
[3]ChoiM.Maintaining Swift XRTCCD Temperature at-50℃or Colder After TEC Power Supply Failure[C].3rdInternational Energy Conversion Engineering Conference,2005.
[4]Semenyuk V A.Novel Thermoelectric Microcoolers Compatible with Electro-Optic Components.[C].3rdInternational Energy Conversion Engineering Conference,2005.
[5]陳旭,李元山,畢人良.電子設(shè)備冷卻中熱電制冷的設(shè)計(jì)與應(yīng)用[J].制冷學(xué)報(bào),2001,33(3):69-72.
[6]Gilmore D G.Spacecraft Thermal Control Handbook[M].The Aerospace Press,2002.
[7]閔桂榮.衛(wèi)星熱控制技術(shù)[M].北京:宇航出版社,1991.
[8]高遠(yuǎn),蔣玉思.單級(jí)半導(dǎo)體制冷器設(shè)計(jì)中常見公式的推導(dǎo)[J].廣東有色金屬學(xué)報(bào),2003,13(2):130-135.
[9]裴勇,錢興華,蔣文濤.半導(dǎo)體制冷優(yōu)化設(shè)計(jì)方法的理論分析[J].制冷與空調(diào),2005,5(6):36-38.
[10]何知朱,江經(jīng)善.新型熱控材料器件與應(yīng)用[M].北京:宇航出版社,1988.